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          FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計及驗證

          作者:賀建龍 時間:2014-03-31 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            隨著的功能日益強大和完善,在項目中的應(yīng)用也越來越廣泛,其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以存儲器件為的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的模塊的設(shè)計,其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過實際的讀寫操作驗證。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/235594.htm

            器件的基本知識及控制流程

            Flash是一種由大容量浮柵(floating gate)結(jié)構(gòu)的MOS管存儲單元加上讀寫控制電路構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲器,其應(yīng)用非常廣泛,按組織結(jié)構(gòu)類型分為NOR和NAND類型,其中NAND flash因為容量更大而應(yīng)用更為廣泛,如固態(tài)硬盤(SSD)就是屬于NAND類型的Flash存儲器,其編程及讀取的單位為page;擦除是為扇區(qū)Sector或整個Bulk擦除。因為flash器件內(nèi)置了電荷泵單元,所以其供電與傳統(tǒng)的EEPROM需要雙電源供電相比,只需要單電源供電即可。存儲的數(shù)據(jù)由浮柵的電子電荷決定,浮柵上沒有電荷時為“1”,當浮柵上存有電子電荷時為“0”。

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