mosfet 文章 最新資訊
尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
- 0 引言 近幾年，隨著電子消費產品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關損耗及較快的開關速度，被廣泛地應用在低壓功率領域。 低壓TMOS的導通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導通電阻，同時不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
- 關鍵字： MOSFET
中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點
- 在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產品。 從應用領域上看，消費電子領域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計算機領域銷售額位于第三位。這三大領域銷售額占整體市場的68.9%，是功率器件的重要應用市場。同時，憑借筆記本電腦
- 關鍵字： MOSFET 功率晶體管 消費電子 IC LDO 液晶電視
Micrel推出兩款新型同步降壓調節(jié)器
- 麥克雷爾公司 （Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM） 同步降壓調節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項在 MIC23030/1 中實施的專利架構能為便攜式產品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調節(jié)器內置 MOSFET，可在一個1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R） 封裝中提供高達4億安的輸出電流，而損耗量僅為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load（TM） 降壓調節(jié)器能夠實現(xiàn)高達93
- 關鍵字： 麥克雷爾 Micrel 降壓調節(jié)器 MOSFET
基于場效應管的直流電機驅動控制電路設計
- 1 引言 長期以來，直流電機以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點成為大多數(shù)變速運動控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計算機在控制領域，高開關頻率、全控型第二代電力半導體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展，以及脈寬調制(PWM)直流調速技術的應用，直流電機得到廣泛應用。為適應小型直流電機的使用需求，各半導體廠商推出了直流電機控制專用集成電路，構成基于微處理器控制的直流電機伺服系統(tǒng)。但是，專用集成電路構成的直流電機驅動器的輸出功率有限，不適合大功率直流電機驅動需求
- 關鍵字： 直流電機 驅動 PWM MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]
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