三級(jí)單元(triple-level cell;TLC)快閃記憶體在進(jìn)入客戶端市場(chǎng)兩年后，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步在資料中心獲得動(dòng)能。但長(zhǎng)期來(lái)看，由于 3D NAND 逐漸取代，傳統(tǒng)的 NAND 記憶體成長(zhǎng)開始趨緩。

　　截至目前為止，TLC主要用于 USB 驅(qū)動(dòng)器、快閃記憶卡、低成本智慧型手機(jī)與客戶端固態(tài)固碟(SSD);不過，市調(diào)公司Forward Insights首席分析師Gregory Wong指出，市場(chǎng)上目前已經(jīng)看到 iPhone 6 開始采用了，預(yù)計(jì)它將在2015-2016年進(jìn)一步滲透到高階智慧型手機(jī)與企業(yè)資料中心 SSD 應(yīng)用中。

　　另一家市調(diào)公司Gartner 也發(fā)表類似的預(yù)測(cè)看法。Gartner半導(dǎo)體研究副總裁Joe Unsworth表示今年已經(jīng)有一些特定客戶選擇在資料中心采用 TLC 了。該研究公司預(yù)計(jì)，在未來(lái)的一年， TLC 和 3D 將成為 NAND 技術(shù)進(jìn)展關(guān)注重點(diǎn)，特別是三星電子(Samsung)已在2014年為 3D NAND 實(shí)現(xiàn)商用化，但預(yù)計(jì)業(yè)界采用的腳步仍緩慢，大約要到2016年以后所有廠商都實(shí)現(xiàn)商業(yè)化后才可能普及應(yīng)用。在那之前，該產(chǎn)業(yè)仍將會(huì)是一個(gè)多級(jí)單元 (MLC)和 TLC 并存的世界，他說。

　　NAND技術(shù)革命：TLC和3D NAND將成為關(guān)注重點(diǎn)

　　(來(lái)源：Gartner，2014/12)

　　Gregory Wong預(yù)計(jì)，在2016年以前， MLC 將繼續(xù)應(yīng)用在智慧型手機(jī)、平板電腦和 SSD ，以及可能用于一些越來(lái)越普及的 Android 智慧型手機(jī)中;而單級(jí)單元(SLC)則持續(xù)用于機(jī)上盒(STB)、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)與行動(dòng)裝置等消費(fèi)應(yīng)用中。然而，Gregory Wong指出，由于越來(lái)越多的行動(dòng)裝置與相機(jī)改采用 MLC ， SLC 采用量正逐漸減少，主要的成長(zhǎng)力道來(lái)自工業(yè)與汽車應(yīng)用。

　　推動(dòng) TLC 成長(zhǎng)以及在資料中心應(yīng)用找到立足點(diǎn)的原因之一在于更智慧化的控制器，它克服了對(duì)于耐用性的顧慮。整體而言，Gartner認(rèn)為，快閃記憶體管理韌體與先進(jìn)控制器將成為 NAND 市場(chǎng)的差異化因素。

　　Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示， TLC 以往多半用于低階寫入應(yīng)用，如快閃記憶卡、 USB 快閃驅(qū)動(dòng)器與 MP3 播放器等，一直到2013年才成功地應(yīng)用于三星與SanDisk提供的客戶端 SSD中。“使 MLC 得以取代 SLC 的相同基礎(chǔ)架構(gòu)技巧，也適用于讓 TLC 取代 MLC ，”Jim Handy表示。然而，　MLC 的成本約為 SLC 的50%，改用 MLC 能夠帶來(lái)更大的成本優(yōu)勢(shì);相形之下， TLC 的定價(jià)約為 MLC 的80%，因而無(wú)法為 TLC 取代 MLC 帶來(lái)什么推動(dòng)力量。

　　Jim Handy預(yù)期， SLC 并不至于完全消失，但逐漸地，當(dāng)市場(chǎng)上只有幾家供應(yīng)商(如Spansion與旺宏Macronix)就足以滿足市場(chǎng)需求時(shí)， SLC 的出貨量將會(huì)逐漸萎縮，成本也會(huì)日趨增加。

　　Jim Handy認(rèn)同Gartner的看法——控制器成為一項(xiàng)重要的差異化關(guān)鍵?？刂破髯兊酶腔?、更復(fù)雜，盡管得花更多的成本，但卻降低了 TLC 進(jìn)入新領(lǐng)域的成本。不過，控制器也有其局限性，他說，當(dāng)達(dá)到極限時(shí)，就必須增加快閃記憶體與內(nèi)建冗余。

　　Jim Handy強(qiáng)調(diào)， TLC 將不會(huì)完全取代 MLC 。 “MLC 的應(yīng)用基本上已經(jīng)是無(wú)處不在了，這樣的情況還將延續(xù)到接下來(lái)的兩年，或甚至更長(zhǎng)的時(shí)間。”然而， 3D NAND 更適于采用 TLC ，因而可能比平面 NAND 使用更多的 TLC 。

　　不過，他同樣認(rèn)為， 3D NAND 至少要到2016年以后才能加速成長(zhǎng);最終，TLC 和 3D NAND 將競(jìng)相成為 NAND 快閃記憶體的最低成本選擇。