在第27屆國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會上，電子科技大學(xué)教授、中國科學(xué)院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設(shè)計的卓越貢獻，獲“國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎”，成為首位獲得該獎項的華人科學(xué)家。

　　國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級學(xué)術(shù)年會，自1992年開始舉辦，每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎項。