2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅(qū)動、LED驅(qū)動器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。

　　這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOSFET，提供較低的導(dǎo)通阻抗(RDS(on))，將功率耗散降到最低。這些器件更提供低門電荷和低門電荷比，降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。所有這些性能特性，使電源子系統(tǒng)能效更高。

　　安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“這些新的中等電壓器件，壯大了安森美半導(dǎo)體優(yōu)異的、配合市場需要的功率MOSFET陣容。我們計劃持續(xù)推出針對市場應(yīng)用的MOSFET解決方案，滿足我們消費和工業(yè)應(yīng)用的擴大客戶需求，強化安森美半導(dǎo)體高能效電源開關(guān)解決方案供應(yīng)商的業(yè)界領(lǐng)先地位。”

　　器件 

　　這些器件提供寬的規(guī)范點范圍，讓設(shè)計人員能夠靈活地選擇采用DPAK、D2PAK和TO-220封裝的最優(yōu)導(dǎo)通阻抗(RDS(on))和門電荷組合。

器件型號
封裝
VDS (V)
ID (A)
Rdson (mΩ) @ 10 V
Qg (typ) (nc)
EAS (mJ)
NTB5411N
D2PAK
60
75
8.5
92
336
NTP5411N
TO-220
60
75
8.5
92
336
NTB5412N
D2PAK
60
60
14
62
211
NTP5412N
TO-220
60
60
14
62
211
NTB5426N
D2PAK
60
120
5
170
1000
NTP5426N
TO-220
60
120
5
170
1000
NTD5413N
DPAK
60
45
21
33
101
NTD5414N
DPAK
60
20
37.5
21.2
57.8

　　所有這些器件都符合RoHS指令要求，并采用無鉛封裝。

　　現(xiàn)已提供樣品和生產(chǎn)數(shù)量。根據(jù)不同器件，制造商建議零售價介于0.60美元至1.75美元之間。

　　有關(guān)安森美半導(dǎo)體提供的這些中等電壓功率MOSFET器件的更多信息請訪問http://www.onsemi.com.cn 或聯(lián)系George Riehm(電郵：george.riehm@onsemi.com)。

　　關(guān)于安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強大的產(chǎn)品系列，是電源、汽車、通信、計算機、消費產(chǎn)品、醫(yī)療、工業(yè)、手機和軍事/航空等市場客戶之首選高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源、模擬、數(shù)字信號處理器(DSP)、混合信號、先進邏輯、時鐘管理、非易失性存儲器和標(biāo)準(zhǔn)元器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。欲查詢公司詳情，請瀏覽安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站：www.onsemi.com.cn。