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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)
- 在高速信號處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DDR SDRAM
利用FPGA解決TMS320C54K與SDRAM的接口問題
- 在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中，需要大量外擴(kuò)存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中，為了將現(xiàn)場拍攝的諸多圖...
- 關(guān)鍵字： FPGA TMS320C54K SDRAM
爾必達(dá)采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開始供貨
- 爾必達(dá)存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) SDRAM
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