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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍，讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多
- 關(guān)鍵字： ASML Hyper-NA EUV 光刻機(jī) 臺(tái)積電 三星 英特爾
臺(tái)積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機(jī)競(jìng)賽提前打響？
- 5月26日，臺(tái)積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺(tái)北站”的活動(dòng)，臺(tái)積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國(guó)迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來(lái)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 ASML High-NA EUV 光刻機(jī)
High-NA EUV光刻機(jī)入場(chǎng)，究竟有多強(qiáng)？
- 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來(lái)的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長(zhǎng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺(tái)，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
- 關(guān)鍵字： High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關(guān)鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機(jī) High-NA
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下，臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因，臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場(chǎng)
- 據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì)在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
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搭載恩智浦S32G3的廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車展
- 日前，廣汽埃安全新高端純電豪華品牌系列車型Hyper GT在2023上海車展正式亮相。仿佛穿越未來(lái)世界而來(lái)，Hyper GT擁有的不僅是科幻旋翼的炫酷金屬外觀，更具有智能硬核內(nèi)在：新車基于廣汽AEP 3.0平臺(tái)打造，采用全新一代星靈電子電氣架構(gòu)，更值得一提的是，Hyper GT也是全球首款采用恩智浦最新一代S32G3汽車處理器作為其中央計(jì)算單元處理器的車型。 廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車展（圖片來(lái)源：廣汽埃安） 星靈架構(gòu)是廣汽推出的全新一代 “車云一體化集中計(jì)算式電子電氣
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拆解報(bào)告：HYPER JUICE 100W 3C1A氮化鎵快充充電器HJ417
- 海外知名充電配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上眾籌了一款全新的100W快充充電器。這款產(chǎn)品基于納微GaNFast氮化鎵功率芯片，采用堆疊設(shè)計(jì)思路，不僅支持自帶可折疊的插腳，而且還集成了一個(gè)AC插口，在使用時(shí)，不會(huì)占用兩孔插座，并支持最多16款充電器堆疊使用?！ 』氐匠潆姳旧硪彩穷H有亮點(diǎn)，配備了3C1A四個(gè)輸出接口，可同時(shí)滿足四臺(tái)電子設(shè)備的充電需求；在單口輸出時(shí)，C口支持盲插輸出100W。同時(shí)借助氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了小巧的外形尺寸，出門攜帶比較方便?！ ￡P(guān)于這款產(chǎn)品的性能，充電
- 關(guān)鍵字： HYPER JUICE 氮化鎵 充電器
基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移
- 航空氣象要素對(duì)飛行安全的影響越來(lái)越大，氣象探測(cè)設(shè)備的重要性也越來(lái)越高。成陽(yáng)國(guó)際機(jī)場(chǎng)配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?；诒Ｕ巷L(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過(guò)Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
- 關(guān)鍵字： 故障轉(zhuǎn)移集群 Hyper-V 風(fēng)廓線雷達(dá) 平均故障修復(fù)時(shí)間
尼康NA超過(guò)1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開(kāi)口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設(shè)備。 這家大型半導(dǎo)體廠商的名字，尼康沒(méi)有公布，估計(jì)是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。 作為全折射型液浸曝光設(shè)備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對(duì)于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問(wèn)題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
- 關(guān)鍵字： NA 尼康 嵌入式系統(tǒng)
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