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          英飛凌與飛兆半導體達成功率MOSFET兼容協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。
　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。
　　英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET  飛兆半導體                          
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          Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護器MAX14544/MAX14545，有效避免主機因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結合開關斷開狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設供電端口保護的理想選擇。目標應用包括：蜂窩電話、MID (移動互聯(lián)網(wǎng)設備)、電子書及其它外掛配件的便攜設備。
　　MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預置門限之間選擇，反向限流值設置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無鉛封裝，工作在-
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          • 關鍵字：
                        Maxim  MOSFET  過流保護器                          
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          NXP發(fā)布以LFPAK為封裝全系列汽車功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　恩智浦半導體(NXP?Semiconductors)近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應用進行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。
　　隨著對電子應用不斷增長的消費需求，汽車
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          • 關鍵字：
                        NXP  MOSFET  LFPAK                          
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          飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球領先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。
　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
　　飛兆半
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET  DC-DC                          
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          飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球領先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。
　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
　　飛兆半
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          • 關鍵字：
                        Fairchild  MOSFET                          
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          今年二季度半導體元件價格漲幅將超10%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)來自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場效晶體管(MOSFET)和DRAM在內(nèi)的大部分半導體元件供應比較緊張，但是由于代工廠已經(jīng)在滿負荷運行，預計短期內(nèi)這種情況不會得到緩解。
　　據(jù)臺灣媒體報道，消息人士指出，預計在今年第二季度，半導體元件的價格漲幅將超過10%。在第一季度中，其價格已經(jīng)平均提高了5-10%。
　　另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價格漲幅最大，在今年余下幾個月中，
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          • 關鍵字：
                        PWM  MOSFET  DRAM                          
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          設計更高能效、極低EMI準諧振適配器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　準方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準方波諧振的關鍵特征是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達到其最低值時導通，從而減小開關損耗及改善電磁干擾(EMI)信號。
　　準諧振轉(zhuǎn)換器采用不連續(xù)導電模式(DCM)工作時，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級電感(Lp)與節(jié)點電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節(jié)點的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構成諧振網(wǎng)絡，Lp與C
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          • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET  電源適配器  EMI                          
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          PI 推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對X電容自動進行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項安全標準。
　　X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時間貯存高壓電能，因此會構成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會在AC接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機輸入功耗的重要因素。

　　CAPZero與放電電容串聯(lián)
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          • 關鍵字：
                        PI  CAPZero  MOSFET                          
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          IR 推出新型25V DirectFET 芯片組
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
　　IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業(yè)界領先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
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          • 關鍵字：
                        IR  MOSFET  DirectFET  芯片組                          
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          安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。

　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉(zhuǎn)換器應用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
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          • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET  肖特基二極管                          
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          IR 推出具有低導通電阻的汽車用 MOSFET 系列
          
                                                            
            
                    	
          • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導通電阻的各種應用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池開關，以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應用。
　　新器件采用了 IR 經(jīng)過驗證的 Gen 10.2 技術，可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至 
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          • 關鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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          MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及利用
          
                                                            
            
                    	
          • 　下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ，特征，驅(qū)動以及運用 電路。　
            　　在運用 MOS管設計開關電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會思慮 M
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                        MOSFET  利用  原理  電路  驅(qū)動                          
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          Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現(xiàn)更高的效率，同時避免出現(xiàn)導致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復故障。
　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電
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          • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET                           
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          GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
　　目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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          • 關鍵字：
                        GaN  MOSFET                          
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          理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
          
                                                            
            
                    	
          • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評定這些參數(shù)對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關條件下的工作狀態(tài)。
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                        雪崩  能量  UIS  MOSFET  功率  理解                          
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