瑞薩電子通過(guò)下一代功率FET將GaN推向千瓦級(jí)

• 幾十年來(lái)，硅一直是電力電子領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的領(lǐng)導(dǎo)者。但隨著硅達(dá)到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進(jìn)展。憑借更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費(fèi)類(lèi)快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)成本、空間和功耗節(jié)省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 一直在努力進(jìn)入千瓦級(jí)功率設(shè)計(jì)。瑞薩電子正試圖通過(guò)其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來(lái)改變這一現(xiàn)狀，該 FET 專(zhuān)為要求苛刻的系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，從數(shù)據(jù)中心的 AI 服務(wù)器電源和不間斷電源 （
• 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  功率  FET  GaN  千瓦級(jí)