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          英飛凌許可IBM使用其嵌入式閃存制造工藝

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          作者: 時間:2007-12-25 來源:中電網(wǎng) 收藏

            (Infineon Technologies AG)日前表示,已同意向提供使用其嵌入式制造工藝的許可。將在北美使用這種130納米工藝。表示,它將使用的代工服務(wù)生產(chǎn)未來基于此工藝的產(chǎn)品。

            的上述130納米嵌入式工藝于2006年初開始在英飛凌的工廠中實現(xiàn)量產(chǎn),用于生產(chǎn)從汽車系統(tǒng)到智能卡等應(yīng)用的微控制器芯片。

            英飛凌汽車、工業(yè)與多市場業(yè)務(wù)部主管Peter Bauer表示:“通過這項合作,英飛凌發(fā)揮了其自己的制造IP的價值,獲得了新的批量制造伙伴,而且加強了我們與長期伙伴之間的工作關(guān)系?!?/P>

            “通過與英飛凌合作,我們拓寬了自己的半導(dǎo)體產(chǎn)品范圍。英飛凌是嵌入式技術(shù)領(lǐng)域中的領(lǐng)先廠商?!盜BM全球工程解決方案部門的半導(dǎo)體副總裁Steve Longoria表示。“這項許可協(xié)議利用了我們現(xiàn)有的技術(shù)基礎(chǔ),而且補足了我們的模擬與混合信號專門技術(shù)。”

            上述工藝的整合與驗證工作已開始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進行,計劃在2008年下半年推出初步設(shè)計工具。



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