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德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

新聞亮點(diǎn)：新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，助力設(shè)計(jì)人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢(shì)以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長(zhǎng)的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性
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Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計(jì)人員在應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢(shì)，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時(shí)，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對(duì)于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
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芯向未來，2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)成功舉辦

3月14日，?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會(huì)匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了精彩探討，首次在國內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并解讀最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入新動(dòng)能，助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機(jī)。2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
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GaN HEMT為開關(guān)應(yīng)用帶來低噪聲功率

氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時(shí)結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)結(jié)或 MOSFET。這些獨(dú)特的器件在微波射頻（RF）應(yīng)用中表現(xiàn)出色。來自 n 型區(qū)域的電子穿過晶格，許多電子保持在異質(zhì)結(jié)附近（異質(zhì)結(jié)是指通過兩個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開關(guān)能量（Esw）是在硬開關(guān)條
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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)

無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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基于GaN的汽車應(yīng)用的最新進(jìn)展是什么？

電動(dòng)汽車（EV）越來越受歡迎，因?yàn)榫鞯南M(fèi)者，尤其是在加利福尼亞州，認(rèn)識(shí)到出色的加速性能的優(yōu)勢(shì)，例如，當(dāng)紅綠燈變綠時(shí)，汽油動(dòng)力汽車可能會(huì)被塵土甩砸。這是因?yàn)殡妱?dòng)機(jī)在駕駛員踩下油門的那一刻就會(huì)產(chǎn)生峰值扭矩。然而，與內(nèi)燃機(jī) （ICE）汽車相比，電動(dòng)汽車的主要?jiǎng)訖C(jī)是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器（OBC）完全能夠?yàn)閬碜越涣麟娋W(wǎng)的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級(jí)和 2 級(jí)交流充電站之一，這些充電站出現(xiàn)在停車場(chǎng)、家庭、公司、購
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氮化鎵（GaN）賦能D類音頻放大器的未來

了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術(shù)應(yīng)用于D類音頻放大器，可以提高信號(hào)保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強(qiáng)大、沉浸式聲音的核心設(shè)備。這些設(shè)備將低功率音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為豐富、高功率的輸出，從而驅(qū)動(dòng)從便攜式揚(yáng)聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設(shè)備。在過去十年中出現(xiàn)的各種放大器設(shè)計(jì)中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術(shù)主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當(dāng)前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
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GaN功率FET及背后柵極驅(qū)動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用

氮化鎵（GaN）功率器件因其超快的開關(guān)速度和有限的寄生效應(yīng)而成為 LiDAR 傳感器的核心構(gòu)建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現(xiàn)高峰值電流。為了迎來自動(dòng)駕駛汽車的未來，必須在車輛系統(tǒng)內(nèi)使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測(cè)自動(dòng)駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測(cè)和測(cè)距的縮寫，它從激光射出光并測(cè)量場(chǎng)景中的反射，有點(diǎn)像基于光的雷達(dá)。車輛的車載計(jì)算機(jī)可以使用這些數(shù)據(jù)來解釋汽車與周圍環(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非?？焖俚拈_關(guān)，該開關(guān)為
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第16講：SiC SBD的特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）是一種利用金屬和半導(dǎo)體接觸，在接觸處形成勢(shì)壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導(dǎo)體器件的擊穿電壓與半導(dǎo)體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對(duì)柵極施加負(fù)電壓。對(duì)于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://yuyingmama.com.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://yuyingmama.com.cn/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測(cè)試結(jié)果。演
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碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術(shù)在過去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅（Si）等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料一直主導(dǎo)著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現(xiàn)徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導(dǎo)體器件的下一代半導(dǎo)體材料。硅與
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