由于0.065微米(65納米)生產(chǎn)工藝即將正式問世，因此在即將舉辦的“英特爾開發(fā)商論壇”（IDF）上，英特爾公司將開始討論0.045微米(45納米)生產(chǎn)工藝。

　　據(jù)消息人士透露，電流泄露問題已經(jīng)解決，這里指的是解決，而非減輕。除非IBM、AMD也能做到這一點(diǎn)兒，這將是英特爾公司獲得的一大優(yōu)勢。這將使得它在移動(dòng)，以及其它對能耗敏感的領(lǐng)域獲得更大的優(yōu)勢。

　　根據(jù)我們了解的情況判斷，在電流泄露問題方面，0.065微米工藝要優(yōu)于0.09微米工藝，但只是有所進(jìn)步，而沒有徹底解決這一問題。0.045微米生產(chǎn)工藝也取得了一些進(jìn)展。

　　這意味著在0.045微米生產(chǎn)工藝問世前，Yonah將繼續(xù)存在下去，Merom芯片的能耗將略高于大多數(shù)低能耗筆記本電腦芯片。雙內(nèi)核的Merom的能耗為9瓦特，單內(nèi)核Yonah的能耗只有5.5瓦特。當(dāng)Penryn問世后，低耗將進(jìn)一步降低，Yonah也將“退休”。