導讀：可控硅有可控整流、逆變、變頻、調壓、用作無觸點開關等多種功能，那么可控硅原理是怎么樣的呢?接下來就讓我們一起來看一下吧~~~

一、可控硅原理- -簡介

　　可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，在國際上也將其稱為硅晶體閘流管，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，只有導通和關斷兩種狀態(tài)，具有反應快、效率高、無噪音等特點，現(xiàn)已得到廣泛應用。

二、可控硅原理- -結構

　　可控硅是P1N1P2N2的四層結構，包含三個PN結(J1、J2、J3)，有陽極A、陰極K、控制極G三個端口，如下圖所示。其中，由P1層引出的是陽極A端，由N2層引出的是陰極K端，由P2層引出的是控制極G端。

　　在分析可控硅原理時，可將可控硅按下圖進行分解，進而分解成一個PNP管和一個NPN管。

三、可控硅原理

　　在上圖中，當在陽極A端加上正向電壓時，BG1管和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時，再從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2管便有基極電流ib2流過，該電流流經(jīng)BG2管至集電極，放大為ic2，ic2=β2ib2，ic2沿電路流至BG1管的基極，故有ib1=ic2，流經(jīng)BG1管，到達集電極時，電流變?yōu)閕c1，ic1=β1ib1=β1β2ib2，此電流又流回BG2的基極，使得ib2增大至ib2=ic1，如此循環(huán)形成正反饋使得電流劇增，故可控硅達到飽和狀態(tài)并導通。

　　可控硅只有導通和關斷兩種狀態(tài)，具有開關特性，其狀態(tài)的轉變存在一定的前提條件。 從關斷狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)時，需滿足陽極電位總是高于陰極電位，且控制極有足夠的正向電壓和電流;維持導通狀態(tài)時，需滿足陽極電位高于陰極電位，且陽極電流大于維持電流;從導通狀態(tài)轉變?yōu)殛P斷狀態(tài)時，需滿足陽極電位低于陰極電位，或陽極電流小于維持電流。

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