sic 文章 最新資訊
一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)
- 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC Combo JFET
SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性
- 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高
- 關(guān)鍵字： SiC Combo JFET 安森美
羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動(dòng)汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中?！癰Z5”作為豐田與比亞迪豐田電動(dòng)車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動(dòng)汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團(tuán)的合資企業(yè)——上海海姆?？?/li>
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 豐田 純電車型
從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南
- 在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱性能?？紤]到熱效應(yīng)對(duì)導(dǎo)通損耗的影響，并聯(lián)功率開關(guān)管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)， 因?yàn)閰?shù)差異會(huì)影響均流特性。本文
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 SiC MOSFET
SiC過剩預(yù)警：新能源汽車能否消化瘋狂擴(kuò)產(chǎn)？
- 就在去年，「搶占 SiC，誰是電動(dòng)汽車市場的贏家？」「第三代半導(dǎo)體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導(dǎo)體百億級(jí)市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標(biāo)簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續(xù)下去。「消息稱 2025 年中國 SiC 芯片價(jià)格將下降高達(dá) 30%」「SiC 價(jià)格跳水, 開啟下半場戰(zhàn)役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產(chǎn)能狂飆根據(jù)預(yù)測 2025 年全球 SiC 襯底產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá) 400 萬片，需求預(yù)測僅 250 萬片。從需求側(cè)來看
- 關(guān)鍵字： SiC
復(fù)旦大學(xué)研發(fā)新型SiC MOSFET器件
- 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強(qiáng)度和優(yōu)異的熱導(dǎo)率，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時(shí)優(yōu)化導(dǎo)通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟待解決的難題。近日，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域取得重要突破。據(jù)復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)透露，他們基于電荷平衡理論，通過對(duì)離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計(jì)并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) SiC MOSFET器件
SiC市場的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
- 安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。然而，開關(guān)模式在應(yīng)用中通常需要常關(guān)狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
- 關(guān)鍵字： SiC 共源共柵 cascode 安森美
ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運(yùn)算時(shí)間較長等問題，亟待改進(jìn)。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
- 關(guān)鍵字： ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
SiC Combo JFET講解，這些技術(shù)細(xì)節(jié)必須掌握
- 安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC Combo JFET
因中國價(jià)格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計(jì)劃
- 根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報(bào)告，電動(dòng)汽車 （EV） 市場增長放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)過剩，導(dǎo)致價(jià)格下跌，據(jù)報(bào)道，這促使日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動(dòng)汽車碳化硅功率半導(dǎo)體的計(jì)劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計(jì)劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團(tuán)隊(duì)。日經(jīng)新聞補(bǔ)充說，預(yù)計(jì)與中國競爭對(duì)手的價(jià)格競爭將在中長期內(nèi)加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
- 關(guān)鍵字： 價(jià)格戰(zhàn) Wolfspeed 瑞薩電子 SiC
Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應(yīng)交易面臨風(fēng)險(xiǎn)
- 據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，據(jù)報(bào)道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請(qǐng)第 11 章破產(chǎn)保護(hù)。報(bào)告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評(píng)估其戰(zhàn)略計(jì)劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會(huì)受到影響，因?yàn)槠渑c Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預(yù)付款 10 年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。報(bào)告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國破產(chǎn)法第 11 章申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，瑞薩電子可能
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 破產(chǎn) 瑞薩電子 SiC
將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中
- 功率半導(dǎo)體研究實(shí)驗(yàn)室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗(yàn)證，該模塊旨在用于電動(dòng)汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該實(shí)驗(yàn)室表示，這項(xiàng)技術(shù)可以提高效率，同時(shí)減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設(shè)備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設(shè)計(jì)的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當(dāng)今許多電動(dòng)汽車中部署的基于磁芯的電流傳
- 關(guān)鍵字： 電流傳感器 EV SiC 功率模塊
東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
- 關(guān)鍵字： 東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
東芝在SiC專利申請(qǐng)中挑戰(zhàn)泰科天潤
- 中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專利申請(qǐng)排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國分析機(jī)構(gòu) KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請(qǐng)了 840 多個(gè)新專利族。本季度的專利申請(qǐng)活動(dòng)以東芝在 SiC 功率器件專利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標(biāo)志，以匹配 Global Power Technology的專利數(shù)量。這家中國公司在過去四個(gè)季度一直是排名靠前的專利申請(qǐng)人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。第一季度授予了 420 多個(gè)
- 關(guān)鍵字： 東芝 SiC 專利申請(qǐng) 泰科天潤
CHIPS 法案、電動(dòng)汽車關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機(jī)
- 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴(yán)峻的現(xiàn)金危機(jī)。作為車用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，Wolfspeed近年來投入數(shù)十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經(jīng)濟(jì)低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉(zhuǎn)向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進(jìn)增長，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權(quán)保護(hù)。“作為我們貸方談判的一部分，我們可能會(huì)選擇在法庭內(nèi)或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費(fèi)爾 （Robert Feurle） 說。據(jù)報(bào)道，資產(chǎn)管理公
- 關(guān)鍵字： CHIPS Wolfspeed SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [ 查看詳細(xì) ]
sic研討會(huì)推薦
sic電路
sic相關(guān)帖子
sic資料下載
sic專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473