科學家們日前研制出一種新型存儲設備,其最大特點是存儲容量大,保存時間久.
這種新型存儲設備其實就是鐵顆粒被密封在中空的納米管內,通過鐵顆粒在納米管內來回穿梭作為一種有效的存儲方式.研究人員表示,這種存儲設備每平方英寸可 存儲1TB(1000G)數據,較當前存儲技術更為有效.此外,新設備的數據保存時間更持久,可長達10億年,甚至更久.
相比之下,當前的存儲技術根本無法將數據保持如此之久.例如,普通的閃存技術只能保存數據3至5年.
寫在羊皮紙上的《末日手記》(Doomsday Book)
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存儲 閃存 納米管
據國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價格，與美國芯片生產商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術許可協(xié)議，不過協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應芯片。
三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費將是當前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。
新協(xié)
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三星 NAND 閃存
消息稱,閃存產品廠商SanDisk首席執(zhí)行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未來5年后摩爾定律將會失效.
摩爾定律是英特爾聯合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出的,內容是:芯片上集成的晶體管數量每兩年將翻一番.哈拉里說,閃存容量在過去19年中翻了14番,遠高于摩爾定律,但閃存芯片容量可能還只能再翻兩番.
哈拉里表示,閃存芯片容量將受限于每個存儲單元的電子數量.最初,每個存儲單元的電子數量數以百萬計,現在已經減少到了數百個.哈拉里
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SanDisk 閃存 摩爾定律
美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。
這家名為“統(tǒng)一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。
NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數碼產品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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經歷了2月35%的大裁員、Spansion Japan申請破產保護，以及易帥風波之后，Spansion發(fā)布了截至到2009年3月29日的第一財季財報。
好消息是第一季度的閃存市場具有一個相對穩(wěn)定的價格環(huán)境，Spansion第一季度凈銷售額為4億美元。由于公司管理層實行積極舉措來降低成本，第一季度非GAAP運營總費用為1.12億美元，其中包括1300萬美元的重建費用，比2008年第一季度減少了約43%。凈虧損為1.12億美元，與2008年同期相比降低了800萬美元。截止至2009年第一季度，Spa
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三星電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND，這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進的30nm工藝，適用于高端手機和其他移動消費電子設備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝，其存儲密度是當前40nm16Gb的兩倍。
每一個32GB moviNAND都有三部分組成，其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個MMC控制器，符合最新eMMCv4.3規(guī)范，支持縮短啟動時間的加電啟動功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個固件，能夠改善處理、存儲大容量數據
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三星 嵌入式 閃存
東芝昨天宣布，于業(yè)界首家開始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲卡和USB存儲設備，未來會擴展到嵌入式產品領域。
目前，東芝是全球領先的32GB閃存供應商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應用將進一步提高生產效率，減小芯片體積，適應更高容量，更小巧的掌上產品需求。
東芝的32nm工藝32Gb
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恒憶近日宣布公司正在擴展其主流NOR閃存產品線，其中包括恒憶™ Axcell™ M29F閃存產品。此器件工作電壓為5伏，非常適合汽車和嵌入式應用。該款NOR閃存的密度為16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb，具有快速存儲執(zhí)行、靈活及穩(wěn)定等特性，適合于汽車、軍工、工廠自動化及航天應用。
汽車及嵌入式應用需要高質量、高可靠性及高穩(wěn)定性的器件供給——有些要求達5年，或甚至更長。然而，大多數存儲器供應商趨于最新更新的技術，這些關鍵產品生產通常會斷斷續(xù)續(xù)，這
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由于全球性金融危機，很多公司正經歷前所未有的艱難時期。恒億(Numonyx)2008年5月成立，前身是Intel和ST的內存部門。公司自成立之初，就成為全球三大閃存供應商之一，最大的無線通信MCP(多芯片封裝，可融合多種內存技術)供應商。迄今為止，恒億財務狀況良好，2008年4季度速動比率*達到2以上，在同行中居領先地位。
Edward Doller 恒億CTO兼副總裁
恒億的策略是給客戶提供一套完整的解決方案，包括NOR、NAND、RAM和新一代存儲技術——PCM
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閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫(yī)療設備、家用電器等領域。利用其信息非易失性和可以在線更新數據參數特性，可將其作為具有一定靈活性的只
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3月21日消息，內存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求，因為這種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進行了優(yōu)化。在當前的市場不確定的情況下，優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應Windows 7已經成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
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2009年3月5日，北京訊，第十四界國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China)作為中國最具影響力的電子行業(yè)盛會于3月5日在北京隆重開幕。恒憶（Numonyx）的首席技術官兼副總裁Edward Doller在大會上發(fā)表了重要主題演講，解讀存儲產業(yè)的不斷演進和目前所面臨的挑戰(zhàn)，并分享了恒憶在閃存領域的最新技術突破，以及當前在全球經濟危機下，公司如何保持持續(xù)領先的應對策略。
由于全球性金融危機，2008年對于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙，在這種困難時期，恒憶公司憑借其先進的解決方案，
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??????? 金融危機下的消費疲軟引致芯片需求減弱、價格下跌。2009年的春天，對內存廠商來說無疑是個嚴冬。此前，芯片巨頭德國英飛凌旗下奇夢達公司申請破產保護，引發(fā)內存界動蕩；緊接著又傳出全球排名前十的芯片廠，中國臺灣茂德科技也將倒閉，有消息稱臺灣當局已放棄為茂德科技注資挽救。
??????? 內存業(yè)的悲劇還在繼續(xù)上演。前日，全球最大NOR閃存芯片商美國飛索公司（
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飛索的今天，其實在當初AMD將其剝離的時候，就可以預見。閃存此前的優(yōu)勢體現在工藝和制造技術上，目前早已不占優(yōu)勢。
繼英特爾關廠、裁員、將核心業(yè)務外包，奇夢達破產之后，脫胎于芯片巨頭超威半導體公司 (AMD)的NOR閃存頭號公司——飛索半導體(Spansion)也在日前正式在其發(fā)端地美國提出破產保護申請。
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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