N極深凹槽E型氮化鎵HEMT

• 美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校 （UCLA） 和密歇根大學(xué)安娜堡分校聲稱增強(qiáng)模式 N 極性深凹槽 （NPDR） 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 具有破紀(jì)錄的小信號(hào)性能 [Oguz Odabasi 等人，IEEE 電子器件快報(bào)，2025 年 7 月 3 日在線發(fā)表]。特別是，122GHz 的高頻率T截止頻率可實(shí)現(xiàn) 9.1GHz-μm f 的高值TxLG盡管柵極長(zhǎng)度很短，但品質(zhì)因數(shù)很短 （LG).該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為該器件結(jié)構(gòu)在高頻、高功率應(yīng)用中很有前途。研究人員認(rèn)為 N 極性氮化鎵的優(yōu)勢(shì)包括“
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