碳化硅！ 文章 最新資訊
純電動捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布，搭載先進 Wolfspeed 碳化硅技術
- 2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導體技術和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動方程式世界錦標賽 Formula E（以下簡稱：Formula E）設計、研發(fā)打造，標志著 Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車新時代。
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導體：提高用電效率、增加電動車續(xù)航里程
- 據(jù)日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費約20年推進研發(fā)碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
- 關鍵字： 羅姆 功率半導體 碳化硅 新能源車
以碳化硅技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程
- 目前影響著車輛運輸和半導體技術的未來有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅(qū)動我們的汽車，同時重新設計支撐電動車（EV）子系統(tǒng)的半導體材料，大幅提升功效比，進而增加電動車的行駛里程。政府監(jiān)管機構持續(xù)要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對于違規(guī)行為給予嚴厲的處罰，同時開始沿著道路和停車區(qū)域增設電動車充電基礎設施。但是，盡管取得了這些進展，主流消費者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮，使電動車的推廣受到阻力。更復雜的是，大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關于行駛里程的
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碳化硅器件在UPS中的應用研究
- 本文分析了目前不間斷電源（UPS）在互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心中的應用和發(fā)展趨勢。對目前熱門的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術做了介紹，并著重說明了碳化硅器件在UPS應用中的優(yōu)勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案，最后基于50 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引 言互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(Internet Data Center,IDC),是集中計算和存儲數(shù)據(jù)的場所，是為了滿足互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務以及信息服務需求而構建的應用基礎設施。受新基建、數(shù)字經(jīng)濟等國家政策影響以及新一代信息技術發(fā)展的驅(qū)動，我國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模增長迅猛。隨著
- 關鍵字： Infineon 碳化硅 UPS
Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達成長期碳化硅供應協(xié)議
- 中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協(xié)議。此次合作將提高半導體供應鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場對先進碳化硅解決方案迅速增長的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會為他們提供更好的保護并增強其信心。SiC 器件
- 關鍵字： Qorvo SK Siltron CSS 碳化硅
SEMICON China | 探討熱點與前沿技術 ，功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦
- 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈領先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風雨，怎么能
- 關鍵字： 碳化硅 氮化鎵 InP
碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動技術助力實現(xiàn)“萬物電氣化”
- 綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現(xiàn)在其所肩負實現(xiàn)商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
- 關鍵字： 碳化硅 SiC 電源管理 可配置數(shù)字柵極驅(qū)動 萬物電氣化
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
- 關鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
電動汽車東風起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速
- 碳化硅的發(fā)展與電動汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動駕駛技術的升級演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領域的頭部企業(yè)，其動態(tài)是行業(yè)的重要風向標，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價值數(shù)十億美元的新工廠，以生產(chǎn)為電動汽
- 關鍵字： 碳化硅 電源管理芯片
第三代半導體頭部企業(yè)基本半導體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進程
- 2022年9月20日，國內(nèi)第三代半導體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進一步加強碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規(guī)模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業(yè)務加速拓
- 關鍵字： 基本半導體 代半導體 碳化硅
第三代半導體擴產(chǎn)，硅的時代要結(jié)束了嗎
- 半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數(shù) (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產(chǎn)能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調(diào)為“同比增長3倍”，而
- 關鍵字： 碳化硅 氮化鎵
功率半導體組件的主流爭霸戰(zhàn)
- 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現(xiàn)，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
- 關鍵字： 硅 碳化硅 氮化鎵 功率半導體
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