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180納米
180納米 文章 最新資訊
X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級(jí)，提升SPAD集成能力
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180納米XH018半導(dǎo)體工藝平臺(tái)中推出新的隔離等級(jí)，旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管（SPAD）應(yīng)用。新隔離等級(jí)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子，從而減少芯片面積。采用全新緊湊型25V隔離等級(jí)模塊ISOMOS1（左）和先前所需的模塊ISOMOS2（右）的4×3 SPAD像素示例設(shè)計(jì)SPAD是眾多新興應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋應(yīng)用于自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達(dá)（LiDAR）、
- 關(guān)鍵字： X-FAB 180納米 XH018 SPAD
X-Fab增強(qiáng)其180納米車(chē)規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案
- Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號(hào)和專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造平臺(tái)的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺(tái)現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴(kuò)展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運(yùn)行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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X-FAB增強(qiáng)其180納米車(chē)規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺(tái)作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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微捷碼加大對(duì)臺(tái)積電工藝的支持力度
- 芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，Quartz™ DRC和Quartz LVS規(guī)則集現(xiàn)可應(yīng)用于臺(tái)積電(TSMC)180納米工藝技術(shù)。通過(guò)這種支持力度的加大，設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠從TSMC-Online(SM)網(wǎng)站下載到Quartz DRC和Quartz LVS的40納米、65納米、90納米、130納米和180納米規(guī)則集(rule decks)。 “多年來(lái)，我們一直采用微捷碼的Quartz DRC和Quartz LVS進(jìn)行先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)。我們
- 關(guān)鍵字： Magma Quartz 180納米 40納米 65納米 90納米 130納米
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180納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條180納米!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)180納米的理解，并與今后在此搜索180納米的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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