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          利基型DRAM持續(xù)擴產 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
          
                                                            
            
                    	
          • 內存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產，為長遠發(fā)展奠定良好的基礎與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
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          • 關鍵字：
                        DRAM  華邦電  AIoT  元宇宙                          
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          三星推出512GB 內存擴展器CXL DRAM 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2022年5月10日 ，作為先進內存技術的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務器擴展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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          • 關鍵字：
                        三星  內存擴展器  CXL DRAM                          
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          第二季度DRAM跌幅估縮小
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)市調預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
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          • 關鍵字：
                        DRAM  集幫咨詢                          
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          三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用
          
                                                            
            
                    	
          • 今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X 
DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5
 
(6.4Gbps)快約1.2倍，有
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          • 關鍵字：
                        三星  LPDDR5X  DRAM  高通  驍龍                          
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          微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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          • 關鍵字：
                        DRAM  微結構                          
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          美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產：1γ節(jié)點導入
          
                                                            
            
                    	
          • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
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          • 關鍵字：
                        美光  EUV  DRAM                          
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          TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉跌0~5%
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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          • 關鍵字：
                        TrendForce  PC DRAM                          
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          三星將在不久后開始生產768GB DDR5內存條
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內存業(yè)務也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?！　〉聦嵶C明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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          • 關鍵字：
                        三星  內存  DRAM  DDR5                            
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          EUV技術開啟DRAM市場新賽程
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經開始生產10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內存芯片生產中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產中應用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產品，第四代在一片晶圓上產出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產采用
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          • 關鍵字：
                        EUV  DRAM                          
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          SK海力士開始量產采用EUV技術的第四代10納米級DRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • SK海力士宣布已于7月初開始量產適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產品。* 
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 
為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering 
Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1. 
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  10納米  DRAM                          
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          美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術創(chuàng)新
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創(chuàng)新產品，并推出業(yè)界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產品和創(chuàng)新技術體現(xiàn)了美光通過內存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅動洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經濟背后，有一
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          • 關鍵字：
                        美光  176層NAND  1α DRAM                           
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          美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產品，是目前世界上最為先進的DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術1α 節(jié)點DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
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          • 關鍵字：
                        202104  DRAM                          
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          2021年DRAM與NAND增長快，美光領跑研發(fā)與新技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預測，半導體產業(yè)預計增長可達12%，整個半導體產業(yè)的產值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產能今年保持穩(wěn)定
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產品，一種是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND
 Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND 
Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
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          • 關鍵字：
                        美光科技  DRAM  NAND                          
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          受華為斷供影響，DRAM 十月份價格暴跌 9％
          
                                                            
            
                    	
          • 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比，就
 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
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          • 關鍵字：
                        內存  DRAM                          
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