high-speed 文章最新資訊

英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？

HIGH NA 無疑是打贏下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)？

英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。相較之下，臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因，臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對(duì)HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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拆解報(bào)告：MOVE SPEED移速20W小精靈快充

　　MOVE SPEED移速近期推出了一款20W PD快充迷你充電器，型號(hào)為YSFCP101-20W，還為其取了個(gè)很好聽的名字——小精靈。這款產(chǎn)品支持QC、PD以及PPS等快充協(xié)議，可以滿足iPhone 12手機(jī)全速快充需求，對(duì)其它品牌安卓機(jī)也有很好的兼容性，下面充電頭網(wǎng)就對(duì)其進(jìn)行拆解，看看用料做工如何。一、移速20W小精靈快充外觀　　包裝盒藍(lán)白配色，正面印有品牌、充電器外觀圖、名稱以及20W、CCC認(rèn)證標(biāo)識(shí)等?！　”趁嬗∮猩碳倚畔ⅰ！　?cè)面印有充電器參數(shù)。　　另一側(cè)面印有產(chǎn)品四大特性標(biāo)識(shí)?！　“b內(nèi)含充
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基于LEON3處理器和Speed協(xié)處理器的復(fù)雜SoC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

　　前言　　隨著科技的發(fā)展，信號(hào)處理系統(tǒng)不僅要求多功能、高性能，而且要求信號(hào)處理系統(tǒng)的開發(fā)、生產(chǎn)周期短，可編程式專用處理器無疑是實(shí)現(xiàn)此目的的最好途徑?？删幊虒Ｓ锰幚砥骺煞譃樗神詈鲜?協(xié)處理器方式，即MCU+協(xié)處理器)和緊耦合式(專用指令方式，即ASIP)，前者較后者易于實(shí)現(xiàn)，應(yīng)用較廣。本文就是介紹一款松耦合式可編程專用復(fù)雜SoC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，選用LEON3處理器作為MCU，Speed處理器作為Coprocessor。　　LEON3及Speed 　　LEON3是由歐洲航天總局旗下的Gaisler Re
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High-end A4監(jiān)聽音箱的制作

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
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High-end A4監(jiān)聽音箱的制作方法

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
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安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設(shè)計(jì)套件

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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如何制作High-end A4監(jiān)聽音箱

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝knmiddot;f33middot;VB
上式中，k
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Derive simple high-current source from lab sup

Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
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制作High-end A4監(jiān)聽音箱的方法

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝kn?f33?VB
上式中，kn是箱體系數(shù)，
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IBM公司介紹新款多功能處理器Wire-Speed Power

　　在近日舉辦的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)ISSCC上，IBM公司介紹了一種定位介于服務(wù)器處理器和網(wǎng)絡(luò)用處理器之間的新型處理器，他們將這種處理器命名為 Wire-Speed Power處理器，這種處理器據(jù)IBM公司稱是面向新的系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)推出的，其應(yīng)用領(lǐng)域包括網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備，服務(wù)器智能化I/O以及分布式運(yùn)算等。　　IBM公司負(fù)責(zé)wire-speed架構(gòu)設(shè)計(jì)的首席設(shè)計(jì)師Charlie Johnson表示：“我認(rèn)為這款產(chǎn)品是IBM有史以來開發(fā)的最復(fù)雜的產(chǎn)品。”IBM方面展示的有關(guān)介紹文件稱
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半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)拮據(jù)　聯(lián)盟關(guān)系將成救星

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機(jī)。不過該機(jī)構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。　　缺乏適當(dāng)?shù)耐顿Y將導(dǎo)致技術(shù)藍(lán)圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備;在目前營(yíng)收低迷的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正面臨著如此的危機(jī)點(diǎn)。不過Freeman卻認(rèn)為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營(yíng)收減少對(duì)研發(fā)所帶來的沖擊。　　Fr
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基于LEON3處理器和Speed協(xié)處理器的復(fù)雜SoC設(shè)計(jì)

　　前言　　隨著科技的發(fā)展，信號(hào)處理系統(tǒng)不僅要求多功能、高性能，而且要求信號(hào)處理系統(tǒng)的開發(fā)、生產(chǎn)周期短，可編程式專用處理器無疑是實(shí)現(xiàn)此目的的最好途徑?？删幊虒Ｓ锰幚砥骺煞譃樗神詈鲜?協(xié)處理器方式，即MCU
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臺(tái)灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家臺(tái)灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對(duì)最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對(duì)進(jìn)階節(jié)點(diǎn)開發(fā)計(jì)劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。　　納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)成功的high-K制程
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