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X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級，提升SPAD集成能力
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180納米XH018半導(dǎo)體工藝平臺中推出新的隔離等級，旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管（SPAD）應(yīng)用。新隔離等級能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子，從而減少芯片面積。采用全新緊湊型25V隔離等級模塊ISOMOS1（左）和先前所需的模塊ISOMOS2（右）的4×3 SPAD像素示例設(shè)計SPAD是眾多新興應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋應(yīng)用于自動駕駛汽車的激光雷達(dá)（LiDAR）、
- 關(guān)鍵字： X-FAB 180納米 XH018 SPAD
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