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閃存
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分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告，雖然蘋(píng)果公司對(duì)閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級(jí)本銷(xiāo)售仍然低迷，使得全球閃速存儲(chǔ)器市場(chǎng)收益下降了7個(gè)百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過(guò)，經(jīng)過(guò)去年的低迷期，今年收益將有所增長(zhǎng)，達(dá)到224億美元，并在接下來(lái)的幾年內(nèi)持續(xù)增長(zhǎng)。 具體可參見(jiàn)下表。 ? “閃 存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋(píng)果iPhone是NAND的
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世界最快閃存有顆“武漢芯”
- 不到兩個(gè)指甲蓋大小的芯片，內(nèi)存達(dá)8GB，讀取一部4GB的高清電影，僅需43秒鐘——世界最快的45納米閃存，已在武漢誕生。29日，市長(zhǎng)唐良智調(diào)研武漢新芯集成電路制造有限公司，該公司透露，這種最新式的閃存，將在今年一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 “我們正努力把閃存的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，往前推進(jìn)?！眲倓偮男挛錆h新芯CEO的楊士寧說(shuō)，“我們?yōu)槊绹?guó)公司生產(chǎn)的閃存，是最快、容量最高的NOR閃存?！? 此外，武漢新芯擬投資6.35億美元，將原每月3萬(wàn)片的12
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LSI公布四季度及2012年全年業(yè)績(jī)
- LSI公司(NYSE：LSI)日前公布四季度業(yè)績(jī)以及截止至2012年12月31日的全年業(yè)績(jī)。
- 關(guān)鍵字： LSI 閃存 網(wǎng)絡(luò)
NOR市場(chǎng)仍有可為 需找尋平衡點(diǎn)
- 近日Spansion公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對(duì)外宣稱(chēng)推出45nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。這對(duì)在與NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)中處于下風(fēng)的NOR來(lái)說(shuō)無(wú)疑是一大利好。這一技術(shù)對(duì)NOR閃存的市場(chǎng)發(fā)展會(huì)帶來(lái)怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場(chǎng)格局是否會(huì)發(fā)生變化成為業(yè)界關(guān)注熱點(diǎn)。 NOR技術(shù)仍在進(jìn)步 截至2020年，每個(gè)用戶(hù)擁有的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計(jì)將達(dá)到7臺(tái)左右，實(shí)現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無(wú)縫的設(shè)備間連接。在此過(guò)程中，閃存&ldqu
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫(xiě)循環(huán)
- 三星840系列固態(tài)硬盤(pán)開(kāi)啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問(wèn)題。 遺憾的是，沒(méi)有任何廠商公開(kāi)談?wù)撨^(guò)TLC閃存的可靠程度，只能猜測(cè)編程/擦寫(xiě)循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫(xiě)入量，再加上寫(xiě)入放大的緣故，根本無(wú)從得知寫(xiě)入了多少數(shù)據(jù)。 不過(guò)還是有個(gè)變通方法
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存 TLC NAND
存儲(chǔ)器：唯持續(xù)獲利和研發(fā)方能立足
- 最近半導(dǎo)體廠商第三季度財(cái)報(bào)陸續(xù)出爐，可謂有人歡喜有人愁。Spansion公司第三季度銷(xiāo)售額為2.397億美元，毛利率為32.7%，這也是其連續(xù)8個(gè)季度持續(xù)嬴利，可謂走出去年被破產(chǎn)傳聞困擾的陰霾。Spansion如何在波動(dòng)不止的市場(chǎng)中保持正增長(zhǎng)，未來(lái)存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局將如何演變?為此，《中國(guó)電子報(bào)》記者獨(dú)家專(zhuān)訪了Spansion首席執(zhí)行官兼董事會(huì)成員John Kispert。 貢獻(xiàn)來(lái)自NOR和新NAND閃存 談及Spansion增長(zhǎng)的動(dòng)力，John Kispert坦言，業(yè)績(jī)穩(wěn)定增長(zhǎng)主要是因?yàn)镹O
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宏力攜手同方穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米微縮版嵌入式閃存
- 提供卓越差異化技術(shù)的晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“宏力半導(dǎo)體”)與國(guó)內(nèi)主要的智能卡設(shè)計(jì)公司之一，北京同方微電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“同方微電子”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過(guò)2億顆，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。 宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來(lái)0.38平方微米的閃存存儲(chǔ)單元面積顯著減小了近50%(小于
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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