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          泰克公司(tektronix) 文章 最新資訊

          使用MP5000系列實(shí)現(xiàn)并行測(cè)試同步

          • _____引言受人工智能的快速發(fā)展和電氣化轉(zhuǎn)型的推動(dòng),半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)要求制造商在不犧牲測(cè)試精度的情況下,提高測(cè)試和驗(yàn)證的吞吐量。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是并行測(cè)試,即同時(shí)對(duì)多個(gè)器件進(jìn)行測(cè)試。一旦測(cè)試流程被驗(yàn)證,它就必須被復(fù)制以滿足生產(chǎn)需求。這引入了新的挑戰(zhàn),包括通道間的時(shí)間同步以及擴(kuò)展帶來(lái)的額外成本。Tektronix MP5000 系列模塊化精密測(cè)試系統(tǒng)旨在滿足并行測(cè)試需求。高密度1U主機(jī)MP5103可配置多達(dá) 3 個(gè)模塊化源表單元(SMUs)和/或電源單元(PSUs),實(shí)現(xiàn)最多6個(gè)獨(dú)立通道。MP5
          • 關(guān)鍵字: 測(cè)試同步  Tektronix  泰克  

          無(wú)需鉗位電路實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測(cè)量技術(shù)

          • _____動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(on))是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而,關(guān)于其測(cè)量技術(shù)的知識(shí)體系仍相對(duì)較新。傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量技術(shù)依賴(lài)于二極管鉗位電路,使示波器能夠以足夠的分辨率測(cè)量漏源電壓,而不會(huì)使示波器輸入過(guò)載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測(cè)試(WBG-DPT)測(cè)量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法,采用獨(dú)特的雙探頭技術(shù),無(wú)需使用鉗位電路。測(cè)量動(dòng)態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)動(dòng)態(tài)RDS(on)是指FET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中導(dǎo)通時(shí),漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
          • 關(guān)鍵字: 動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻  RDS(on)測(cè)量  泰克  GaN  Tektronix  

          跨域與多通道信號(hào)分析在嵌入式RF測(cè)試中的應(yīng)用

          • 射頻(RF)測(cè)試是嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),尤其是在電信、航空航天、汽車(chē)以及物聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)。隨著嵌入式系統(tǒng)的日益復(fù)雜,傳統(tǒng) RF 測(cè)試方法往往難以捕捉多個(gè)域(時(shí)間、頻率、數(shù)字域)信號(hào)之間的復(fù)雜相互作用。多域信號(hào)分析作為一種強(qiáng)大的方法應(yīng)運(yùn)而生,為工程師提供了 RF 性能的全景視圖。本文將探討多域信號(hào)分析的原理、優(yōu)勢(shì)及其在嵌入式 RF 測(cè)試中的實(shí)際應(yīng)用,并為希望優(yōu)化測(cè)試流程的工程師與開(kāi)發(fā)人員提供實(shí)踐洞察。什么是多域信號(hào)分析?多域信號(hào)分析技術(shù)是一種綜合性的測(cè)試方法,它通過(guò)同步考察嵌入式系統(tǒng)中不同維度的電子
          • 關(guān)鍵字: 202508  跨域  多通道信號(hào)分析  RF測(cè)試  Tektronix  

          DeepSeek時(shí)代的終極硬件?憶阻器存算一體技術(shù)深度解析!

          • _____DeepSeek掀起AI計(jì)算革命,算力瓶頸何解?AI領(lǐng)域正在經(jīng)歷一場(chǎng)顛覆性的變革!DeepSeek,一款近期火爆全球的開(kāi)源AI大模型,正與GPT-4、Sora等模型一起,掀起一場(chǎng)前所未有的算力競(jìng)賽。隨著AI訓(xùn)練規(guī)模的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),計(jì)算資源的短缺已經(jīng)成為無(wú)法忽視的問(wèn)題——算力不足,功耗爆表,傳統(tǒng)芯片難以支撐未來(lái)AI需求!當(dāng)前主流的馮·諾依曼架構(gòu)已無(wú)法跟上AI發(fā)展的步伐,存儲(chǔ)與計(jì)算分離導(dǎo)致數(shù)據(jù)搬移成為巨大瓶頸。這不僅拖慢了計(jì)算速度,還消耗了大量能量。如何突破這一困境?存算一體技術(shù)成為破局關(guān)鍵!清華大學(xué)
          • 關(guān)鍵字: DeepSeek  憶阻器  存算一體  Tektronix  泰克  

          下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測(cè)器應(yīng)用與測(cè)試

          • _____氧化鎵(Ga2O3)探測(cè)器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測(cè)器,主要用于日盲紫外光的探測(cè)。其獨(dú)特的物理化學(xué)特性使其在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。探測(cè)器性能由于材料不同、結(jié)構(gòu)不同、制備工藝以及應(yīng)用場(chǎng)景的不同的區(qū)別會(huì)有較大的性能差異。而性能指標(biāo)之間往往存在制約,例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應(yīng)度、可靠性和靈敏度等需要權(quán)衡和折中。對(duì)于性能表征也是如此,高響應(yīng)度一定無(wú)法和高精度電流表征同時(shí)進(jìn)行。Tektronix提供了多種性能、架構(gòu)的測(cè)試儀器儀表,滿足探測(cè)器在不同極限維度下測(cè)試的需求。氧化鎵的
          • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  Ga2O3  氧化鎵探測(cè)器  光電探測(cè)器  泰克  Tektronix  

          PCI Express發(fā)射器一致性/調(diào)試解決方案

          • _____PCI-SIG 6.0規(guī)范引入了PAM4信號(hào),旨在在保持NRZ信號(hào)向后兼容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)64GT/s。多級(jí)(PAM4)方法為采用者和驗(yàn)證團(tuán)隊(duì)帶來(lái)了新的信號(hào)完整性挑戰(zhàn)。Tektronix的PCI Express 6.0軟件通過(guò)自動(dòng)化測(cè)試來(lái)減少這種新復(fù)雜性,確保測(cè)量的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。Tektronix的PCE6 (Gen6)選項(xiàng)、PCE5 (Gen5)選項(xiàng)、PCE4 (Gen4)選項(xiàng)和PCE3 (Gen 1/2/3)選項(xiàng)應(yīng)用程序?yàn)镻CI Express發(fā)射機(jī)和參考時(shí)鐘符合性測(cè)試以及根據(jù)PCI-SIG?
          • 關(guān)鍵字: PCI Express發(fā)射器  調(diào)試  Tektronix  

          用混合信號(hào)示波器識(shí)別建立和保持時(shí)間違規(guī)

          • _____信號(hào)之間的時(shí)間關(guān)系對(duì)數(shù)字設(shè)計(jì)的可靠運(yùn)行至關(guān)重要。對(duì)于同步設(shè)計(jì),時(shí)鐘信號(hào)相對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)的時(shí)間尤為重要。使用混合信號(hào)示波器,可以輕松確定多個(gè)邏輯輸入和時(shí)鐘信號(hào)之間的時(shí)間關(guān)系。建立和保持時(shí)間觸發(fā)器自動(dòng)確定時(shí)鐘與數(shù)據(jù)時(shí)間關(guān)系。建立時(shí)間是指在有效時(shí)鐘邊緣發(fā)生之前,輸入數(shù)據(jù)信號(hào)保持穩(wěn)定(高或低)的時(shí)間。保持時(shí)間是指在有效時(shí)鐘邊緣發(fā)生之后,輸入數(shù)據(jù)信號(hào)保持穩(wěn)定(高或低)的時(shí)間。同步器件(如觸發(fā)器)的元件數(shù)據(jù)手冊(cè)中規(guī)定了設(shè)置和保持時(shí)間。必須滿足設(shè)置和保持時(shí)間的要求,才能確保元件能夠正確可靠地工作?;旌闲盘?hào)示波器
          • 關(guān)鍵字: 混合信號(hào)示波器  MSO  時(shí)間違規(guī)  Tektronix  

          MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解

          • _____MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率,設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如,設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容,因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度,從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書(shū)中提供。圖1 功率MOSFET的組件級(jí)電容三端功率半導(dǎo)體器件的電容可以在兩種不同的量級(jí)上看待:組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個(gè)設(shè)備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級(jí)電容的組合。例如,圖1說(shuō)明了一個(gè)功率MOSFET的組件級(jí)電容
          • 關(guān)鍵字: MOSFET器件  高壓CV測(cè)試  Tektronix  泰克  

          延時(shí)校準(zhǔn)、脈沖測(cè)試一定要做的事兒!

          • 進(jìn)行雙脈沖測(cè)試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)特性,可以說(shuō)它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。基于雙脈沖測(cè)試獲得的器件開(kāi)關(guān)波形可以做很多事情,包括:通過(guò)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程的分析驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)方案并提出改進(jìn)方向、提取開(kāi)關(guān)特征參數(shù)制作器件規(guī)格書(shū)、計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗為電源熱設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支撐、不同廠商器件開(kāi)關(guān)特性的對(duì)比等。測(cè)量延時(shí)的影響被測(cè)信號(hào)在測(cè)量過(guò)程中會(huì)經(jīng)歷兩次延時(shí),不同信號(hào)所經(jīng)歷延時(shí)的差別會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果造成一定的影響。一次延時(shí)是示波器模擬前端的延時(shí),索性示波器不同通道間延時(shí)差別在 ps 級(jí)別,對(duì)于
          • 關(guān)鍵字: Tektronix  延時(shí)校準(zhǔn)  脈沖測(cè)試  

          SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因

          • _____開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測(cè)量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結(jié)論,獲得精準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時(shí)還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來(lái)越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區(qū)別是它
          • 關(guān)鍵字: Tektronix  SiC  MOSFET  

          【AFG專(zhuān)題系列72變】之四:磁共振成像我搞定

          • _____磁共振成像是一種使用磁場(chǎng)及射頻脈沖進(jìn)行的特殊檢查,安全、準(zhǔn)確、無(wú)創(chuàng)傷、對(duì)人體無(wú)害,因此,在醫(yī)療行業(yè)上被廣泛的應(yīng)用。要完成磁共振掃描并且得到圖像需要一個(gè)非常復(fù)雜的磁共振成像系統(tǒng),而該系統(tǒng)主要由以下幾個(gè)部分組成,包括:磁體系統(tǒng)、射頻系統(tǒng)、梯度系統(tǒng)、接收線圈及其他計(jì)算機(jī)輔助系統(tǒng)。射頻系統(tǒng)主要由射頻線圈、射頻發(fā)生器、射頻放大器組成,主要的作用是發(fā)射能夠激發(fā)成像區(qū)域的射頻脈沖。梯度切換率Slew Rate是描述梯度場(chǎng)變化快慢的一個(gè)指標(biāo),表示單位時(shí)間內(nèi)梯度場(chǎng)強(qiáng)的變化量,它的單位是mT/m/s,也反映了梯度場(chǎng)
          • 關(guān)鍵字: 核磁共振  醫(yī)療  任意波形函數(shù)發(fā)生器  Tektronix  

          e絡(luò)盟發(fā)售Tektronix AFG31000任意函數(shù)發(fā)生器

          •   全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商e絡(luò)盟現(xiàn)在備有 Tektronix AFG31000 任意函數(shù)發(fā)生器。這款行業(yè)一流的波形發(fā)生平臺(tái)旨在滿足整個(gè)產(chǎn)品運(yùn)行過(guò)程中,對(duì)性能和多功能性的最嚴(yán)苛要求?! ∪?AFG31000 系列融合了四個(gè)行業(yè)第一,為研究人員和工程師帶來(lái)前所未有的用戶(hù)體驗(yàn):  9 英寸電容式觸摸顯示屏和簡(jiǎn)化的菜單方便用戶(hù)更快地查找和更改設(shè)置,同時(shí)便于瀏覽?! ∧軌蚴褂肐nstaView?實(shí)時(shí)監(jiān)控被測(cè)設(shè)備上生成的波形。當(dāng)信號(hào)從 AFG31000 輸出到被測(cè)電路中的測(cè)試點(diǎn)時(shí),通過(guò)實(shí)時(shí)驗(yàn)證生成的波形圖,
          • 關(guān)鍵字: Tektronix,AFG31000  

          MIPI促使移動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)、驗(yàn)證與測(cè)試更高效

          • 移動(dòng)多媒體領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)人員正努力應(yīng)對(duì)行業(yè)飛速發(fā)展所帶來(lái)的巨大機(jī)遇與挑戰(zhàn)。日前,由MIPI聯(lián)盟重要成員Cadence和泰克(Tektronix)聯(lián)合舉辦的MIPI(Mobile
          • 關(guān)鍵字: MIPI  Cadence  Tektronix  

          使用精密測(cè)量電源進(jìn)行內(nèi)阻測(cè)試和電容量測(cè)試

          • 使用精密測(cè)量電源進(jìn)行內(nèi)阻測(cè)試和電容量測(cè)試-精密測(cè)量電源在提供穩(wěn)定供電之余,還可以進(jìn)行高精度的電壓電流測(cè)量,因此可以用于完成多種相關(guān)參數(shù)的測(cè)試。
          • 關(guān)鍵字: 泰克公司  電源測(cè)試  2280S  

          低功耗待測(cè)器件實(shí)現(xiàn)高精度低電流測(cè)量?jī)煞N方式

          • 低功耗待測(cè)器件實(shí)現(xiàn)高精度低電流測(cè)量?jī)煞N方式-本文探討了對(duì)低功耗待測(cè)器件(DUT)進(jìn)行低電流測(cè)量的兩種不同方法:一是將電源、高精度數(shù)字多用表及待測(cè)器件進(jìn)行串聯(lián),二是使用高精度測(cè)量電源。應(yīng)用筆記詳細(xì)介紹了怎樣配置2280S系列高進(jìn)度測(cè)量直流電源,實(shí)現(xiàn)高精度低電流測(cè)量。
          • 關(guān)鍵字: 泰克公司  電源測(cè)試  2280S  
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          泰克公司(tektronix)介紹

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