東芝 文章 最新資訊
東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET
- 中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反
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日本東芝正式退市
- 據(jù)日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團(tuán)正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財團(tuán)將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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東芝、羅姆將合作生產(chǎn)功率半導(dǎo)體
- 知情人士表示，日本東芝集團(tuán)和電氣部件公司羅姆公司將合作開展功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。他們表示，這兩家公司總共花費了3800億日元（26億美元）來擴(kuò)大其功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，預(yù)計日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將承擔(dān)高達(dá)約1300億日元的成本。功率半導(dǎo)體能夠處理高電壓和大電流，通常用于電動汽車。據(jù)消息人士透露，東芝和羅姆的合作將分別涉及在石川縣和宮崎縣建造的新工廠。日本工業(yè)伙伴股份有限公司領(lǐng)導(dǎo)的財團(tuán)收購了東芝78.65%的股份，東芝將于本月退市。羅門是該財團(tuán)的一部分。全球?qū)β拾雽?dǎo)體的需求預(yù)計將增長，羅姆和東芝是主要供應(yīng)商之一。根據(jù)研究公
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東芝通過私有化提案，即將從東京證券交易所退市
- 東芝官網(wǎng)消息，近期東芝公司股東在特別股東大會上通過公司私有化提案，該公司將于12月20日從東京證券交易所退市。資料顯示，東芝是日本制造業(yè)代表廠商之一，2021年11月東芝對外宣布進(jìn)行戰(zhàn)略重組，計劃在2024年3月之前原東芝集團(tuán)將拆分為三間獨立公司，分別專注于基礎(chǔ)設(shè)施、電子設(shè)備和半導(dǎo)體，其中，分拆后的半導(dǎo)體公司將由東芝所持有的鎧俠和東芝科技公司組成。2022年2月東芝又調(diào)整了重組方案，放棄了一分為三計劃，僅計劃分拆成兩家獨立的公司，分別專注于基礎(chǔ)設(shè)施服務(wù)和包括半導(dǎo)體在內(nèi)的設(shè)備業(yè)務(wù)，并且出售非核心資產(chǎn)。不過，
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e絡(luò)盟擴(kuò)充東芝場效應(yīng)管產(chǎn)品系列,滿足全球市場日益增長的需求
- 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布新增250多種東芝（Toshiba）產(chǎn)品，包括一系列新型N通道功率場效應(yīng)管（MOSFET）。新增系列將涵蓋600V-650V的高壓和30V-150V的低壓產(chǎn)品。Farnell及e絡(luò)盟高級供應(yīng)商客戶經(jīng)理Ibtissame Krumm表示：“全球功率半導(dǎo)體市場正在迅速擴(kuò)張。盡管這段時間以來，汽車應(yīng)用對功率半導(dǎo)體的需求一直是人們的熱點話題。但它掩蓋了一個事實，那就是許多其他應(yīng)用的需求增長速度也非常迅猛，至少與汽車應(yīng)用的需求增長速度相當(dāng)。”他補(bǔ)充道：“功率場效
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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)
- 中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護(hù)。&nbs
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以綠色數(shù)字科技點亮嶄新未來 東芝六赴進(jìn)博之約
- 第六屆中國國際進(jìn)口博覽會（以下簡稱“進(jìn)博會”）正式拉開帷幕。本屆展會上，東芝以“為了人類和地球的明天”為主題，連續(xù)六次參加進(jìn)博會，展示了在半導(dǎo)體、工業(yè)制造、減碳、能源、醫(yī)療、數(shù)字化六大領(lǐng)域的14項先進(jìn)技術(shù)和解決方案。其中，東芝車載半導(dǎo)體產(chǎn)品、東芝分散·耦合式仿真平臺、良品學(xué)習(xí)AI圖像檢測技術(shù)、現(xiàn)場業(yè)務(wù)數(shù)字化MR軟件、音場優(yōu)化解決方案、離線語音識別模塊等多款創(chuàng)新數(shù)字化解決方案均首次參展進(jìn)博會。東芝（中國）有限公司董事長兼總裁八木隆雄表示：“作為進(jìn)博會的‘鐵粉’，東芝已連續(xù)六年參加這一全球經(jīng)貿(mào)盛會。我們深刻感
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智能插頭，讓電器更加智能
- 隨著科技的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品智能化在逐步走進(jìn)我們的生活，其中就包含著智能插頭。這些智能產(chǎn)品可以使我們的生活和工作更安全、更舒適、更便捷。同時，也讓我們更好的享受生活。那么，智能插頭到底如何“智能”？其實，智能插頭就是將原有的普通插頭接入到物聯(lián)網(wǎng)平臺之中，在保證原有的功能正常前提之下，使其帶有聯(lián)網(wǎng)的屬性，方便用戶可以遠(yuǎn)程控制智能插頭，從而控制接在智能插頭上的用電設(shè)備，降低引發(fā)危險的可能性并提高人們的生活質(zhì)量。智能插頭的內(nèi)部構(gòu)造大致由電源轉(zhuǎn)換、MCU控制、繼電器、無線通信、外圍保護(hù)電路等部分組成，其中無線通信
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東芝推出適用于半導(dǎo)體測試設(shè)備中高頻信號開關(guān)的小型光繼電器
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號中的插入損耗，并抑制功率衰減[1]，適用于使用大量繼電器且需要實現(xiàn)高速信號傳輸?shù)陌雽?dǎo)體測試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。TLP3475W采用了東芝經(jīng)過優(yōu)化的封裝設(shè)計，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz（典型值）[2]——與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3[2]。TL
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東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新
- 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應(yīng)用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關(guān)器件。此外，SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
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東芝進(jìn)一步擴(kuò)展Thermoflagger?產(chǎn)品線---檢測電子設(shè)備溫升的簡單解決方案
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，進(jìn)一步擴(kuò)展ThermoflaggerTM過溫檢測IC產(chǎn)品線---“TCTH0xxxE系列”。該系列可用于具有正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻的簡單電路中，用來檢測電子設(shè)備中的溫度升高，六款新產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。為了使電子設(shè)備按規(guī)定運(yùn)行，半導(dǎo)體和其他電子元件必須在設(shè)計參數(shù)范圍內(nèi)工作。內(nèi)部溫度是一個關(guān)鍵參數(shù)，特別是當(dāng)它高于設(shè)計流程中的假設(shè)溫度時，它就可能成為安全性和可靠性方面的一個主要問題，因此需要過溫監(jiān)測解決方案來檢測任何溫度升高。當(dāng)配置在具有PTC熱
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人體傳感器設(shè)計秘籍
- 人體傳感器是設(shè)計用于檢測人體靠近或離開等特征的電子設(shè)備。隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起，其在消費電子、汽車、醫(yī)療設(shè)備、樓宇自動化、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域掀起了熱浪。在智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備上幾乎都能見到它的身影，用來檢測人體移動過程或者跌倒告警是當(dāng)今一種重要的技術(shù)手段。同時，在家庭和企業(yè)安全系統(tǒng)中也得了廣泛的應(yīng)用，例如人體探測器燈、移動探測警報器、無線門鈴、智能沖水設(shè)備上都是基于此原理實現(xiàn)的。市場上有各種各樣的人體傳感器，但都可歸類為這兩種：主動人體傳感器（有源傳感器）和被動人體傳感器（無源傳感器），且分為電池供電的人體檢測器以
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東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影
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東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預(yù)計未來幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應(yīng)用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
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東芝推出用于直流無刷電機(jī)驅(qū)動的600V小型智能功率器件
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）---“TPD4163F”和“TPD4164F”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用?！癟PD4163F”和“TPD4164F”的輸出電流（DC）額定值分別為1A和2A，于今日開始支持批量出貨。這兩款新產(chǎn)品均采用表面貼裝型HSSOP31封裝，與東芝之前的產(chǎn)品相比，表貼面積減小了約63%[1]---這不僅縮小了電機(jī)驅(qū)動電路板的尺寸，同時也降低了電機(jī)高度。考慮到在供電不穩(wěn)定的地區(qū)，供電電壓可能波動較大，
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東芝介紹
東芝（TOSHIBA），是日本最大的半導(dǎo)體制造商，亦是第二大綜合電機(jī)制造商，隸屬于三井集團(tuán)旗下。
歷史
東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。
兩家公司中第一個成立的是田中制造所，那是日本國內(nèi)第一家電報設(shè)備制造公司；是由田中久重于1875年創(chuàng)立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀(jì)初期，公司以供應(yīng)日本國內(nèi)的重型機(jī)電制造為主業(yè)；在明治維新之后，公司更躍升為世界的工業(yè)大廠之一。
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