各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長(zhǎng)對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計(jì)思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來(lái)了新的可能性。通過(guò)采用這種以具體應(yīng)用場(chǎng)景為核心的設(shè)計(jì)理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業(yè)與消費(fèi)市場(chǎng)的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車(chē)應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS? 7系列為各類(lèi)工業(yè)與消費(fèi)應(yīng)用場(chǎng)景提供了理想的解決方案，其產(chǎn)品涵蓋高性能開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、RDS(ON)優(yōu)化等特定應(yīng)用領(lǐng)域。

OptiMOS? 7標(biāo)識(shí)

OptiMOS? 7 25 V：為優(yōu)化開(kāi)關(guān)應(yīng)用量身定制

OptiMOS? 7 25V MOSFET跳脫出傳統(tǒng)通用型設(shè)計(jì)思路，提供專(zhuān)為開(kāi)關(guān)應(yīng)用量身定制的產(chǎn)品型號(hào)。該系列產(chǎn)品重點(diǎn)面向諸如中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）等應(yīng)用，這類(lèi)轉(zhuǎn)換器采用多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用于48V電壓轉(zhuǎn)換以支持AI核心供電。此外，它還廣泛適用于電信設(shè)備和傳統(tǒng)服務(wù)器中的開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）應(yīng)用。該產(chǎn)品組合分為兩大技術(shù)類(lèi)別：分別采用硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)做設(shè)備優(yōu)化。前者具有出色的米勒比、性能指數(shù)（FOM）和RDS(ON)10；后者具有超低的RDS(ON)45和FOMQg。新一代產(chǎn)品根據(jù)優(yōu)化類(lèi)型不同，其RDS(ON)和FOM較OptiMOS? 5 25V分別最多降低20%和提升25%。

OptiMOS? 7產(chǎn)品組合

OptiMOS? 7 40 V：為優(yōu)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)量身定制

OptiMOS? 7 40 V MOSFET專(zhuān)為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，較前代產(chǎn)品具有更低的RDS(on)、更強(qiáng)大的柵極特性和抗噪性能，并且其安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大了三倍。其較低的跨導(dǎo)特性優(yōu)化了電流分布，進(jìn)而減少電壓過(guò)沖，同時(shí)提高在惡劣工況下的性能。該產(chǎn)品組合適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電動(dòng)工具和園藝設(shè)備，可提供極高的可靠性、效率和功率密度。

供貨情況

為優(yōu)化開(kāi)關(guān)量身定制的OptiMOS? 7 25 V產(chǎn)品組合采用源極向下PQFN 3.3x3.3封裝，并提供底部散熱和雙面散熱兩種版本，其中心柵極布局設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)靈活、優(yōu)化的PCB布局。

為優(yōu)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)量身定制的OptiMOS? 7 40 V產(chǎn)品組合提供SuperSO8（5x6）和PQFN 3.3x3.3兩種封裝。