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體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業(yè)設備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
- 關鍵字： ROHM SiC MOSFET
英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度
- ●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
- 關鍵字： 英飛凌 羅姆 ROHM SiC功率器件 SiC
羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升用戶在設計與采購環(huán)節(jié)的便利性。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter
- 關鍵字： 羅姆 英飛凌 SiC
175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無懼高溫工況
- 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD） 或接地故障斷路器（GFCI） 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍被廣泛應用。與早期的熔斷器設計相比，斷路器具有顯著優(yōu)勢 ——可重復使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導體技術的發(fā)展，固態(tài)斷路器正占據(jù)更大的市場份額。與硅基半導體相比，寬禁帶半導體開關在正常運行期間具有更低的通態(tài)損耗和更高的效率
- 關鍵字： 安森美 SiC JFET 固態(tài)斷路器
SiC推動電動汽車向800V架構轉型，細數(shù)安森美的核心SiC方案
- 隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創(chuàng)新，更要深入動力系統(tǒng)架構展開革新。而推動這一演進的關鍵趨勢之一，便是電池系統(tǒng)從400V向800V（乃至1200V）的升級。這種轉變能實現(xiàn)充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時也帶來了新的設計挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
- 關鍵字： 安森美 SiC 電動汽車 800V
SiC和GaN技術重塑電力電子行業(yè)前景
- 電力電子行業(yè)將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩(wěn)步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現(xiàn)碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設備被用于這些系統(tǒng)，以實現(xiàn)高效的能源轉換、電網(wǎng)集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現(xiàn)在對高性能
- 關鍵字： SiC GaN 電力電子
東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
- 中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
- 關鍵字： 東芝 SiC MOSFET
東芝與天岳先進達成SiC功率半導體襯底合作協(xié)議
- 據(jù)“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協(xié)議。雙方將在技術協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩(wěn)定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節(jié)展開進一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發(fā)與制造經(jīng)驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發(fā)。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導
- 關鍵字： 東芝 天岳先進 SiC 功率半導體襯底
SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解
- 電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項優(yōu)勢。比如僅需 1 臺帶前
- 關鍵字： 202509 SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
第三代半導體洗牌GaN躍居主角
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
- 關鍵字： 第三代半導體 GaN 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 SiC
Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來
- 隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構建更可持續(xù)的未來。Microchip負責高功
- 關鍵字： Microchip 臺達 碳化硅 SiC 電源管理
650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰(zhàn)
- 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質因數(shù)提高了 50%，而輸出品質因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
- 關鍵字： 650V GaN 器件 高功率應用 SiC
香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準
- 6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設施。項目總預算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計劃」資助。這筆資金預計將大大提升香港的先進半導體制造能力，并加速其在寬禁帶半導體領域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
- 關鍵字： 香港 8英寸 SiC 晶圓廠
基于SiC的熔絲保護高壓電氣系統(tǒng)
- 在減少排放和實現(xiàn)凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續(xù)發(fā)展應用中發(fā)揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統(tǒng)，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸?shù)焦收县撦d的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。傳統(tǒng)電路
- 關鍵字： SiC 熔絲保護
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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