pc-dram 文章 最新資訊
微軟研發(fā)黑科技節(jié)電技術(shù) 欲大幅提高PC能耗表現(xiàn)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道稱，微軟日前表示，Windows10Insider最新的內(nèi)測(cè)版，會(huì)讓用戶幫忙測(cè)試一項(xiàng)全新節(jié)電功能。 消息稱，這一暫定名為“電源節(jié)流”(PowerThrottling)的功能不僅可以讓W(xué)indows10部分應(yīng)用能加高效的運(yùn)行，同時(shí)還可以讓用戶自主通過一個(gè)滑動(dòng)按鈕的方式選擇是讓應(yīng)用更加節(jié)能的運(yùn)行，還是以最高性能模式運(yùn)行。比如，如果用戶將這一按鈕滑到右側(cè)，就可以達(dá)到系統(tǒng)性能最大化，電源節(jié)流功能將被禁用。如果用戶將它滑到最左邊，則Windows系統(tǒng)的電池續(xù)航時(shí)間就越
- 關(guān)鍵字： 微軟 PC
力晶：大陸DRAM做不起來 5G時(shí)代存儲(chǔ)器會(huì)長缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲(chǔ)器，包括紫光長江存儲(chǔ)、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì)放緩，配合韓國2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢(shì)! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對(duì)10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
微軟研發(fā)黑科技節(jié)電技術(shù) 欲大幅提高PC能耗表現(xiàn)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道稱，微軟日前表示，Windows 10 Insider最新的內(nèi)測(cè)版，會(huì)讓用戶幫忙測(cè)試一項(xiàng)全新節(jié)電功能。 消息稱，這一暫定名為“電源節(jié)流”(Power Throttling)的功能不僅可以讓W(xué)indows 10部分應(yīng)用能加高效的運(yùn)行，同時(shí)還可以讓用戶自主通過一個(gè)滑動(dòng)按鈕的方式選擇是讓應(yīng)用更加節(jié)能的運(yùn)行，還是以最高性能模式運(yùn)行。比如，如果用戶將這一按鈕滑到右側(cè)，就可以達(dá)到系統(tǒng)性能最大化，電源節(jié)流功能將被禁用。如果用戶將它滑到最左邊，則Windows系統(tǒng)的電池續(xù)航
- 關(guān)鍵字： 微軟 PC
力晶：大陸DRAM做不起來 5G時(shí)代存儲(chǔ)器會(huì)長缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲(chǔ)器，包括紫光長江存儲(chǔ)、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì)放緩，配合韓國2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢(shì)! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對(duì)10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
三星制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖 15納米是制程微縮極限
- 三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒 etnews 18 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 三星從 20 納米制程(28→25&rar
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍(lán)圖、15nm是制程微縮極限？
- 三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒etnews 18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程(18&rarr
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
英特爾取消辦了20年的IDF大會(huì)：將不再以PC為中心
- 北京時(shí)間4月18日消息，英特爾宣布取消IDF( Intel Developer Forum)開發(fā)者大會(huì)。年初時(shí)，英特爾曾表示，今年不會(huì)在中國舉辦IDF，現(xiàn)在連舊金山IDF大會(huì)也取消了，原本大會(huì)計(jì)劃在8月舉行。 以前，英特爾會(huì)利用IDF大會(huì)推出新處理器架構(gòu)，同時(shí)推出其它一些重要產(chǎn)品，比如Optane非易失存儲(chǔ)設(shè)備。然而，英特爾遭遇的物理挑戰(zhàn)越來越大，每年更新架構(gòu)變得非常困難。引進(jìn)新制造流程時(shí)，英特爾已經(jīng)將時(shí)間推遲;展示新芯片設(shè)計(jì)的時(shí)間也已經(jīng)延后。 年初時(shí)英特爾曾經(jīng)說過，雖然中國大會(huì)取消，不過
- 關(guān)鍵字： 英特爾 PC
DDR4將首度超越DDR3 2017年占整體DRAM58%
- 第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM
機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過去的漲勢(shì)，開始出現(xiàn)下跌的情況。 Gart
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
IC Insights :DRAM價(jià)格下半年要下滑
- IC Insights 對(duì)DRAM后市提出示警，預(yù)期下半年隨著供給增加，產(chǎn)品價(jià)格恐將下滑，DRAM 市場(chǎng)無可避免將展開周期性修正。 IC Insighta 指出，DRAM 價(jià)格自 2016 年中以來快速走高，據(jù)統(tǒng)計(jì)，DRAM 平均售價(jià)已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達(dá)至 54%。 在產(chǎn)品價(jià)格大漲帶動(dòng)下，IC Insights 預(yù)估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達(dá) 573 億美元規(guī)模，將較去年成長達(dá) 39%。 IC Insight
- 關(guān)鍵字： DRAM
IDC：聯(lián)想三年來首次跌落PC市場(chǎng)首位 因北美遇挫
- 北京時(shí)間4月12日消息，根據(jù)IDC公布的報(bào)告顯示，一季度全球PC出貨量仍然增長乏力，不過惠普表現(xiàn)不錯(cuò)，它再次超過聯(lián)想成為全球最大的PC制造商。 一季度全球PC出貨總計(jì)達(dá)6030萬臺(tái)，同比增長0.6%。之前IDC曾預(yù)測(cè)一季度PC出貨量將會(huì)下滑1.8%，由此看來PC市場(chǎng)正在復(fù)蘇。自2012年一季度以來，這是PC季度出貨量第一次反彈。 2013年，聯(lián)想越超惠普成為第一大PC制造商，自此之后幾乎一直占據(jù)第一名的位置?；萜罩栽俅纬蔀轭I(lǐng)頭羊，主要是因?yàn)槿蚬P記本出貨量增長強(qiáng)勁。現(xiàn)在的問題在于惠普能
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)想 PC
高啟全：長江存儲(chǔ)自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
- 臺(tái)灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團(tuán)操盤存儲(chǔ)器大計(jì)劃超過1年，日前晉升長江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨(dú)家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會(huì)在技術(shù)開發(fā)具競爭力后才開始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時(shí)間會(huì)對(duì)長江存儲(chǔ)有利! 長江存儲(chǔ)計(jì)劃存儲(chǔ)器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲(chǔ)的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
- 關(guān)鍵字： 長江存儲(chǔ) DRAM
集邦咨詢：美光圍堵，無礙中國DRAM研發(fā)進(jìn)程
- 近日，有媒體報(bào)道美國存儲(chǔ)器大廠在臺(tái)灣地區(qū)采取司法手段其防止技術(shù)遭遇泄露，目標(biāo)是前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談。 市場(chǎng)更是傳出，美光這一行動(dòng)已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導(dǎo)致后者出資在聯(lián)電臺(tái)灣南科廠設(shè)置的試產(chǎn)線停產(chǎn)?！ 〔贿^，4月5日，聯(lián)電方面對(duì)外表示，確實(shí)有員工收到了訴訟通知，但只是個(gè)人行為，與公司無關(guān)。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術(shù)開發(fā)階段，尚無試產(chǎn)線，并無外傳試產(chǎn)線暫停的情況，其DRAM技術(shù)的研發(fā)計(jì)劃也將持續(xù)不變?！ 「鶕?jù)集邦咨詢觀察，近年來，中國
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
pc-dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條pc-dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)pc-dram的理解，并與今后在此搜索pc-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)pc-dram的理解，并與今后在此搜索pc-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
pc-dram相關(guān)帖子
pc-dram資料下載
pc-dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473