Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中，描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費性電路的超小型制程選項－使用傳統(tǒng)大量CMOS制程技術與45納米設計規(guī)則，在量產條件下建構面積小于0.25平方微米的6晶體管結構SRAM單元。 

　　Crolles2是由飛思卡爾半導體、飛利浦、意法半導體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國Crolles的300毫米試產線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示了該聯(lián)盟作為業(yè)界領先的65納米及45納米CMOS設計節(jié)點之最大研發(fā)聯(lián)盟的成功地位。 

　　Crolles2聯(lián)盟表示，以創(chuàng)新與技術領先為基礎，我們已成功地展示了在45納米節(jié)點生產功能電路與超高密度SRAM單元的能力。

　　這個先進的Crolles2晶圓廠生產線已開始試產300毫米晶圓的90納米CMOS組件，并預計在2005年生產65納米CMOS的原型。而最新發(fā)布的45納米技術，則是邁向新一代量產制程技術的關鍵。