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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

          nand 閃存 文章 最新資訊

          128層閃存:中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

          • 長江存儲近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術,單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當前,整個閃存行業(yè)都在全面轉向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。在今天的第一季度財務會議期間,同樣來自韓國的SK海
          • 關鍵字: 閃存  SK海力士  長江存儲  

          長江存儲128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價

          • 從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價讓存儲廠商重新過上了好日子,想降價只能靠中國廠商了。上周國內(nèi)的長江存儲宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項世界第一,預計今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長江存儲的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
          • 關鍵字: 閃存  QLC閃存  長江存儲  

          長江存儲:128層3D NAND技術會按計劃在今年推出

          • 據(jù)證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,接下來,長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?!L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到,長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月,總
          • 關鍵字: 長江存儲  3D NAND  

          瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU, 可同時實現(xiàn)設備控制與網(wǎng)絡連接,適用于工業(yè)自動化設備

          • 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組,其單個芯片集成了設備控制與網(wǎng)絡連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核,具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道;RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設備領域,性能與功能的不斷升級導致程序代碼愈加龐大。因此,存儲容量和讀取速度是決定實時性能的關鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存,可達到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率,同時具備1
          • 關鍵字: 閃存  芯片  

          國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新:推進24nm閃存研發(fā)

          • 在NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報,去年營收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務,最主要的是NOR閃存,全球市場份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點,另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計出貨量超過100億顆,目前依然供不應求
          • 關鍵字: 國產(chǎn)  閃存  SLC  

          集邦咨詢:受新冠肺炎疫情擴大沖擊,NAND Flash均價可能提前于下半年反轉向下

          • 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動能格外疲弱,但在NAND Flash領域,因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長收斂至三成,加上各大供應商資本支出保守,第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
          • 關鍵字: 集邦咨詢  新冠肺炎  NAND Flash  

          紫光存儲解散?國產(chǎn)閃存、內(nèi)存市場人事地震:長江存儲、紫光存儲發(fā)聲

          • 今天國產(chǎn)的存儲芯片行業(yè)發(fā)生異動,傳聞紫光旗下的紫光存儲解散,相關人員要合并到長江存儲中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關報道。存儲芯片是近年來國產(chǎn)半導體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進口的內(nèi)存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導的幾家存儲公司是重點,尤其是長江存儲,去年首發(fā)量產(chǎn)了國產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲公司解散,未來重點轉向DRAM內(nèi)存,大部分員工正等著長江存儲挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對這一消息,紫光存儲方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認公司解散,但承認公司業(yè)務有所調整。紫光存儲表示
          • 關鍵字: 內(nèi)存  閃存  長江存儲  

          三星量產(chǎn)512GB UFS 3.1手機閃存

          • 三星近日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片,其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s,是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
          • 關鍵字: 三星  512GB  閃存  

          2000億大基金二期3月底開始投資 國產(chǎn)3D閃存仍是重點

          • 為了扶植半導體發(fā)展,多部門推動成立了“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經(jīng)完成,二期大基金規(guī)模高達2041億元,今年3月份將開始實質投資。此前,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經(jīng)投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計有效投資項目達到70個左右。據(jù)報道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、中、下游各個環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導體制造,包括
          • 關鍵字: 閃存  基金  長江存儲  

          華邦電進軍車用、工業(yè)領域

          • 存儲器大廠華邦電近日宣布,開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別,提供車用與工業(yè)應用領域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
          • 關鍵字: 華邦電  NAND Flash  車用與工業(yè)應用領域  

          存儲器行業(yè)的冰與火之歌:凜冬是否已經(jīng)結束 ?

          • 據(jù)IDC預測,2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量,半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人,SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說,2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%,達4197.2億美元,存儲器的
          • 關鍵字: 存儲器、NAND、DRAM  

          美光3D XPoint存儲芯片量產(chǎn) 分析師:不影響Intel

          • 3D閃存在2020年將全面升級到100+層堆棧,128層會是很多廠商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤的容量會進一步增加,同時降低成本。不過新一代閃存的問題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當年反感TLC閃存一樣。有沒有性能更強、可靠性更高的存儲芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯(lián)合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲芯片,基于PCM相變存儲技術,原理跟NAND閃存就不同,所以當時Intel、美光宣稱它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
          • 關鍵字: 閃存  QLC閃存  

          要漲價嗎?內(nèi)存、閃存上游成交價持續(xù)上漲

          • 半導體行業(yè)因為種種原因,非常容易收到外來因素的影響。近日根據(jù)調查數(shù)據(jù)顯示,在剛過去的1月份,內(nèi)存和閃存芯片在上游的交易價均有一定幅度的上漲。其中,8Gb(1GB)DDR4-2133 PC內(nèi)存內(nèi)存環(huán)比上漲1.07%,均價來到2.84美元,128Gb MLC閃存顆粒價格環(huán)比上漲3.17%,均價來到4.56美元。
          • 關鍵字: 內(nèi)存  閃存  

          國內(nèi)內(nèi)存、閃存工廠生產(chǎn)正常Q1合約價小幅上漲

          • 集邦科技旗下下半導體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報告,稱國內(nèi)的內(nèi)存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產(chǎn)的跡象,生產(chǎn)情況正常,而且Q1季度的合約價已經(jīng)談完了,預計會小幅上漲。國內(nèi)的存儲芯片工廠主要分為海外投資及自主國產(chǎn)兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士內(nèi)存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠離武漢,正常生產(chǎn)沒有受到影響。國產(chǎn)的存儲芯片工廠中,合肥長鑫的內(nèi)存工廠、福建晉華的內(nèi)存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長江存儲是在武漢的,不過
          • 關鍵字: 內(nèi)存,閃存  

          長江存儲:保障員工健康第一 國產(chǎn)閃存生產(chǎn)有序進行

          • 武漢的疫情不僅影響了很多人的正常生活,也對武漢的一些企業(yè)帶來考驗,國內(nèi)有60多家上市公司位于武漢,小米、京東方、天馬等公司都在武漢有生產(chǎn)基地。關心國產(chǎn)閃存的玩家也應該知道長江存儲總部也在武漢,該公司日前回應稱國產(chǎn)閃存生產(chǎn)有序進行,公司會將員工健康作為第一事項考慮。長江存儲表示,始終堅持“人員安全第一”原則,嚴格按照政府規(guī)定保障員工的安全,延緩外地員工的返崗時間,并在條件允許的情況下鼓勵遠程辦公,對在崗員工做好防疫宣傳,發(fā)放口罩,體溫檢測,加強消毒,動線隔離等工作。對于原材料供應和物流方面,目前長江存儲公司
          • 關鍵字: 閃存  長江存儲  
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          nand 閃存介紹

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