3nm finfet 文章 最新資訊
Arm發(fā)布基于3nm芯片工藝的新CPU、GPU IP
- 芯片設(shè)計公司Arm今日發(fā)布了針對旗艦智能手機的新一代CPU和GPU IP（設(shè)計方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產(chǎn)品均使用了其最新的Armv9架構(gòu)，基于臺積電3nm制程工藝方案，針對終端設(shè)備在AI應(yīng)用上的性能進行設(shè)計優(yōu)化。此外還將提供軟件工具，讓開發(fā)人員更容易在采用Arm架構(gòu)的芯片上運行生成式AI聊天機器人和其他AI代碼。預(yù)計搭載最新內(nèi)核設(shè)計的手機將于2024年底上市。據(jù)官方介紹，新的CPU與GPU IP是目前旗下同類產(chǎn)品中性能最強的一代，新CPU性能提升3
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爆料稱英偉達首款 AI PC 處理器將基于英特爾 3nm 工藝，RTX 50 同款 GPU 架構(gòu)
- IT之家 5 月 27 日消息，X 平臺消息人士 Kepler (@Kepler_L2) 近日爆料，表示英偉達有望于明年推出的首款 AI PC 處理器將采用英特爾“3nm”制程。@Kepler_L2 是在回應(yīng)另一位消息人士 AGF (@XpeaGPU) 的 X 文時發(fā)表這一看法的：@XpeaGPU 認為英偉達的 WoA SoC 將搭載 Arm Coretex-X5 架構(gòu) CPU 內(nèi)核、英偉達 Blackwell 架構(gòu) GPU，封裝下一代 LPDDR6 內(nèi)存，并基于臺積電 N3P 制程。
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臺積電 2024 年新建七座工廠，3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足
- IT之家 5 月 24 日消息，臺積電高管黃遠國昨日在 2024 年臺積電技術(shù)論壇新竹場表示，該企業(yè)將在今年新建七座工廠，而今年的 3nm 產(chǎn)能將達到去年的四倍。具體而言，臺積電 2024 年將在全球建設(shè) 5 座晶圓廠和 2 座先進封裝廠。臺積電位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圓廠均面向 2nm 制程，目前都處于設(shè)備進駐階段，預(yù)計 2025 年陸續(xù)進入量產(chǎn)。IT之家早前報道中也提到，臺積電已確認其歐洲子公司 ESMC 位于德國德累斯頓的首座晶圓廠將于今年四季度動工，預(yù)估 202
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良率不及臺積電4成！三星2代3nm制程爭奪英偉達訂單失敗
- 全球半導(dǎo)體大廠韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報導(dǎo)說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設(shè)計定案（tape out）。外界認為，該芯
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臺積電 3nm 工藝步入正軌，2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節(jié)點
- IT之家 5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術(shù)研討會，表示其 3nm 工藝節(jié)點已步入正軌，N3P 節(jié)點將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點，進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節(jié)點良率進一步提高，已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關(guān)報道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質(zhì)量驗證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學(xué)微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設(shè)計規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
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瞄準AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠制程升級至2nm
- 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm，量產(chǎn)時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應(yīng)，他表示是為了支持AI相關(guān)的強勁需求。在OpenAI訓(xùn)練
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計，堅定客戶對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷，導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題，未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu)，升級之處在于將采用全新的
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晶體管進入納米片時代
- 3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號
- 2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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特斯拉明年將采用臺積電3nm芯片
- 據(jù)外媒，除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達、英特爾、高通外，特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計定案（New Tape-Outs，NTOs）。報道稱，特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解，臺積電N3P工藝計劃預(yù)計在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標，以及技術(shù)成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
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天璣9400繼續(xù)采用全大核架構(gòu) 外加N3E工藝加持
- 11月6日，聯(lián)發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創(chuàng)新，取消了低功耗核心簇，轉(zhuǎn)而采用“全大核”架構(gòu)，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題，但聯(lián)發(fā)科予以否認并聲稱其性能表現(xiàn)出色。近期有爆料稱聯(lián)發(fā)科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續(xù)采用“全大核”架構(gòu)。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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消息稱高通、聯(lián)發(fā)科明年導(dǎo)入 3nm，預(yù)估臺積電 2024 年底月產(chǎn)能可達 10 萬片
- IT之家 11 月 22 日消息，臺積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個客戶在用，那就是蘋果。根據(jù)中國臺灣《工商時報》的消息，目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬美元（IT之家備注：當(dāng)前約 14.3 萬元人民幣） ，而良率為 55%，所以目前只有蘋果一家愿意且有能力支付，而且蘋果目前也預(yù)訂了臺積電今年大部分 3nm 產(chǎn)能。隨著 3nm 代工產(chǎn)能拉升，臺積電 3nm 產(chǎn)能今年底有望達到 6～7 萬片，全年營收占比有望突破 5％，明年更有機會達到 1 成。據(jù)稱，在英偉達、高通、聯(lián)發(fā)科
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蘋果發(fā)布M3系列芯片：3nm工藝 支持光追提升GPU性能
- 10月31日消息，蘋果舉行新品發(fā)布會，線上發(fā)布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎(chǔ)款同時公布，蘋果官方在發(fā)布會中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當(dāng)前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比
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新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程
- 摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設(shè)計解決方案?！? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?！? ?集成的設(shè)計流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設(shè)計系列產(chǎn)品，為追求更高預(yù)測精度
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