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          德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負(fù)載開關(guān)
          
                                                            
            
                    	
          • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
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          • 關(guān)鍵字：
                        TI  TPS27081A  FET                          
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          將光電FET光耦用作一個(gè)線性壓控電位器
          
                                                            
            
                    	
          • 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET  光電  電位器  光耦                            
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          基于優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
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          • 關(guān)鍵字：
                        改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  基于                          
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          開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
          
                                                            
            
                    	
          • 進(jìn)入21世紀(jì)，開關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
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          • 關(guān)鍵字：
                        開關(guān)電源  轉(zhuǎn)換器  碳化硅（SiC）                          
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          設(shè)計(jì)主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關(guān)
          
                                                            
            
                    	
          • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動(dòng)切換的場合，包括電池供電存儲(chǔ)器電...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        主電源  備用電源  FET-OR                          
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          英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  SiC  JFET                          
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          對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖的方法
          
                                                            
            
                    	
          • 圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此 
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          • 關(guān)鍵字：
                        緩沖  方法  進(jìn)行  電壓  FET  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器                          
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          超過20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。
　　該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱目前是使用3～4個(gè)數(shù)kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個(gè)即可滿足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
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          • 關(guān)鍵字：
                        SIC  二極管  半導(dǎo)體                          
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          羅姆清華探索校企合作新模式
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產(chǎn)學(xué)連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開，來自清華的教授跟與會(huì)者分享了與羅姆合作以來在某些領(lǐng)域取得的成果以及一些教學(xué)科研經(jīng)驗(yàn)。會(huì)后，羅姆株式會(huì)社常務(wù)董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學(xué)研方面的相關(guān)合作。
以“羅姆”命名清華樓，并無排他性
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          • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  SiC                          
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          技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率
          
                                                            
            
                    	
          • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  講座  功率元件  氧化鎵                            
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          技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（二）
          
                                                            
            
                    	
          • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED                          
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          技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）
          
                                                            
            
                    	
          • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻                          
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          用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能
          
                                                            
            
                    	
          • 所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí)，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備...
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          • 關(guān)鍵字：
                        智能MOSFET  醫(yī)療電子  FET                          
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          基于FET輸入型OP放大器的長時(shí)間模擬定時(shí)電路介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來組成定時(shí)器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET  輸入  OP放大器  模擬                            
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          采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集
          
                                                            
            
                    	
          • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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          • 關(guān)鍵字：
                        IMEC  SiC  生物電信號采集                            
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          sic fet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic fet!
           
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