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在LTspice仿真中使用GaN FET模型
- 近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進行了優(yōu)化。借助
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GaN成AI服務(wù)器電源芯片競爭焦點，未來應(yīng)用潛力巨大
- 據(jù)相關(guān)報道，隨著NVIDIA宣布AI服務(wù)器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領(lǐng)域迎來了新的技術(shù)競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關(guān)注的核心。近年來，多家企業(yè)積極投入GaN技術(shù)的研發(fā)，使其應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)的消費性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領(lǐng)域仍占據(jù)主導地位，但其在車用功率模塊和AI服務(wù)器中的表現(xiàn)也日益受到重視。部分廠商甚至已開發(fā)出適用于1,000V以上環(huán)境的GaN技術(shù)，展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統(tǒng)矽材料整合，這
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體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
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Imec推出300mm GaN計劃以驅(qū)動下一代功率器件
- Imec 啟動了一項新的開放式創(chuàng)新計劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術(shù)。該計劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時降低制造成本，標志著功率半導體行業(yè)向前邁出了重要一步。對于eeNews Europe的讀者來說，尤其是電力電子、半導體和代工生態(tài)系統(tǒng)的讀者，這一發(fā)展凸顯了向300毫米氮化鎵晶圓加工的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變，這可能會加速氮化鎵在汽車、數(shù)據(jù)中心和可再生能源應(yīng)用中的采用。將氮化鎵擴展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 計劃是 imec GaN
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納芯微攜手聯(lián)合電子與英諾賽科，共創(chuàng)新能源汽車功率電子新格局
- 2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品。全新開發(fā)的智能GaN產(chǎn)品將依托三方技術(shù)積淀，提供更可靠的驅(qū)動及GaN保護集成方案，進一步提升系統(tǒng)功率密度。三方還將協(xié)同推動相關(guān)解決方案的產(chǎn)業(yè)化落地，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價值提升。簽約儀式現(xiàn)場合影見證代表：圖中：聯(lián)合電子副總經(jīng)理 郭曉
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英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度
- ●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)品的客戶提供第二供應(yīng)商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
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羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應(yīng)用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升用戶在設(shè)計與采購環(huán)節(jié)的便利性。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter
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175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無懼高溫工況
- 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD） 或接地故障斷路器（GFCI） 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設(shè)計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍被廣泛應(yīng)用。與早期的熔斷器設(shè)計相比，斷路器具有顯著優(yōu)勢 ——可重復使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導體技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)斷路器正占據(jù)更大的市場份額。與硅基半導體相比，寬禁帶半導體開關(guān)在正常運行期間具有更低的通態(tài)損耗和更高的效率
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SiC推動電動汽車向800V架構(gòu)轉(zhuǎn)型，細數(shù)安森美的核心SiC方案
- 隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創(chuàng)新，更要深入動力系統(tǒng)架構(gòu)展開革新。而推動這一演進的關(guān)鍵趨勢之一，便是電池系統(tǒng)從400V向800V（乃至1200V）的升級。這種轉(zhuǎn)變能實現(xiàn)充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時也帶來了新的設(shè)計挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
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技術(shù)干貨 | 采用 GaN 的 Cyclo 轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計
- 摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長，部分原因是人們對更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產(chǎn)品將微型逆變器與小型電池儲能系統(tǒng)結(jié)合在一起），這兩種技術(shù)的普及率可能會進一步提升。本技術(shù)文章概述了一種新型單級轉(zhuǎn)換器（稱為“cyclo 轉(zhuǎn)換器”），它使微型逆變器和便攜式電源的實施更加高效，體積更小，同時還降低了成本。簡介微型逆變器中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常采用兩級式設(shè)計，如圖 1 所示。圖 1：微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），
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SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景
- 電力電子行業(yè)將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術(shù)的需求穩(wěn)步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關(guān)聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現(xiàn)碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內(nèi)的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設(shè)備被用于這些系統(tǒng)，以實現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換、電網(wǎng)集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現(xiàn)在對高性能
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無需鉗位電路實現(xiàn)動態(tài)導通電阻RDS(on)的測量技術(shù)
- _____動態(tài)導通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測量技術(shù)的知識體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動態(tài)RDS(on)測量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏源電壓，而不會使示波器輸入過載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測試（WBG-DPT）測量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨特的雙探頭技術(shù)，無需使用鉗位電路。測量動態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)動態(tài)RDS(on)是指FET在開關(guān)過程中導通時，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
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GaN市場，蓄勢待發(fā)
- GaN 是近日半導體市場的熱點詞匯之一。
- 關(guān)鍵字： GaN
東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
- 中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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