日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。

　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現(xiàn)更高的效率，同時避免出現(xiàn)導致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復故障。

　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味著低傳導損耗，可以在用于LIPS逆變器、HID、PC電源和鎮(zhèn)流器的LLC、全橋、半橋和雙管正激拓撲中節(jié)省能源。

　　為了能可靠地工作，該器件進行了完備的雪崩測試，可處理22A的脈沖峰值電流和8A的連續(xù)電流(由最高結溫限定)。SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封裝，符合RoHS指令2002/95/EC。

　　新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。