進入21世紀，開關電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開發(fā)與開關電源相關的產(chǎn)品和技術(shù)。 碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是禁帶寬，工作溫度高（可達600℃）、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、DNI結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導體開關器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。
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