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等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性

作者：時間：2009-05-20 來源：網(wǎng)絡(luò)

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沉浸和預(yù)處理時間的影響

為了進一步了解NH3等離子預(yù)處理對器件電學(xué)性質(zhì)的作用，作了一些實驗研究沉浸（NH3和N2）和預(yù)處理（NH3）時間對VBD性能的影響。

實驗結(jié)果顯示，沉浸和預(yù)處理總時間增加時，擊穿電壓大大提高（圖6），這可能是因為Cu/SiN界面的改善，與Cu/SiN界面上C和O含量的減少是一致的。

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關(guān)鍵詞： SiN 65nm

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