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基于ST HVLED001A的80W無線控制街燈照明方案
- 街道照明裝置已從提供基本的照明發(fā)展成為支持一系列服務（包括在場和交通水平監(jiān)控以及事件檢測監(jiān)控）的核心部分，更不用說針對特定道路和天氣條件優(yōu)化照明水平了 –幫助政府將城市變成智慧城市。此方案以 ST HVLED001A增強型峰值電流模式控制器為基礎，能夠控制輸出功率高達150 W的LED驅動器中的高功率因數(shù)（HPF）反激或降壓-升壓拓撲結構。其他拓撲結構（例如buck，boost和SEPIC）也可以 也可以實現(xiàn)。搭配sub-GHz無線電優(yōu)勢, 為智慧控制的基礎! 在今日的市場中，無線區(qū)域網路(Wi
- 關鍵字： ST HVLED001A
基于ST LM2904 的低功耗太陽能光伏充電控制板方案
- 太陽能光伏產業(yè)是中國目前大力推廣的一種綠色新能源產業(yè)之一，因為其安裝簡單、成本低廉，使用壽命長等優(yōu)勢，已經越來越受到人們的喜愛。通過方案方塊圖可知，太陽能控制器是整個光伏設備其中的一個關鍵設備，它專門負責對電池的充電管理，比如實現(xiàn)過充保護、防止電池電流倒灌等功能。控制器的核心元件是基于LM2904的高精度，低功耗的運放，再加上功率肖特基二極管和低壓MOS，組成了功能強大、成本低廉、使用簡單的太陽能控制器。?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?產品所用外殼?核心技術優(yōu)勢ST的LM2904是一顆雙運放IC，并
- 關鍵字： ST LM2904 新能源 太陽能
基于ST STNRGPF02 高效率交錯式數(shù)位控制PFC的2KW服務器電源方案
- 該方案STEVAL-IPFC02V1是2kW高效率交錯式PFC參考設計，采用交錯式 CCM模式拓撲設計，主要用于大功率電源（大于600W）PFC設計，應用市場主要是通信電源，服務器電源，工業(yè)電源等。該方案是基于STNRGPF02控制器實現(xiàn)數(shù)字功率因數(shù)控制， 特點是逐周期電流調節(jié)和靈活的數(shù)字控制，實現(xiàn)非常高的功率因數(shù)和非常低的諧波失真。STNRGPF02是半數(shù)字電源芯片，混合信號平均電流模式控制，逐周期調節(jié)(模擬流控電制回路)；CCM固定頻率操作, 開關頻率(fsw) 60khz；它是可以驅動多達
- 關鍵字： ST STNRGPF02
IO-Link——直至最后一米的連續(xù)通信
- 背景與基礎隨著工業(yè)4.0的興起，人們對可重設置的雙向數(shù)據(jù)交互的智能傳感器/執(zhí)行器的需求顯著上升。為此，自動化領域的許多知名廠商一起開發(fā)了獨立于現(xiàn)場總線的傳感器和執(zhí)行器的通信標準：IO-Link，這是一種相對較新的工業(yè)傳感器標準，目前已呈現(xiàn)出迅速增長態(tài)勢。據(jù)IO-Link相關組織預測，截至當前，行業(yè)使用支持IO-Link標準的節(jié)點已超過2700萬個，而這個數(shù)字仍在不斷攀升。圖1 IO-Link?nodes增長趨勢?（圖源IO-Link.com）IO-Link技術定義了用于將傳感器和執(zhí)行器
- 關鍵字： IO-Link ADI
基于ST STUSB4761的45W Type-C Power Delivery 3.0充電器方案
- 厭倦了為不同的配件使用不同的充電器?ST 意法半導體的EVLSTCH03-45WPD充電器具有USB-A端口和USB-C端口，因此您無需使用多個充電器即可同時為不同的設備充電。 EVLSTCH03-45WPD 45W USBType-C?Power Delivery 3.0充電器是USB-IF認證的解決方案。 EVLSTCH03-45WPD是帶有獨立USB PD控制器的隔離電源。在初級側實現(xiàn)了一個基于STCH03控制器的準諧振反激式轉換器，該轉換器具有光耦合器反饋以進行電壓調節(jié)。該控制器結合了高
- 關鍵字： ST STUSB4761 USB type C charger
基于ST STM32F334 之350W無橋功因數(shù)位電源方案
- 為了在類比電源供應系統(tǒng)上設計出更精細、更復雜多樣化的電源管理算法則，源自于云端運算服務器、電信機臺設備的數(shù)位電源技術，以高效能微控制器(MCU)作為監(jiān)控與輸出多樣化類比電壓的調整技術；即便其成本較高，系統(tǒng)業(yè)者也開始將它推廣并導入，藉以開發(fā)出更多的節(jié)能控制與智慧綠能應用。友尚與明志科技大學高功率實驗室合作開發(fā)350W 無橋PFC數(shù)位電源方案(如圖一)，以此解決方案展示STM32F334在數(shù)位電源上的優(yōu)異表現(xiàn)并提供給客戶參考，STM32F334內建217ps的高分辨率PWM，并具備12 bits ADC 5M
- 關鍵字： ST STM32F334 無橋
基于ST VIPerPlus Low EMI 的豆?jié){機輔助電源方案
- 一：項目背景：家電客戶使用VIPer12做的6W輔助電源在EMI的傳導測試中，低頻段超標需要整改。因成本和PCB空間原因不能加前端EMI濾波電感。需要采用VIPerPlus的頻率抖動特性解決問題。二：頻率抖動基本原理開關電源由于較高的dv/dt 和di/dt堯電路中存在的寄生電感和電容使開關電源的電磁干擾噪聲較難消除。一般在EMI測試結果中可以發(fā)現(xiàn)，開關電源在開關時刻通常容易超過EMI 限值，而在其它頻率點上卻往往具有較大的裕量。因此人們又從另一角度開發(fā)新的EMC 技術院如何通過各種方式降低開關時刻的EM
- 關鍵字： ST Low EMI jitter frequency Viper17 豆?jié){機
意法半導體ST-ONEMP數(shù)字控制器簡化高能效雙端口USB-PD適配器設計
- 意法半導體的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數(shù)字控制器新增一個支持雙充電口的ST-ONEMP芯片。ST-ONEMP數(shù)字控制器基于市場首個ST-ONE架構，在一個封裝內集成Arm? Cortex?-M0+ 微控制器、高能效非互補有源鉗位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架構的初級側和次級側電路之間電流隔離，極大地簡化了USB-PD電源適配器的設計和組裝?，F(xiàn)在，通過增加電能共享支持功能，最新的ST-ONEMP簡化了在USB-PD 輸出外再增加一個輸出的雙充電口設計
- 關鍵字： 意法半導體 ST-ONEMP 數(shù)字控制器 USB-PD適配器
利用IO-Link技術建置小型高能效工業(yè)現(xiàn)場傳感器
- 無論過去或是現(xiàn)在，在許多情況下，工業(yè)傳感器都采用模擬。其中包含感測組件，以及將感測數(shù)據(jù)傳輸至控制器的某種方式。數(shù)據(jù)采用單向模擬方式進行傳輸。之后出現(xiàn)了二進制傳感器，該傳感器提供數(shù)字開/關訊號，包含成測組件（電感、電容、超音波、光電等）和半導體切換組件。其輸出可能是：高側（HS）開關（PNP）或低側（LS）開關（NPN），或者是推挽式（PP）。但數(shù)據(jù)仍然受到限制，只能從傳感器單向傳輸至主機，不提供錯誤控制，且仍然需要現(xiàn)場技術人員來執(zhí)行手動校準等任務。所以需要更好的解決方案來滿足「工業(yè)4.0」、智能傳感器和可
- 關鍵字： IO-Link 高能效 工業(yè)現(xiàn)場 傳感器
基于ST L6563H+L6599A+SRK2000A的大功率電源適配器方案
- 1.該方案是PFC+LLC拓撲，適合作中大功率電源，其中ST的方案L6562/L6563+L6599被業(yè)界稱為最經典的PFC+LLC方案，現(xiàn)在還有相當多的人使用。方案主要優(yōu)勢為高效率，低EMI ，適合應用于高頻化，高功率密度設計。DEMO板EVL150W-ADP-SR,是款 150W，寬輸入電壓范圍，PFC+LLC解決方案，適用于大功率適配器，TV電源和LED大功率電源，在無/輕載運行時功耗低，重載滿載高效率。在LLC拓撲未流行前，傳統(tǒng)的150W方案主要有PFC+反激或者PFC+正激，其主要的缺點是效率不
- 關鍵字： ST L6563H L6599A SRK2000A 大功率適配器
基于ST HVLED001B +HVLED002 設計的高效率和低THD可調光LED 100W驅動器
- 一， HVLED001B 的介紹：HVLED001B是具有恒定電壓初級感應和超低待機功耗的高功率因數(shù)反激控制器, 同時也是增強型峰值電流模式控制器，能夠主要控制高功率因數(shù)（HPF）反激或降壓-升壓。初級側調節(jié)和光耦合器控制可以獨立地應用在芯片上，在空載情況下都可以利用精確調節(jié)和非常低的待機功耗來實現(xiàn)。創(chuàng)新的ST高壓技術允許HVLED001B直接連接到輸入電壓，從而可以啟動設備并監(jiān)視輸入電壓，而無需外部組件。有效控制開路，輸出短路，輸入過壓或欠壓等異常情況，以及主開關的開環(huán)和過流等電路故障。內置的智能自動恢
- 關鍵字： ST HVLED001B HVLED002 STEVAL-LLL008V1
意法半導體或將進軍10nm工藝
- 12月8日，半導體產業(yè)分析師 Dylan Patel發(fā)布了一條推特稱意法半導體未來將進軍10nm工藝，不過考慮到提到的晶圓廠直到2026年才能滿負荷生產18nm工藝，實現(xiàn)10nm工藝的具體時間可能較晚。圖源：推特據(jù)Dylan Patel在推文中介紹，意法半導體將每月生產5萬片晶圓18nm FD-SOI，后續(xù)將轉向下一個節(jié)點，采用10nm工藝，該意法半導體晶圓廠將與GlobalFoundries合作生產。早在今年7月，意法半導體曾與格芯宣布投資57億歐元（約418.38億元人民幣），在法國建造一座新的半導體
- 關鍵字： ST 意法半導體 10nm
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