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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)新型SiC MOSFET器件

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度和優(yōu)異的熱導(dǎo)率，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場(chǎng)景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時(shí)優(yōu)化導(dǎo)通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟待解決的難題。近日，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域取得重要突破。據(jù)復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)透露，他們基于電荷平衡理論，通過對(duì)離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計(jì)并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
關(guān)鍵字：復(fù)旦大學(xué) SiC MOSFET器件

_____MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。圖1 功率MOSFET的組件級(jí)電容三端功率半導(dǎo)體器件的電容可以在兩種不同的量級(jí)上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個(gè)設(shè)備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級(jí)電容的組合。例如，圖1說明了一個(gè)功率MOSFET的組件級(jí)電容
關(guān)鍵字： MOSFET器件高壓CV測(cè)試 Tektronix 泰克

高效的AC/DCSMPS與DC/DC轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)代功率架構(gòu)的主干，用于驅(qū)動(dòng)電信或計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)。為了滿足市場(chǎng)對(duì)這些轉(zhuǎn)換...
關(guān)鍵字：嵌入式功率系統(tǒng) MOSFET器件

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