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          基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法。
            關(guān)鍵詞：DDR NAN
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          • 關(guān)鍵字：
                        嵌入式  接口  設(shè)計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于                          
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          Spansion公司發(fā)布2011年第一季度財報
          
                                                            
            
                    	
          • 　　行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年3月27日第一財季的運營成果。由于公司重組后實行的新會計計量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國GAAP凈銷售額為2.929億美元，經(jīng)營虧損70萬美元，凈虧損1410萬美元。公司美國非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.944億美元，調(diào)整后運營收入3850萬美元，調(diào)整后凈收入為2510萬美元。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Spansion  閃存                          
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          帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點,MCU(微控制器)在過去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數(shù)和數(shù)模外設(shè)、內(nèi)存大小及讀寫次數(shù)等方面呈指數(shù)發(fā)展。我們專注于帶有非易失性嵌入式存儲器的MCU(我們在USB閃存驅(qū)動器、存儲器等內(nèi)擁有閃存)，從首批帶有一次性編
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          • 關(guān)鍵字：
                        MCU優(yōu)點  閃存  雙組  帶有                          
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          4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        閃存  NAND                          
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          Intel鎂光新加坡閃存合資廠舉辦正式開業(yè)儀式
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Intel與鎂光的閃存合資企業(yè)IMFT在新加坡的新閃存工廠近日舉辦了正式開業(yè)儀式。這間工廠耗資近30億美元，員工人數(shù)有望達到1200人。這間工廠從去年中期開始已經(jīng)在生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前正在提升該產(chǎn)品的產(chǎn)量，預計今年晚些時候該廠將能開足馬力進行生產(chǎn)?！?/li>
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Intel  閃存                          
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          英特爾稱其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù)，英特爾稱利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。
　　英特爾的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案部門的總經(jīng)理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的楷模，因為我們將會在制程技術(shù)上持續(xù)領(lǐng)導業(yè)界轉(zhuǎn)換至越來越微小的技術(shù)?！?/li>
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        英特爾  20納米  閃存                          
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          NAND閃存市場或?qū)ⅰ氨辣P”
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在2011年的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細節(jié)。
　　在一段時間內(nèi)，由于手機、平板電腦和固態(tài)存儲等產(chǎn)品市場的強勁需求，NAND閃存廠商一直有著驚人的增長速度。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  閃存                          
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          全新Spansion閃存產(chǎn)品為嵌入式應(yīng)用提供突破性能
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已經(jīng)擴大業(yè)內(nèi)最快速的NOR閃存產(chǎn)品系列，從而為新一代汽車、消費電子和游戲等應(yīng)用注入強勁創(chuàng)新力。Spansion GL-S系列針對快速數(shù)據(jù)訪問、提升互動性和啟動性能而開發(fā)，使得電子設(shè)備在按鍵后幾乎能夠立即啟動，提供最快的交互用戶體驗。這次擴大的GL-S系列密度范圍包括128Mb至2Gb，相比同類競爭NOR產(chǎn)品性能優(yōu)勢提升最高達45%。

　　Spansion GL-S系列產(chǎn)品是基于獲得高度成功的、針對交互游戲應(yīng)用的2Gb GL-S產(chǎn)品，該產(chǎn)品已于2
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          • 關(guān)鍵字：
                        Spansion  閃存  嵌入式應(yīng)用                          
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          CSR采用TSMC先進技術(shù)推出新一代無線產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 　　無線連接、定位與音頻平臺領(lǐng)導廠商CSR與TSMC昨日共同發(fā)布擴大雙方合作關(guān)系，CSR已采用TSMC先進的90納米嵌入式閃存制程技術(shù)、硅知識產(chǎn)權(quán)與射頻CMOS制程推出新一代的無線產(chǎn)品。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        CSR  閃存  CSR8600                          
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          閃存要成為硬盤的終結(jié)者
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)摩爾定律，性價比更高的閃存將取代硬盤，飛快占領(lǐng)存儲市場。
　　有些嘎吱作響的東西很容易讓人聯(lián)想到文物，比如硬盤。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        閃迪公司  閃存                          
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          采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護
          
                                                            
            
                    	
          • 包裝信息可能包含：指定目標設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對用戶有用的信息。這個信息可警告操作員正在使用一個較低版本的固件，從而會使設(shè)備的部分性能降低，或者正在裝載一個不支持的指定設(shè)備。在如今競爭激烈
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          • 關(guān)鍵字：
                        閃存  代碼  發(fā)布  代碼保護                            
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          SanDisk聯(lián)手東芝進軍10nm級別閃存工藝
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。
　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業(yè)費用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn)，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資?！?
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        SanDisk  10nm  閃存                          
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          2011年NAND閃存銷售額將進一步增長
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄，增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預計2011年增長72%，達到193億GB。
　　盡管增長勢頭強勁，但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化。考慮到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過度投資擴大生產(chǎn)，風險可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時供應(yīng)可能超過需求。預計201
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          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  閃存                          
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          美ITC裁定三星及其客戶未侵犯飛索閃存專利
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)國外媒體報道，美國國際貿(mào)易委員會(以下簡稱“ITC”)當?shù)貢r間周四裁定，三星及其客戶沒有侵犯飛索半導體(以下簡稱“飛索”)的兩項芯片專利。
　　如果三星及其客戶侵犯了飛索的專利，蘋果、RIM等公司的多項產(chǎn)品將被禁止進入美國市場。飛索曾經(jīng)是NOR閃存領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  閃存                          
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          產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存標準
          
                                                            
            
                    	
          • 　　JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會, 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導標準制定機構(gòu)日前宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲器標準 - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會上，該標準制定取得的重大進展。該標準旨在成為智能手機與平板電腦等移動電子設(shè)備所使用的基于閃存的最先進的存儲規(guī)范。UFS標準的開發(fā)宗旨是為了滿足不斷提高的設(shè)備性能需求。其最初所支持的數(shù)據(jù)吞吐速率是每秒300兆字節(jié)，并支持指令排隊功能，以便提高隨機讀寫速度。該標準預計將在未來3個月內(nèi)完成。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        閃存  JEDEC                          
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          閃存介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	【閃存的概念】
       閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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