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          sic fet 文章 最新資訊

          Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計

          • 簡介   一提到電源設(shè)計,大多數(shù)工程師都會感到撓頭,他們往往會問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
          • 關(guān)鍵字: intersil  FET  DC/DC  

          富士電機擬擴增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

          •   富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 富士電機  SiC  

          SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計分析

          • 引言  隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

          SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: SiC  寬帶功率放大器  模塊設(shè)計  放大電路  

          MOS-FET與電子管OTL功放的制作

          MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

          • MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
          • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

          MOS—FET甲乙類功率放大器

          TI 小貼士:圖例理FET知識

          • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          手把手教你讀懂FET選取合適器件

          • 現(xiàn)在;一臺臺電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個開關(guān)...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          利用SiC大幅實現(xiàn)小型化 安川電機試制新型EV行駛系統(tǒng)

          • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車(EV)行駛系統(tǒng)(圖1)。該系統(tǒng)由行駛馬達及馬達的驅(qū)動部構(gòu)成。通過...
          • 關(guān)鍵字: 安川電機  EV行駛系統(tǒng)  SiC  

          CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

          •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.   
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

          市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場

          •   在由Xilinx主辦的會議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預(yù)測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結(jié)等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展。  
          • 關(guān)鍵字: Xilinx  Semico  SIC  

          如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進行緩沖

          •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
          • 關(guān)鍵字: 進行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

          MOS-FET開關(guān)電路

          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
          • 關(guān)鍵字: MOS-FET  開關(guān)電路    

          J-FET開關(guān)電路工作原理

          • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時,VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號至VO;當(dāng)VC比V1足夠負,VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
          • 關(guān)鍵字: J-FET  開關(guān)電路  工作原理    
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          sic fet介紹

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