3d-ic 文章 最新資訊
千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局
- 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
- 關鍵字： 3D DRAM 存儲
模擬: 對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析
- AbstractTXB0104是應用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉(zhuǎn)換芯片。當系統(tǒng)的軟件資源配置不足，需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識別信號傳輸方向的時候，需要注意外部硬件設計，不然可能會出現(xiàn)掛載時好時壞的失效情況。問題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為TXB0104工作異常。實測中發(fā)現(xiàn)如圖中線路所示：1.只有D0通道無信號，因為將D0數(shù)據(jù)線由主芯片（AM3352）側飛線到EMMC，D0開始傳輸數(shù)據(jù)信號，eMMC掛載正常
- 關鍵字： 自動檢測 IC TXB0104 電平 轉(zhuǎn)換端口
Allegro MicroSystems推出雙極輸出Power-Thru IC,擴展隔離柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合
- 美國新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運動控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感技術和功率半導體解決方案的全球領導廠商Allegro MicroSystems（納斯達克股票代碼：ALGM）（以下簡稱Allegro）宣布推出高壓電源產(chǎn)品組合中的第二款產(chǎn)品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅(qū)動器?IC 增加了重要的安全功能，同時簡化了電動汽車和清潔能源應用（包括?OBC/DC-DC、太陽能逆變器和數(shù)據(jù)中心電源）中大功率能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設計。Allegro 副總裁兼
- 關鍵字： Allegro Power-Thru IC 隔離柵極驅(qū)動器
300層之后，3D NAND的技術路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
- 關鍵字： 3D NAND
Microchip發(fā)布最新款TrustAnchor安全IC，充分滿足更高的汽車安全認證要求
- 2023年11月16日消息，隨著汽車的互聯(lián)性不斷提高、技術日益先進，對加強安全措施的需求也隨之增加。各國政府和汽車OEM最新的網(wǎng)絡安全規(guī)范開始包含更大的密鑰尺寸和愛德華曲線ed25519算法標準（Edwards Curve ed25519）。為此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任錨點安全IC（Trust Anchor Security IC） TA101，可滿足復雜的汽車和嵌入式安全用例。TA101 支持高達 ECC P521、SHA512、R
- 關鍵字： Microchip TrustAnchor IC 汽車安全認證
面向配件生態(tài)系統(tǒng)和一次性用品應用的高性價比 安全身份驗證解決方案
- Microchip Technology Inc.安全及計算產(chǎn)品部市場經(jīng)理Xavier Bignalet如果您對單個配件的身份驗證、規(guī)范化電子配件生態(tài)系統(tǒng)的構建或一次性用品的假冒偽劣處理感興趣，歡迎閱讀本篇博文。我們將介紹最新推出的高性價比安全身份驗證IC?？纯此鼈兲峁┝四男┌踩匦詠韼椭鷮崿F(xiàn)反威脅模型。面向一次性用品和配件生態(tài)系統(tǒng)的成本優(yōu)化型安全身份驗證 IC不知您是否有注意到，其實我們每天都在經(jīng)歷著各種安全身份驗證過程。例如，當您發(fā)送電子郵件、將手機插入充電器或打印文檔時，后臺都有在進行身份驗證。本
- 關鍵字： Microchip MCU IC
恩智浦全新電池管理系統(tǒng)IC發(fā)布，全生命周期提升電池組性能及安全性！
- 恩智浦新一代電池管理系統(tǒng)IC的電芯測量精度低至0.8 mV，并且其全生命周期為考量的設計穩(wěn)健性，可增強電池管理系統(tǒng)的性能，充分挖掘電動汽車鋰離子電池和儲能系統(tǒng)的可用容量并提高安全性。恩智浦半導體推出了下一代電池控制器IC，旨在優(yōu)化電池管理系統(tǒng)（BMS）的性能和安全性。恩智浦的MC33774 18通道模擬前端器件可在寬溫度范圍內(nèi)提供低至0.8 mV的電芯測量精度和出色的電芯均衡力，支持功能安全等級ASIL-D，適合用于與安全密切相關的高壓鋰離子電池中，以充分挖掘可用容量。鋰離子電池因單位體積和重量的能量密度
- 關鍵字： 電池管理系統(tǒng) IC 電芯測量精度 BMS MC33774
3D ToF相機于物流倉儲自動化的應用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現(xiàn)場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
- 關鍵字： 3D ToF 相機 物流倉儲 自動化 臺達
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
- 關鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構
- 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關鍵字： 3D DRAM 泛林
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]
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