碳化硅！ 文章 最新資訊
引入碳化硅技術，采埃孚在華第3家電驅動工廠開業(yè)
- 據(jù)采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅動工廠—采埃孚電驅動系統(tǒng)（沈陽）有限公司近日開業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅動工廠，沈陽工廠將生產和銷售新能源汽車電驅動橋三合一總成等產品。據(jù)介紹，沈陽電驅動工廠的主打產品為新能源汽車的電驅動系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術，圍繞800伏平臺持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅動工廠。2022年9月，采埃孚電驅動技術（杭州）有限公司二期項目投產，主要生產800伏
- 關鍵字： 碳化硅 采埃孚 電驅動
基本半導體完成股份改制，正式更名
- 為適應公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場監(jiān)督管理局核準，深圳基本半導體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導體發(fā)展的重要里程碑，標志著公司治理結構、經(jīng)營機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務經(jīng)營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
- 關鍵字： 基本半導體 銅燒結 碳化硅 功率芯片
聚焦碳化硅項目，鉅芯半導體等三方達成合作
- 據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟文化交流協(xié)會、韓中文化協(xié)會及安徽鉅芯半導體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標志著三方在碳化硅領域的合作正式開始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調關鍵零部件的生產展開，將共同打造高質量的碳化硅產品生產線。據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產業(yè)，并不斷取得新進展。據(jù)韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導體設計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2
- 關鍵字： 碳化硅 鉅芯半導體
高功率SiC模塊助力實現(xiàn)可持續(xù)軌道交通
- 國際能源署（IEA）今年發(fā)布的報告稱，2023年全球與能源相關的二氧化碳排放量達到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運輸排放增長最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發(fā)電驅動的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴建軌道交通基礎設施及電氣化改造是減少CO2排放和實現(xiàn)氣候目標的關鍵。與電動汽車不同的是，電力機車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內的軌道交通電氣化轉型仍然方興未艾，不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
- 關鍵字： 碳化硅 功率模塊 軌道交通
美印宣布將在印度建立半導體工廠，生產氮化鎵、碳化硅等芯片
- 美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術伙伴關系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
- 關鍵字： 半導體 氮化鎵 碳化硅
EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時
- 關鍵字： EPC Power Wolfspeed 碳化硅 模塊化 電網(wǎng)級儲能
EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時候
- 關鍵字： EPC Power Wolfspeed 碳化硅 電網(wǎng)級儲能方案
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關鍵字： 碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
國家隊加持，芯片制造關鍵技術首次突破
- 據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
- 關鍵字： 碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
碳化硅，跨入高速軌道
- 正如業(yè)界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產能；英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關系；印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics收購美國碳化硅相關公司Nisene；長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉化意向協(xié)
- 關鍵字： 碳化硅
8英寸碳化硅，如火如荼
- 近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉型升級是技術發(fā)展的必然趨勢。業(yè)界人士稱，預計從2026年至2027年開始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產品都將被8英寸產品替代。當前來看，第三代半導體碳化硅加速邁進8英寸時代，并引得“天下群雄”踴躍進軍。據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，英
- 關鍵字： 碳化硅
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