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山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Ele......
美國加州大學洛杉磯分校 （UCLA） 和密歇根大學安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽 （NPDR） 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 具有破紀錄的小信號性能 [Oguz Odabasi ......
與傳統(tǒng)硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導通電阻和更小的寄生電容。半導體工程師現(xiàn)在正在......
電池是一種方便、高密度的能量儲存。它們成為互聯(lián)無線和物聯(lián)網(wǎng)設備的中流砥柱并非偶然。然而，電池有很多不喜歡的地方：* 尺寸和形狀 – 圓柱形或紐扣電池具有笨重的外形，很難適應消費者喜歡的時尚和超薄設計。* 總擁有成本高——......
多種發(fā)電系統(tǒng)方法2可以應用于天基電力子系統(tǒng)（EPS）為航天器提供動力（圖1）。圖1. 太空中典型的電力子系統(tǒng) （EPS）。此類電源包括：太陽能電池陣列：光伏組件可以吸收太空中的陽光，從而為衛(wèi)星產(chǎn)生直流電鋰離子電池：這些電......
幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實現(xiàn)了系統(tǒng)級成本、......
充電器也能危害生命？專家分析手機充電器內部變壓器漏電，220VAC的交流電漏電到直流端，并通過數(shù)據(jù)線傳導到了手機金屬殼上，最終導致觸電身亡，發(fā)生無可挽回的悲劇。那么手機充電器輸出端為什么會帶有220V的交流電呢？隔離電源......
非晶合金材料使空載損耗降低70%，平面變壓器厚度壓縮至2.65mm，集成變壓器IC將解決方案體積減少80%變壓器作為電能轉換的核心設備，自1885年閉路磁芯變壓器發(fā)明以來，其基礎工作原理始終基于電磁感應定律——當交流電通......
柵極驅動器對于 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 等寬帶隙半導體至關重要。這些器件在許多方面都優(yōu)于常規(guī)硅器件。這些先進的器件具有更快的開關速度并在更高的頻率下運行，因此需要優(yōu)化柵極驅動電路。本常見問題解答將涵蓋......
當工業(yè)機器人因電網(wǎng)浪涌停機1秒損失萬元時，傳統(tǒng)過壓保護電路的致命缺陷暴露無遺——僅監(jiān)測電流的粗放控制，迫使工程師選用超規(guī)格MOSFET，導致電源模塊體積膨脹60%。而LT4363的創(chuàng)新雙參數(shù)控制，通過電壓-電流協(xié)同算法精......
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