EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體 文章 最新資訊
英飛凌PCIM Asia 2025展會(huì)：創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新紀(jì)元
- 全球功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)軍者英飛凌科技重磅亮相上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia 2025），現(xiàn)場(chǎng)展示了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，特別是在最受關(guān)注的AI服務(wù)器電源新架構(gòu)和汽車(chē)功率器件領(lǐng)域的先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案成為全場(chǎng)矚目的焦點(diǎn)。此次展會(huì)，英飛凌不僅展示了其在綠色能源、電動(dòng)化出行、AI算力電源等關(guān)鍵領(lǐng)域的最新突破，更以實(shí)際行動(dòng)詮釋了其在推動(dòng)能源轉(zhuǎn)型與智能化發(fā)展方面的技術(shù)引領(lǐng)作用。PCIM Asia 2025英飛凌展臺(tái)800V SiC主驅(qū)逆變器系統(tǒng)：系統(tǒng)級(jí)解決方案驅(qū)動(dòng)未來(lái)電動(dòng)出行首先，
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 PCIM Asia 功率半導(dǎo)體
瑞薩電子采用下一代功率半導(dǎo)體 為800伏直流AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)供電
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構(gòu)的高效電源轉(zhuǎn)換和分配，推動(dòng)下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展。隨著GPU驅(qū)動(dòng)的AI工作負(fù)載日益密集，數(shù)據(jù)中心功耗攀升至數(shù)百兆瓦級(jí)別，現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心亟需兼具能效優(yōu)化與可擴(kuò)展性的電源架構(gòu)。GaN FET開(kāi)關(guān)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，憑借其更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的能量損耗，及卓越的熱管理性能，正迅速成為關(guān)鍵解決方案。此外，GaN功率器件將推動(dòng)機(jī)架內(nèi)800V直流母線的發(fā)展，在通過(guò)DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器支持48V組件復(fù)用的同時(shí)
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 功率半導(dǎo)體 AI數(shù)據(jù)中心
韓國(guó)在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬(wàn)片晶圓
- 碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭(zhēng)先?，F(xiàn)在，韓國(guó)也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開(kāi)啟了韓國(guó)首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。據(jù)報(bào)道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設(shè)施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國(guó)首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。如《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》所強(qiáng)調(diào)，釜山廣域市政府將項(xiàng)目的完成視為一個(gè)關(guān)鍵里程碑，旨在提升國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)并
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體，「優(yōu)等生」出列
- 近年來(lái)，新能源汽車(chē)、光伏、風(fēng)電等產(chǎn)業(yè)持續(xù)擴(kuò)張，疊加寬禁帶半導(dǎo)體材料等新技術(shù)逐步落地，推動(dòng)功率半導(dǎo)體成為市場(chǎng)關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域。富士經(jīng)濟(jì)曾在今年 4 月的報(bào)告中寫(xiě)道：功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在 2024 年受到庫(kù)存積壓的打擊。需求預(yù)計(jì)將從 2024 年下半年開(kāi)始復(fù)蘇，庫(kù)存預(yù)計(jì)將在 2025 年下半年恢復(fù)正常。那么如今的功率半導(dǎo)體復(fù)蘇情況如何了？隨著國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體頭部公司業(yè)績(jī)的相繼披露，該市場(chǎng)的走向逐漸明晰。功率半導(dǎo)體公司，誰(shuí)是優(yōu)等生？上述十家功率半導(dǎo)體公司中，表現(xiàn)最為亮眼的莫過(guò)于士蘭微。該公司上半年?duì)I業(yè)收入為 63.36
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體
中國(guó)挑戰(zhàn)日功率半導(dǎo)體主導(dǎo)權(quán) 日媒：技術(shù)差距僅剩不到3年
- 日本在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域長(zhǎng)期占據(jù)一定優(yōu)勢(shì)，但面對(duì)中國(guó)企業(yè)的快速追趕和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 《日經(jīng)亞洲》20日?qǐng)?bào)導(dǎo)，中國(guó)企業(yè)在硅和碳化硅基板制造方面逐漸建立完整生產(chǎn)能力，利用低廉能源成本和龐大市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，其垂直整合模式也對(duì)日本企業(yè)構(gòu)成挑戰(zhàn)。 盡管形勢(shì)艱難，東芝、羅姆、三菱電機(jī)等日本廠商卻遲遲未能形成統(tǒng)一戰(zhàn)線。業(yè)內(nèi)專(zhuān)家指出，日本與中國(guó)企業(yè)在硅芯片上的技術(shù)差距可能只有一到兩年，在碳化硅上也不超過(guò)三年。 日本企業(yè)高估了本土電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的發(fā)展以及自身的全球競(jìng)爭(zhēng)力，必須加速整合以提高成本競(jìng)爭(zhēng)力。功率器件是
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體
車(chē)載電驅(qū)“芯”引擎：RIGOL功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能測(cè)試解決方案解析
- 功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見(jiàn)類(lèi)型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統(tǒng)Si器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開(kāi)關(guān)速度、高結(jié)溫下同時(shí)承受高壓大電流等特性，可顯著提升轉(zhuǎn)換效率、功率密度并降低系統(tǒng)成本，特別適用于車(chē)載逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、光伏、UPS、儲(chǔ)能及工業(yè)電源等場(chǎng)景。當(dāng)前國(guó)內(nèi)外 SiC產(chǎn)業(yè)鏈加速成熟，主流廠商已推出多款 SiC產(chǎn)品，成本持續(xù)下降，應(yīng)用正呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。圖1 雙脈沖測(cè)試電路功率半導(dǎo)體測(cè)試需求與挑戰(zhàn)功率半
- 關(guān)鍵字： 車(chē)載電驅(qū) RIGOL 功率半導(dǎo)體測(cè)試 功率半導(dǎo)體
BelGaN 破產(chǎn)將使比利時(shí)損失 100 萬(wàn)歐元；氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片
- BelGaN 在比利時(shí)的氮化鎵功率半導(dǎo)體工廠去年關(guān)閉。據(jù) eeNews Europe 的報(bào)道，有報(bào)道稱三個(gè)財(cái)團(tuán)有興趣收購(gòu)該設(shè)施，主要用于光子應(yīng)用。報(bào)道還指出該工廠之前專(zhuān)注于汽車(chē)功率器件。報(bào)告稱，關(guān)閉預(yù)計(jì)將使地方當(dāng)局花費(fèi)超過(guò)110萬(wàn)歐元，并補(bǔ)充說(shuō)，歐洲全球化和調(diào)整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報(bào)道中提到的競(jìng)標(biāo)者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 功率半導(dǎo)體 晶圓代工
利用 SMFA 系列非對(duì)稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)
- 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開(kāi)關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保對(duì)MOSFET的安全控制，防止寄生導(dǎo)通，避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護(hù)敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過(guò)高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護(hù)解決方案，有助于最大限度地延長(zhǎng)電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的穩(wěn)健性，有幾個(gè)問(wèn)題值得考慮。除了驅(qū)動(dòng)器安全切換半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導(dǎo)體
詳解IGBT工作原理
- 大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
- 關(guān)鍵字： IGBT 功率半導(dǎo)體
動(dòng)態(tài)測(cè)試WBG功率半導(dǎo)體裸片
- 雙脈沖測(cè)試將在電力電子的未來(lái)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。電源設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)工程師依靠它來(lái)評(píng)估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導(dǎo)體在動(dòng)態(tài)條件下的開(kāi)關(guān)特性。通過(guò)評(píng)估開(kāi)關(guān)期間的功率損耗和其他指標(biāo)，這些測(cè)試使工程師能夠優(yōu)化最新電源轉(zhuǎn)換器、逆變器和其他電源電路的效率和可靠性。推動(dòng)采用雙脈沖測(cè)試的是它能夠在設(shè)計(jì)過(guò)程的早期評(píng)估最壞情況下工作條件下的電力電子設(shè)備。這有助于降低將來(lái)出現(xiàn)不可預(yù)見(jiàn)問(wèn)題的風(fēng)險(xiǎn)。然而，由于 SiC MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度更快，GaN 功率 FET 的頻率更高，因此基于氮化
- 關(guān)鍵字： 動(dòng)態(tài)測(cè)試 WBG 功率半導(dǎo)體
Kulicke & Soffa推出用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的Asterion-PW
- Kulicke and Soffa Industries Inc.（“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”）宣布推出Asterion-PW超聲波針焊接機(jī)，通過(guò)快速精確的超聲波針焊接解決方案擴(kuò)大其在功率元件應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這種先進(jìn)的解決方案為Pin互連能力設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)，重新定義了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽車(chē)和鐵路等應(yīng)用中，越來(lái)越多的常用功率模塊元件使用超聲波焊接來(lái)實(shí)現(xiàn)Pin針和DBC的互連以滿足信號(hào)傳輸和機(jī)械固定的要求。功率模塊市場(chǎng)是增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： Kulicke & Soffa 功率半導(dǎo)體 Asterion-PW
SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
- 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實(shí)際上也是通過(guò)并聯(lián)芯片實(shí)現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
- 關(guān)鍵字： JFET Cascode 功率半導(dǎo)體
CGD 獲得3,200萬(wàn)美元融資，以推動(dòng)在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長(zhǎng)
- 2025年2月19日 英國(guó)劍橋- 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬(wàn)美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國(guó)耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國(guó)企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國(guó)展望集團(tuán)（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。 &nbs
- 關(guān)鍵字： CGD 功率半導(dǎo)體
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（二）——驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)探究
- 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章以閱讀雜談的方式講詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用這些功能，也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)一個(gè)可靠的功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要從輸入側(cè)開(kāi)始，輸入端可能會(huì)受到干擾，控制電路也會(huì)發(fā)生邏輯錯(cuò)誤，可能的誤觸發(fā)會(huì)造成系統(tǒng)輸出混亂，甚至損壞器件。一個(gè)典型的無(wú)磁芯變壓器耦合的隔離型驅(qū)動(dòng)器輸入測(cè)如框圖所示，本文重點(diǎn)講講不起眼的IN
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)電路 功率半導(dǎo)體 驅(qū)動(dòng)器
功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)（一）綜述
- 工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大，設(shè)計(jì)看似簡(jiǎn)單，但要設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單低成本的電路并不容易，主要難點(diǎn)有幾點(diǎn)：1 電路要求簡(jiǎn)潔，占用線路板面積要小一個(gè)EasyPACK? 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊，周長(zhǎng)20cm，占板面積27cm2，很小，在四周要安排布置6路驅(qū)動(dòng)和4-6路隔離電源并不容易，如果需要正負(fù)電源就更復(fù)雜。2 電力電子系統(tǒng)需要滿足相應(yīng)的安規(guī)和絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)，保證合規(guī)的爬電距離和電氣間隙，這使得PCB面積更捉襟見(jiàn)肘。3 對(duì)于中大功率的功率模塊，驅(qū)動(dòng)板會(huì)放在模塊上方，會(huì)受熱和直面較強(qiáng)的電
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 驅(qū)動(dòng)電源 電路設(shè)計(jì)
功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]
功率半導(dǎo)體研討會(huì)推薦
功率半導(dǎo)體資料下載
功率半導(dǎo)體專(zhuān)欄文章
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473