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	ddr3-2133
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          ddr3-2133 文章
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          芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務
          
                                                            
            
                    	
          • 上半年，時至過半?；仡欉@半年的半導體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領域。在這個過程中會對半導體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內存的消息，想必業(yè)內人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內存）和 DDR5 等
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          • 關鍵字：
                        DDR3  DDR4  NAND  HDD                          
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          DDR3單元測試規(guī)范
          
                                                            
            
                    	
          • 一、測試目的DDR3的測試分為三類：1、直流參數(shù)測試（DC Parameter Testing）：校驗工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數(shù)特性。內存的工作電流與功耗、負載有關，工作電流過高時，將造成功耗過高，給系統(tǒng)造成的負載過大，嚴重情況下將造成系統(tǒng)無法正常工作。存儲芯片也存在漏電流，當漏電流超出閾值時可能造成系統(tǒng)無法正常工作。2、交流參數(shù)測試（AC Parameter Testing）：檢測諸如建立時間、保持時間、訪問時間等時間參數(shù)特性。3、可靠性測試（Functional Testing）：測
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          • 關鍵字：
                        內存  DDR3  測試測量                          
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          燦芯半導體推出DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，一站式定制芯片及IP供應商——燦芯半導體（上海）股份有限公司宣布推出基于28HKD?0.9V/2.5V?平臺的DDR3/4, LPDDR3/4?Combo?IP?。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3, DDR3L, DDR4和LPDDR3, LPDDR4協(xié)議，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達2667Mbps，并支持X16/X32/X64等多種數(shù)據(jù)位寬應用。燦芯半導體此次發(fā)布的DDR3/4,?LPDDR3/4 Combo IP集成高性能DDR&nb
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          • 關鍵字：
                        燦芯半導體  DDR3/4   LPDDR3/4  Combo IP                          
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          DDR3內存正式終結！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價20％
          
                                                            
            
                    	
          • 5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應DDR3內存，轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價格都很低，在嵌入式領域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡交換機等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅動下，HBM高帶寬內存需求飆升，產(chǎn)能遠遠無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
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          • 關鍵字：
                        存儲  DDR3  三星  SK海力士                          
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          「落后」的內存要大幅漲價，中國廠商迎來商機
          
                                                            
            
                    	
          • 當下，AI 服務器系統(tǒng)和應用最為火爆，其對 DDR5 和 HBM 的需求量大增，因此，在全球內存市場，DDR5 和 HBM 成為大宗存儲器市場的寵兒。AI 大模型持續(xù)迭代升級，參數(shù)持續(xù)增長，大模型的參數(shù)規(guī)模越大，算力負擔越重，而 AI 服務器是算力的核心。2023 年，AI 服務器出貨量近 120 萬臺，年增 38.4%，占整體服務器出貨量的 9%，按照這個勢頭發(fā)展下去，2026 年將占到 15% 的市場份額。更多的大模型參數(shù)需要大容量、高速的內存支持。針對 AI 服務器的高性能要求，更強大的內存——DD
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          • 關鍵字：
                        DDR3                          
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          第三季利基型DRAM價格持平，DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內存合約價，價格大致和6月相同。展望第三季，預期DDR4利基型內存報價水平將較接近主流標準型與服務器內存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結構，報價預期沒有明顯變動。整體而言，第三季利基型內存價格走勢預估將持平?！　DR3具成本優(yōu)勢，短期仍為利基型記內存主流　　就產(chǎn)品應用種類觀察，首先在利基型內存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺。不過
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          • 關鍵字：
                        DRAM  DDR3                          
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          內存狂漲價：臺灣南亞量產(chǎn)DDR3/4
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內存價格持續(xù)上漲，主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應嚴重不足，而且整個2018年都不會緩和。
　　其實在臺灣還有一家DRAM廠商南亞科技，只是市場規(guī)模偏小而已。DRAM市場需求如此旺盛的情況下，南亞也積極動手了，首先已經(jīng)開始量產(chǎn)20nm4GbDDR3顆粒，今年第四季度還會量產(chǎn)20nm8GbDDR4。
　　DDR4的時代為何還要大規(guī)模生產(chǎn)DDR3?主要還是DDR4產(chǎn)能即便再怎么擴充，也需要時間，一時半會不可能緩解，而在很多領域，DDR3仍然有很大的需求。
　　最近不少主板廠商
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          • 關鍵字：
                        內存  DDR3                          
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          DDR3與DDR2內存區(qū)別
          
                                                            
            
                    	
          • DDR3內存相對于DDR2內存，其實只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內存的支持較好，而大容量內存的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內存的普及時期。
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          • 關鍵字：
                        DDR3  DDR2  內存  CPU                          
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          DDR4內存的未來
          
                                                            
            
                    	
          •      我們知道現(xiàn)在DDR3內存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內存將會出現(xiàn)，預計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平.
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          • 關鍵字：
                        DDR4內存  Intel  DDR3-2133                          
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          DDR3存儲器接口控制器IP加速了數(shù)據(jù)處理應用
          
                                                            
            
                    	
          • DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器是非常重要的。視屏處理應用就是一個很好的示例，說明了DDR3存儲器系統(tǒng)的主要需求以及在類似數(shù)據(jù)流處理系統(tǒng)中DDR3接口所需的特性。
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          • 關鍵字：
                        DDR3  存儲器  IP  接口控制器                          
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          DDR4陣營持續(xù)擴大 將首度超越DDR3
          
                                                            
            
                    	
          • 　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。
　　調研機構ICInsights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
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          • 關鍵字：
                        DDR4  DDR3                          
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          FPGA與DDR3 SDRAM的接口設計
          
                                                            
            
                    	
          • DDR3 SDRAM內存的總線速率達到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達到2Gbits的高密度。這個架構毫無疑問更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DI
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          • 關鍵字：
                        SDRAM  FPGA  DDR3  接口設計                            
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          基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理設計
          
                                                            
            
                    	
          •  引言本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片Micron公司的MT41J128M16 DDR3  SDRAM芯片為硬件平臺，設計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。1 總體架構設計機載視頻圖形顯示系
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          • 關鍵字：
                        存儲器控制  多端口  幀地址  DDR3  FPGA                          
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          基于FPGA的DDR3控制器設計
          
                                                            
            
                    	
          • 基于FPGA的DDR3控制器設計,摘要 介紹了DDR3 SDRAM的技術特點、工作原理，以及控制器的構成。利用Xilinx公司的MIG軟件工具在Virtex-6系列FPGA芯片上，實現(xiàn)了控制器的設計方法，并給出了ISim仿真驗證結果，驗證了該設計方案的可行性。DDR3 SDRAM
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          • 關鍵字：
                        FPGA  DDR3 SDRAM控制器  MIG  ISim                          
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          iSuppli明年第2季DDR3躍登DRAM市鮒髁
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)市場研究機構 iSuppli 的最新預測，DDR3 (Double Data Rate 3) 標準型內存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球  DRAM 市場出貨占比可望突破 50%。以單位出
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          • 關鍵字：
                         微處理器  DDR3  Nehalem	                          
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	共129條
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