功率半導(dǎo)體 文章 最新資訊
英飛凌高層談發(fā)展策略及經(jīng)營理念
- 2021年9月,英飛凌科技宣布位于奧地利菲拉赫的300 mm薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動運(yùn)營。這座以“面向未來”為座右銘的芯片工廠,總投資額為16億歐元(1歐元約為人民幣7.5元),是歐洲微電子領(lǐng)域同類中最大規(guī)模的項(xiàng)目之一,也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體器件工廠之一。英飛凌為何非常重視功率半導(dǎo)體的發(fā)展?其整體發(fā)展思路是什么?
- 關(guān)鍵字: 202110 功率半導(dǎo)體 工廠
英飛凌奧地利12 吋功率半導(dǎo)體廠啟用
- 英飛凌科技(Infineon)今日宣布,正式啟用其位于奧地利菲拉赫的 12 吋薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片廠。這座12吋廠采用當(dāng)今最高的建筑工藝,大量的使用再生能源與節(jié)能設(shè)計,一落成就是座零碳排的現(xiàn)代化廠房,同時它也充分結(jié)合了自動化與數(shù)字化控制的技術(shù),并使用人工智能方案來進(jìn)行維護(hù),以達(dá)成最高的營運(yùn)效率。 英飛凌的資深員工,將第一片出廠的晶圓遞交給執(zhí)行長為了實(shí)現(xiàn)這座高科技半導(dǎo)體廠房,英飛凌共募集了16 億歐元的投資額,是歐洲微電子領(lǐng)域中最大規(guī)模的投資項(xiàng)目之一,也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體組件工廠之一。英飛凌
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SiC大戰(zhàn)拉開帷幕,中國勝算幾何
- 近些年,隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增,因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢下,SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴,目前,襯底成本大約是加工晶片的50%,外延片是25%,器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%,封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴,生產(chǎn)工藝還復(fù)雜,與硅相比,碳化硅很難處理、研磨和鋸切,挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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功率半導(dǎo)體-馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件
- 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá),而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅(qū)動馬達(dá)用電效率的需求將會越來越顯著。
- 關(guān)鍵字: IGBT7 SiC MOSFET 馬達(dá)變頻器 功率半導(dǎo)體 英飛凌
東芝將增產(chǎn)純電動車功率半導(dǎo)體,投資約250億日元
- 日經(jīng)中文網(wǎng)3月10日消息,東芝將在位于日本石川縣的主力工廠引進(jìn)能大量生產(chǎn)純電動汽車(EV)等使用的功率半導(dǎo)體的制造設(shè)備。在去碳化潮流下,純電動車用半導(dǎo)體需求不斷擴(kuò)大。東芝將投資約250億日元,將石川工廠的產(chǎn)能提高2成。全球只有部分大型半導(dǎo)體廠商使用該設(shè)備來制造功率半導(dǎo)體。 將電力高效轉(zhuǎn)化成動力的功率半導(dǎo)體可以降低純電動車等的耗電量。
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功率半導(dǎo)體行業(yè)專題報告:新能源汽車重塑功率半導(dǎo)體價值
- 汽車“四化”趨勢明確,對半導(dǎo)體需求價值量倍增汽車行業(yè)向電動化、智能化、數(shù)字化及聯(lián)網(wǎng)化方向發(fā)展,直接帶動汽車 含硅量提升。新能源電動汽車的出現(xiàn)意味著傳統(tǒng)汽車的核心競爭要素將 被取代,產(chǎn)品價值鏈被重塑。新能源車中對于電力控制的需求大幅增加,功率器件中特別是 IGBT 是 工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件,其通過信號指令來調(diào)節(jié)電路中的 電壓、電流等以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的,保障電子產(chǎn)品、電力設(shè)備正常運(yùn) 行,同時降低電壓損耗,使設(shè)備節(jié)能高效。汽車半導(dǎo)體作為汽車電動化 關(guān)鍵載體之一,需求價值成倍增長,據(jù)估算純電
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總投資60億,這個半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計本月建成、年底投片生產(chǎn)
- 據(jù)濟(jì)南日報報道,總投資60億元的富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計今年6月建成,年底實(shí)現(xiàn)投片生產(chǎn)。據(jù)濟(jì)南市人民政府辦公廳發(fā)布2020年度市級重點(diǎn)項(xiàng)目名單,富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬片的兩座8英寸廠及一座月產(chǎn)5萬片的12英寸廠,一期總投資金額約人民幣60億元,主要建設(shè)月產(chǎn)3萬片的8英寸硅基功率元件產(chǎn)能和月產(chǎn)1000片的6英寸碳化硅(SiC)功率元件產(chǎn)能,應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車等。項(xiàng)目投產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)量48萬片,年產(chǎn)值可達(dá)36億元。據(jù)此前公開消息,該項(xiàng)目計劃2020年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),2022年滿產(chǎn)。
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Littelfuse新的功率半導(dǎo)體裝配工廠破土動工
- 中國,北京,2019年7月16日訊 --全球領(lǐng)先的電路保護(hù)、電源控制和傳感技術(shù)制造商Littelfuse,Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:LFUS)今日宣布它最近在菲律賓利帕市的一家新的功率半導(dǎo)體組裝工廠破土動工。 這將是該公司在菲律賓的第三家制造工廠,它將致力于功率半導(dǎo)體模塊的裝配和測試操作?!盎谑召廔XYS和加入到我們產(chǎn)品組合的高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,對菲律賓這家最先進(jìn)的新工廠的投資將進(jìn)一步擴(kuò)展我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的能力,這是Littelfuse增長戰(zhàn)略的關(guān)鍵驅(qū)動力。”Littelfuse半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字: Littelfuse 功率半導(dǎo)體 裝配工廠
功率半導(dǎo)體市場分析匯總,這一篇就夠了
- 從長遠(yuǎn)來看,由于決定核心競爭力的前段制造能力和關(guān)乎企業(yè)發(fā)展 速度的設(shè)計能力對于一家功率半導(dǎo)體企業(yè)而言缺一不可,再加上掌握封測環(huán) 節(jié)一方面可以占據(jù)更廣闊的利潤空間,另一方面可以增強(qiáng)對產(chǎn)品性能的把控、與設(shè)計制造環(huán)節(jié)形成協(xié)同效應(yīng),因此我們判斷從長遠(yuǎn)來看IDM是功率半導(dǎo)體 廠商的必然選擇。
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 晶圓
2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元
- TrendForce在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》指出,受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣,其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年增長8%。
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 IGBT
瞄準(zhǔn)市場 錯位發(fā)展——中國需要提升模擬和功率半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)能
- 近幾年,國內(nèi)各地陸續(xù)上馬的重大半導(dǎo)體代工項(xiàng)目大多在瞄著數(shù)字工藝。不僅僅臺積電和中芯國際等業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)企業(yè),甚至傳說中的“武漢弘芯”,以及某個在山東簽約的12吋項(xiàng)目,動輒12吋,起步14nm——似乎數(shù)字工藝更“高大上”,更是中國需要。但,對國內(nèi)項(xiàng)目深入調(diào)研和思考后,芯謀研究認(rèn)為,相比“市長”需要先進(jìn)數(shù)字工藝,“市場”更需要模擬和功率的技術(shù)與產(chǎn)能?! ∫?、模擬晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)能需求旺盛,國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)能嚴(yán)重不足 首先,中國的模擬芯片市場規(guī)模占全球40%以上,晶圓代工需求巨大。 根據(jù)WSTS(全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織
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功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么
- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢琒iC和GaN并不是終點(diǎn),最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?! ?shí)際上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
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功率半導(dǎo)體的市場應(yīng)用及發(fā)展趨勢預(yù)測
- 近日,國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商的好消息不斷,先是由佛山合芯半導(dǎo)體有限公司投資的合芯高端功率半導(dǎo)體項(xiàng)目全面投產(chǎn),主要研究三極管、MOSFET封裝測試、可控硅、三端穩(wěn)壓管、高反壓開關(guān)三極管、信號放大三極管、集成電路等;然后是重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司的12英寸功率半導(dǎo)體晶元測試片已順利產(chǎn)出,預(yù)計年底正式量產(chǎn),據(jù)悉,這是亞洲首款12寸半導(dǎo)體芯片?! 」β拾雽?dǎo)體器件也叫電力電子器件,它的作用是進(jìn)行功率處理的,是處理高電壓、大電流的。IGBT和功率MOSFET器件是目前應(yīng)用最廣泛的電力電子器件,作為新型功率半導(dǎo)體器件
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大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會
- 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變,實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級,優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
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英飛凌著眼長期增長,在奧投資16億歐元新建300毫米芯片工廠
- 英飛凌科技股份公司準(zhǔn)備新建一座功率半導(dǎo)體工廠。作為功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌將通過此項(xiàng)投資,為其長期盈利性增長奠定基礎(chǔ)。英飛凌將在奧地利菲拉赫現(xiàn)有生產(chǎn)基地附近,新建一座全自動化芯片工廠,用于制造300毫米薄晶圓。奧地利總理Sebastian Kurz、英飛凌首席執(zhí)行官Reinhard Ploss博士和英飛凌奧地利首席執(zhí)行官Sabine Herlitschka博士在維也納共同為該項(xiàng)目進(jìn)行了推介。英飛凌計劃在未來6年內(nèi)為此項(xiàng)目投入約16億歐元。這座新建的高效率工廠將創(chuàng)造約400個就業(yè)崗位,尤其將吸引一
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功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]
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