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          閃存 文章 最新資訊

          PC內(nèi)存一年價格翻一倍多,二季度還要再漲10-20%

          •   2017年JS靠著挖礦顯卡價格大漲賺錢了,只不過這一波顯卡漲價雖然很瘋狂,但是漲幅并不是最高的,內(nèi)存價格上漲的才是驚人,8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上,去年這時候價格才199元呢,當時還覺得貴呢,現(xiàn)在價格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價的趨勢還沒有得到抑制,Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了,可Q2季度還會繼續(xù)上漲10-20%,因為三星、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒有增加,市場供需還是不平衡。     這一年多了沒升級什么PC硬件了,雖然寫新聞的過程中也知道內(nèi)存、
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  閃存  

          再延期 東芝傾向于將閃存芯片業(yè)務賣給美日韓聯(lián)合體

          •   6月20日消息,據(jù)國外媒體報道,東芝預計將在月底決定閃存芯片業(yè)務的最終買家,而此前出價最高的由富士康和蘋果等企業(yè)組成的競購團,有可能在競購中白忙活一場,因為外媒的消息顯示,東芝更傾向于將閃存芯片業(yè)務賣給貝恩資本牽頭的由美國、日本和韓國企業(yè)組成的聯(lián)合體。        由于美國核電業(yè)務減記帶來了巨大的虧損,東芝目前面臨資不抵債的困境,急需資金,東芝因此決定剝離閃存芯片業(yè)務并將其出售以換取資金。   目前共有富士康、美國芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財團參與東芝閃存芯片業(yè)務的競購
          • 關(guān)鍵字: 東芝  閃存  

          NAND閃存的三種架構(gòu):MLC、SLC、MBC

          • NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu),即:單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中,MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構(gòu),由英飛凌與Saifun合作開發(fā),但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息,以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點,Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu),其也有很大的缺點,就是面積容量相對比較小,并且由于技術(shù)限制,基本上很難再向前發(fā)展了。
          • 關(guān)鍵字: MLC  閃存  NAND  英特爾  

          基于FPGA的存儲解決方案——閃存

          • 閃存存儲器是嵌入系統(tǒng)中經(jīng)常使用的非易失性存儲器。在基于FPGA的嵌入系統(tǒng)中,由于FPGA沒有包括閃存,所以閃存始終是外置設備。由于閃存存儲器能夠在斷電后保持數(shù)據(jù)內(nèi)容,它經(jīng)常用于存儲微處理器啟動代碼及其它需要在無電情況下繼續(xù)保持的數(shù)據(jù)。閃存存儲器既適用于并行接口又適用于串行接口。并行閃存設備與串行閃存設備的基本存儲技術(shù)是相同的。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  閃存  串行接口  

          3D NAND這么火,比2D NAND到底優(yōu)秀在哪?

          • 如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話,那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價,閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭,以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  3DNAND  2DNAND  

          吹牛必備常識之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

          • 華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機后,經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn),華為P10系列手機閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測試結(jié)果顯示,有部分手機的閃存速度約為200MB/秒,而根據(jù)網(wǎng)上公布的評測參數(shù)來看,以華為官方配置的P10實際速度應該可以達到800MB/秒左右。而最終測試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  UFS  eMMC  

          關(guān)于嵌入式閃存,你所不了解的那些事兒

          •   多年來,汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動著半導體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知,汽車半導體市場的年收入已經(jīng)超過300億美元,而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升,這一數(shù)字還將不斷上升。目前,每輛豪華車內(nèi)部半導體元件的總價值約為1000美元,而中檔車內(nèi)部半導體元件的總價值約為350美元,汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數(shù)汽車MCU具有片上嵌入式閃存,其中包含復雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費類應用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中,并且是非易失性存儲器技術(shù)的
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式  閃存  

          閃存事件雖尷尬 華為卻在美國再次擊退韓國企業(yè)專利訴訟圍剿

          •   在對待用戶方面,華為還有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是,在硬碰硬的訴訟較量方面,華為又有很多值得其他企業(yè)效仿之處——不輕言放棄。   前段時間爆出的P10“內(nèi)存門”或“閃存門”讓很多華為的忠實粉絲大跌眼鏡。   從法律上看,華為可能并不存在“以次充好”或“偷工減料”的做法,但是,其在澄清說明相關(guān)做法時,又顯得脫離用戶。   使得疑問變質(zhì)疑最終可能
          • 關(guān)鍵字: 華為  閃存  

          半導體:創(chuàng)造“陜西速度”和“西安效率”

          •   面對全球信息化加速發(fā)展,以電子信息為代表的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)呈爆發(fā)式增長態(tài)勢。2016年陜西實現(xiàn)了新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速增長,全年電子制造業(yè)總產(chǎn)值超過700億元,同比增長50%以上,其中半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達到500多億元,位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃,使新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)助力陜西在經(jīng)濟發(fā)展上實現(xiàn)“彎道超車”?半導體產(chǎn)業(yè)在其中又起了怎樣重要的推動作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。   西安高新區(qū):聚焦新興產(chǎn)業(yè)帶動轉(zhuǎn)型升級   近年來
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  閃存  

          東芝閃存業(yè)務備受追捧: 到日本買技術(shù)?

          • 伴隨全球化帶來的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,中國半導體產(chǎn)業(yè)正向上游延伸。產(chǎn)業(yè)發(fā)展也進一步增強了兼收并購需求。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  閃存  

          手機閃存重要性解讀:不比SoC差

          • 希望大家平時一定要注意這些消費陷阱,買到真正優(yōu)秀的好手機。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  SoC  

          賽普拉斯與上海華力微電子共同宣布基于SONOS技術(shù)的55納米低功耗閃存產(chǎn)品

          •   全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲器解決方案提供商賽普拉斯半導體公司與中國最先進的純晶圓代工廠之一,上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布,基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識產(chǎn)權(quán)相結(jié)合,為閃存產(chǎn)品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項技術(shù)進行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn),針對藍牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應用。賽普拉斯高耐用性、可擴展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進行了優(yōu)化,使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用的
          • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  閃存  

          海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片 適合未來iPhone

          選SSD就是選閃存顆粒!全面解析原片/白片/黑片

          • 選SSD就是選閃存顆粒!所以,大家購買前可以先在網(wǎng)上看看評測拆解,了解顆粒是否來自于原廠或者是白片,再慎重選擇。
          • 關(guān)鍵字: SSD  閃存  

          海力士謀劃72層堆疊閃存:單顆輕松1TB

          •   如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高,迫使廠商們不得不持續(xù)改進技術(shù),尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。   2015年,SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2),單晶粒容量128Gb(16GB)。   2016年,SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3,閃存類型改成TLC,重點單晶粒容量256Gb(32GB),而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。   2017年,我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
          • 關(guān)鍵字: 海力士  閃存  
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          閃存介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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