閃存 文章 最新資訊
TI最新MCU實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品擁有更長使用壽命甚或不使用電池
- 德州儀器 (TI) 宣布推出實(shí)現(xiàn)了超低功耗 MSP430 系列MCU產(chǎn)品，該系列能夠針對峰值高達(dá) 25 MHz 的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)低功耗，并擁有更高的閃存與RAM存儲(chǔ)容量，以及諸如射頻 (RF)、USB、加密和 LCD 接口等集成外設(shè)。MSP430F5xx MCU 的工作功耗與待機(jī)功耗分別僅為 160 μA/MHz（每兆赫微安）與 1.5μA，可為便攜式應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超長的電池使用壽命以及采用超小型電池，甚至根本不使用電池，非常適用于采用太陽能、振動(dòng)或人體溫度等能量收集系統(tǒng)。 由于該
- 關(guān)鍵字： TI MCU 低功耗 閃存 RAM
龍旗控股授予Spansion 2007年度最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
- 全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布榮獲龍旗控股（“龍旗”）授予的2007年度最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)，這是Spansion連續(xù)二年獲得該公司頒發(fā)的獎(jiǎng)項(xiàng)。過去五年多來，Spansion一直為中國領(lǐng)先的手機(jī)設(shè)計(jì)提供商龍旗提供一系列廣泛的MirrorBit® NOR閃存器件。Spansion是唯一獲此殊榮的NOR閃存供應(yīng)商。 隨著消費(fèi)者對手機(jī)更新需求的增長，中國的移動(dòng)行業(yè)繼續(xù)保持強(qiáng)勁的增長勢頭。消費(fèi)者通常希望所選擇的新手機(jī)中具有高清拍照
- 關(guān)鍵字： Spansion 龍旗 閃存 NOR
利用基于閃存的MCU實(shí)現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
- 采用微控制器的大多數(shù)設(shè)備還需要某種機(jī)制來存儲(chǔ)在斷電時(shí)仍要被記住的那些設(shè)置數(shù)據(jù)。例如，在更換電池后記不住預(yù)設(shè)電臺(tái)的收音機(jī)肯定不會(huì)在市場上取得很大的成功。用戶希望喜愛的電臺(tái)、預(yù)設(shè)溫度、參數(shù)選擇和其他永久性信息能長久保存下來供每次開機(jī)時(shí)直接取用。 為了滿足這種用戶需求，設(shè)計(jì)師一般使用串行EEPROM。這些器件又小又便宜，具有很長的歷史，設(shè)計(jì)工程師用起來得心應(yīng)手。但在今天對成本極其敏感的市場下，即使這樣一個(gè)廉價(jià)的器件也可能突破成本預(yù)算。因此許多設(shè)計(jì)師試圖尋求并利用已經(jīng)包含在微控制器芯片中的資源：程序閃存
- 關(guān)鍵字： 閃存 MCU 微控制器 EEPROM
Sun服務(wù)器將采用閃存芯片 成本過高或成瓶頸
- 6月5日消息，近日，Sun公司宣布，將從今年下半年開始在服務(wù)器系統(tǒng)中采用閃存芯片，用于取代或擴(kuò)展傳統(tǒng)硬盤。 據(jù)國外媒體報(bào)道，Sun公司將從今年下半年開始在服務(wù)器系統(tǒng)中采用閃存芯片。由于具有低功耗和高速等優(yōu)點(diǎn)，閃存已廣泛應(yīng)用于手機(jī)和便攜音樂播放器，并開始更多地應(yīng)用于筆記本電腦中。Sun公司主管系統(tǒng)集團(tuán)的執(zhí)行副總裁約翰·福勒(John Fowler)表示：“當(dāng)前其它服務(wù)器廠商也在考慮應(yīng)用這項(xiàng)新技術(shù)，但是業(yè)界普遍認(rèn)為傳統(tǒng)硬盤向閃存的轉(zhuǎn)型期將會(huì)從2010年開始。但事實(shí)上是服務(wù)器
- 關(guān)鍵字： Sun 閃存 服務(wù)器 芯片 UNIX
Spansion閃存解決方案為Xilinx客戶提供更多選擇
- 全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion Inc.（NASDAQ：SPSN）今天宣布，其并行和串行閃存解決方案為領(lǐng)先電子元件分銷商安富利電子元件部(Avnet Electronics Marketing)發(fā)布的Xilinx® Spartan®-3A參考板提供快速啟動(dòng)時(shí)間和有效代碼執(zhí)行。該參考板上兼具備受推崇的MirrorBit® NOR GL 32 Mb閃存和低管腳數(shù)MirrorBit SPI FL 128 Mb串行閃存器件。 “通過與安富利公司 (Av
- 關(guān)鍵字： Spansion Xilinx 閃存 FPGA 安富利
40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布
- 三星電子(Samsung Electronics)26日舉行年度Mobile Forum，揭示NAND型閃存(Flash)下世代42納米工藝技術(shù)，將提前于5月底送樣，第3季度步入量產(chǎn)，目前40納米世代NAND Flash工藝，新帝(SanDisk)和東芝(Toshiba)陣營動(dòng)作最快，43納米工藝預(yù)計(jì)第2季度底前量產(chǎn)，至于海力士(Hynix)48納米工藝，以及英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營35納米工藝，都預(yù)計(jì)于第3季度量產(chǎn)，業(yè)界擔(dān)心第3季度之后NAND Flash產(chǎn)能傾巢而出，將再度重
汽車電子MCU技術(shù)原理與需求分析
- 汽車作為一部大型的機(jī)電一體化設(shè)備，汽車電子在汽車整體成本中的比例越來越大。目前歐美發(fā)達(dá)國家汽車電子的平均成本達(dá)350美元以上，其涵蓋了從車身控制、動(dòng)力傳動(dòng)、車身安全，到車內(nèi)娛樂的各個(gè)方面。 微控制器（MCU）作為汽車電子系統(tǒng)內(nèi)部運(yùn)算和處理的核心，也遍布懸掛、氣囊、門控和音響等幾十種次系統(tǒng)（Sub-System）中。由于汽車作為高速交通工具承載了對用戶生命安全的保障，同時(shí)汽車經(jīng)常工作在十分惡劣的環(huán)境中，其對內(nèi)部電子設(shè)備的可靠性要求要遠(yuǎn)高于一般性電子產(chǎn)品。因此汽車電子所用的MCU與一般性產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)差
- 關(guān)鍵字： 汽車電子 MCU CAN LIN 系統(tǒng)總線 嵌入式 閃存 DSP
閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…
- ? 如果憑老東家的實(shí)力，新公司應(yīng)該讓人感覺很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問題，其一是在專注的存儲(chǔ)器領(lǐng)域強(qiáng)手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號(hào)芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲(chǔ)器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲(chǔ)器類型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位
- 關(guān)鍵字： 閃存 恒億 RAM NOR NAND
Spansion推出針對手機(jī)的65nm MirrorBit? Eclipse?閃存解決方案樣片
- 北京,2007年4月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布，開始向其戰(zhàn)略型OEM客戶提供針對手機(jī)的65nm MirrorBit® Eclipse™閃存解決方案樣片。通過將標(biāo)準(zhǔn)NOR閃存所具有的出色隨機(jī)存取性能與MirrorBit Eclipse架構(gòu)所擁有的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的編程能力相結(jié)合，Spansion基于MirrorBit Eclipse架構(gòu)的MCP產(chǎn)品將為使用中高端手機(jī)平臺(tái)的用戶帶來非同凡響的使用體驗(yàn)。公司計(jì)劃
- 關(guān)鍵字： 閃存 Spansion
用帶2KB閃存的80C51基微控制器設(shè)計(jì)離線鋰離子電池充電器(04-100)
- 工程師可以采用恰當(dāng)組合外設(shè)和閃存的合適8位微控制器來設(shè)計(jì)離線鋰離子電池充電器，這是一個(gè)相當(dāng)不錯(cuò)的選擇。 集成2KB閃存和合適外設(shè)的80C51基微控制器所提供的解決方案并不昂貴。集成的閃存還能簡便有效地調(diào)試應(yīng)用碼，如果必要的話，還可現(xiàn)場升級(jí)軟件。 由于設(shè)計(jì)領(lǐng)域已經(jīng)廣泛接受并熟悉了80C51，軟件/硬件開發(fā)便可以加快進(jìn)行。這一方法的另一優(yōu)勢在于，眾多廠商提供了一系列強(qiáng)大而 經(jīng)濟(jì)的應(yīng)用開發(fā)工具。考慮到成本、設(shè)計(jì)效率和安全的電池充電的重要性，基于微控制器的解決方案的諸多優(yōu)勢便不言而喻。?
- 關(guān)鍵字： 飛利浦 80C51 閃存 充電器
NAND市場增長放緩芯片廠欲推遲建廠計(jì)劃
- 日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對未來市場對NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計(jì)將于2010年投產(chǎn)。 市場研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因?yàn)楝F(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂觀?！? 但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計(jì)劃也再一次證明了NAN
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
閃存分類和關(guān)鍵參數(shù)必讀
- ????大約在1984年，在受聘于東芝公司期間，F(xiàn)ujio Masuoka博士發(fā)明了一種獨(dú)特的存儲(chǔ)器件，具有只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)器件的理想特征。與RAM 和EEPROM一樣，可以對這些新穎的器件或同類的ROM進(jìn)行寫、擦除和重寫數(shù)據(jù)的操作，器件能將可恢復(fù)的靜態(tài)數(shù)據(jù)保存幾乎無限長時(shí)間。此外，與RAM 和ROM相比，Masuoka博士的存儲(chǔ)器的容量容易提高。重要的是，與ROM和EEPROM相比，該芯片能長時(shí)期存
- 關(guān)鍵字： 閃存
NAND閃存價(jià)格下降將推動(dòng)需求增長
- 2月25日消息,閃存價(jià)格的下降已經(jīng)傷害了一些半導(dǎo)體廠商的股票價(jià)格。但是，今天的痛苦可能會(huì)為明天的增長鋪平道路。 NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于便攜式媒體播放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、硬盤和其它設(shè)備中。由于供過于求，2007年NAND閃存芯片的價(jià)格比2006年下降了60%。 但是，由于消費(fèi)者喜歡數(shù)字音樂、圖片和視頻以及相關(guān)的便攜式設(shè)備，NAND閃存芯片的需求也快速增長，2007年的需求量增長了大約170%。通過在一個(gè)更小的芯片中放入更多的閃存等生產(chǎn)方面的技術(shù)進(jìn)步，閃存廠商能夠把成本降低40%至50%。
- 關(guān)鍵字： 閃存
三星位居龍頭 閃存芯片廠商營收排行
- 受到4Q07 NAND Flash價(jià)格劇跌的影響，品牌NAND Flash廠商3Q07整體營收表現(xiàn)微幅下跌成為US.8bn，比3Q07營收QoQ小幅減少了2.7%，由于3Q07末次級(jí)房貸所引發(fā)的金融市場風(fēng)暴延燒到4Q07，造成傳統(tǒng)歐美年終采購?fù)拘枨蟛蝗珙A(yù)期，再加上主要NAND Flash供貨商新的5Xnm制程產(chǎn)品在4Q07的產(chǎn)出量也較3Q07運(yùn)轉(zhuǎn)更順暢，使得4Q07 NAND Flash整體產(chǎn)出比特QoQ成長約45%，因此也造成NAND Flash市場由3Q07的供貨吃緊轉(zhuǎn)為4Q07的小幅供過于求，
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存 芯片
東芝與SanDisk投資7000億日元建閃存基地
- 東芝日前聯(lián)合其美國半導(dǎo)體合作伙伴SanDisk宣稱，未來兩家公司計(jì)劃投資7000億日元在日本北部新建一處NAND閃存芯片基地。 兩家公司表示，新基地的選址極有可能定在日本北部北上巖手縣。但日本電子巨頭東芝表示新工廠的選址還未作最后確定。 半導(dǎo)體芯片在整個(gè)業(yè)務(wù)當(dāng)中占支柱地位的東芝公司目前有4個(gè)芯片制造基地，而且全部都在四日地區(qū)的三重縣。 另有消息稱，北九州地區(qū)的福岡縣已向東芝公司發(fā)出邀請，希望東芝公司能將其第五個(gè)芯片制造工廠建在本地區(qū)。同時(shí)有人建議稱，東芝公司即將建立的第五個(gè)芯片基地最
- 關(guān)鍵字： 東芝 SanDisk 閃存
閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
閃存電路
閃存相關(guān)帖子
閃存資料下載
閃存專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473