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我國(guó)研發(fā)的世界最高分辨率CMOS圖像傳感器亮相高交會(huì)

　　長(zhǎng)久以來(lái)，我國(guó)用于高端光學(xué)成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召開(kāi)的第十七屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(高交會(huì))上，由我國(guó)研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率，打破了我國(guó)一直以來(lái)都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。　　圖像傳感器可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，是所有成像設(shè)備中的核心關(guān)鍵器件。其光電參數(shù)直接決定了成像設(shè)備的成像質(zhì)量。今天亮相的GMAX3005擁有著1.5億像素的超高分辨率，成像速
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器

關(guān)于運(yùn)放的參數(shù)和選擇

　　本文講述運(yùn)放的參數(shù)和選擇方面的知識(shí)，希望對(duì)有需要的讀者有幫助。　　偏置電壓和輸入偏置電流　　在精密電路設(shè)計(jì)中，偏置電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。對(duì)于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù)，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測(cè)定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。　　低偏置電壓的指標(biāo)在高增益電路設(shè)計(jì)中很重要，因?yàn)槠秒妷航?jīng)過(guò)放大可能引起大電壓輸出，并會(huì)占據(jù)輸出擺幅的一大部分。溫度感應(yīng)和張力測(cè)
關(guān)鍵字：運(yùn)放 CMOS

東芝正式宣布半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革計(jì)劃

　　東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點(diǎn)。　　第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠的300mm晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓給索尼。完成轉(zhuǎn)讓后，該工廠將成為索尼全資子公司——索尼半導(dǎo)體(SCK)的生產(chǎn)基地之一，主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。　　另外，利用300mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著300mm晶圓生產(chǎn)線轉(zhuǎn)讓?zhuān)c之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
關(guān)鍵字：東芝 CMOS

IMT和北京大學(xué)微電子學(xué)研究院攜手加快MEMS技術(shù)在中國(guó)和美國(guó)的發(fā)展

　　美國(guó)最大的純MEMS技術(shù)和制造服務(wù)提供商IMT公司(Innovative Micro Technology)日前宣布，公司已與北京大學(xué)微電子學(xué)研究院簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。該協(xié)議著眼于為兩個(gè)組織在技術(shù)開(kāi)發(fā)和MEMS器件制造等領(lǐng)域內(nèi)構(gòu)建合作框架，并以此促進(jìn)北京大學(xué)微電子學(xué)研究院的在校本科生和研究生潛心于研究MEMS技術(shù)。　　微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件用于為當(dāng)今的電子產(chǎn)品創(chuàng)造對(duì)接“真實(shí)世界”的各種傳感器件。這些傳感器件通?？梢?jiàn)于我們?nèi)粘Ｉ钪兴褂玫母鞣N電子產(chǎn)品之中，如智能手機(jī)、
關(guān)鍵字：微電子 MEMS

IMT和北京大學(xué)微電子學(xué)研究院攜手加快MEMS技術(shù)在中國(guó)和美國(guó)的發(fā)展

　　美國(guó)最大的純MEMS技術(shù)和制造服務(wù)提供商IMT公司(Innovative Micro Technology)日前自豪地宣布：公司已與北京大學(xué)微電子學(xué)研究院簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。該協(xié)議著眼于為兩個(gè)組織在技術(shù)開(kāi)發(fā)和MEMS器件制造等領(lǐng)域內(nèi)構(gòu)建合作框架，并以此促進(jìn)北京大學(xué)微電子學(xué)研究院的在校本科生和研究生潛心于研究MEMS技術(shù)。　　微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件用于為當(dāng)今的電子產(chǎn)品創(chuàng)造對(duì)接“真實(shí)世界”的各種傳感器件。這些傳感器件通?？梢?jiàn)于我們?nèi)粘Ｉ钪兴褂玫母鞣N電子產(chǎn)品之中，如智能
關(guān)鍵字： MEMS

創(chuàng)新：MEMS行業(yè)與生俱來(lái)的能力

　　回顧微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)的初始發(fā)展，MEMS已經(jīng)走過(guò)了很長(zhǎng)的一段道路。20世紀(jì)80年代，人類(lèi)進(jìn)入了信息時(shí)代，在那個(gè)時(shí)代，信息和數(shù)據(jù)的處理成為PC個(gè)人計(jì)算機(jī)以及之后的膝上型計(jì)算機(jī)發(fā)展中的重點(diǎn)?！　∽?000年起，進(jìn)入了傳感和與廣泛傳播的MEMS和傳感器交互的時(shí)代，那個(gè)時(shí)代使我們能夠更好、更安全地感知和理解環(huán)境?！　〗裉欤琈EMS已發(fā)展成為一個(gè)近150億套容量的市場(chǎng)(數(shù)據(jù)來(lái)源：MEMS行業(yè)發(fā)展?fàn)顟B(tài)，Yole Development公司，2015年7月)。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2020年，這個(gè)市場(chǎng)將會(huì)增長(zhǎng)
關(guān)鍵字： MEMS 壓力傳感器樓氏 201511

ADI攜MEMS與無(wú)線通信“利器”助物聯(lián)網(wǎng)升級(jí)

　　萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)的概念從理論到實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了人們生活的智能化突破。由物聯(lián)網(wǎng)帶起的新型信息化與傳統(tǒng)領(lǐng)域的深度融合，為市場(chǎng)帶來(lái)了不可小覷的變化。以用戶體驗(yàn)為核心的應(yīng)用創(chuàng)新是物聯(lián)網(wǎng)現(xiàn)階段發(fā)展的趨勢(shì)。在創(chuàng)新2.0的大背景下，物聯(lián)網(wǎng)為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了機(jī)遇。而這其中，IOT傳感器與無(wú)線通信技術(shù)是物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)新突破的核心與基石。　　2015年10月，科技行業(yè)分析公司Linley Group預(yù)測(cè)，到2020年，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)將超過(guò)19億臺(tái)。其中，Linley Group創(chuàng)始人林利•格文納普(Linl
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) MEMS

最簡(jiǎn)單的上下拉的問(wèn)題

　　本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問(wèn)題。　　重要信號(hào)線的上下拉問(wèn)題　　一般說(shuō)來(lái)，不光是重要的信號(hào)線，只要信號(hào)在一段時(shí)間內(nèi)可能出于無(wú)驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，就需要處理。　　比如說(shuō)，一個(gè)CMOS門(mén)的輸入端阻抗很高，沒(méi)有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至?xí)?dǎo)致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導(dǎo)致器件失效。祈禱輸入的保護(hù)二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導(dǎo)通，對(duì)器件壽命造成影響。　　總線上當(dāng)所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現(xiàn)。因?yàn)檫@時(shí)讀寫(xiě)控制
關(guān)鍵字： CMOS TTL

中國(guó)借力美國(guó)矽谷“超越摩爾定律”

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)因?yàn)閯?chuàng)投社群對(duì)硬件開(kāi)發(fā)領(lǐng)域興趣缺缺而沮喪了好長(zhǎng)一段時(shí)間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
關(guān)鍵字：摩爾定律 CMOS

Sony欲強(qiáng)化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購(gòu)可能

　　Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機(jī)α7R II后，將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬(wàn)提高至4，240萬(wàn)，同時(shí)加強(qiáng)自動(dòng)對(duì)焦(AF)與防手震功能。　　日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，該相機(jī)并有399個(gè)相位對(duì)焦點(diǎn)、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達(dá)ISO 102，400，結(jié)合了高解析、高感光及高速對(duì)焦的機(jī)種，實(shí)際售價(jià)約45.1萬(wàn)日?qǐng)A(約3，800美
關(guān)鍵字： Sony CMOS

一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

　　在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。　　傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。　　基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.
關(guān)鍵字： DC-DC CMOS

艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

　　全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專(zhuān)業(yè)制程平臺(tái)?；谠摳邏褐瞥唐脚_(tái)的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。　　新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對(duì)20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化，顯著降低了導(dǎo)通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
關(guān)鍵字：艾邁斯 CMOS

意法半導(dǎo)體：MEMS擁有太極一兩面性麥克風(fēng)市場(chǎng)潛力大

　　日前，已經(jīng)在手機(jī)傳感器和消費(fèi)類(lèi)傳感器市場(chǎng)走在全球前列的意法半導(dǎo)體，對(duì)于下一步的發(fā)展有著怎樣的打算，這家公司又是如何看待物聯(lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備市場(chǎng)呢? 　　日前ST執(zhí)行副總裁兼模擬器件MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedetto Vigna在接受飛象網(wǎng)記者采訪時(shí)表示：“MEMS擁有太極一樣的兩面性，即傳感器和推進(jìn)器。但是不局限在傳感器和推進(jìn)器，ST還在其他器件研發(fā)方面擁有較好的發(fā)展，面對(duì)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，較之可穿戴設(shè)備，ST更看重智能家居和智能城市對(duì)MEMS市場(chǎng)的推動(dòng)，同時(shí)堅(jiān)持麥克風(fēng)市場(chǎng)不動(dòng)搖
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MEMS市場(chǎng)需求蓬勃　軟、硬件業(yè)者聯(lián)手打造生態(tài)系

　　微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)正隨各種創(chuàng)新應(yīng)用而持續(xù)成長(zhǎng)當(dāng)中。MEMS裝置經(jīng)過(guò)高度專(zhuān)業(yè)化過(guò)程制造，根據(jù)不同裝置型態(tài)需求而客制化，不過(guò)，由于MEMS制程選擇繁多，生產(chǎn)成本也因此提高，且市時(shí)程安排也更為費(fèi)時(shí)。　　據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，以目前趨勢(shì)來(lái)看，市場(chǎng)逐漸將MEMS裝置導(dǎo)入CMOS IC量產(chǎn)制程，因此，MEMS產(chǎn)品元件也面臨縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間、降低成本、符合繁復(fù)效能與穩(wěn)定性需求等挑戰(zhàn)。　　MEMS裝置尺寸一般介于20微米(micrometer)至1毫米(millimeter)之間，MEMS子元件則在
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使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題：　　1、電源問(wèn)題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路