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          半導體晶體管電路設(shè)計須知(一)

          作者: 時間:2012-03-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          合格率在96%以上時,就把此片芯片列入“免測片”。要使芯片達到免測試,就必須對其中的一些參數(shù)進行“余量放大”。而的反向擊穿電壓就是重點之一。為了提高的反射擊穿電壓,芯片投料時,就會對材料進行優(yōu)化,優(yōu)化的考慮是在最差的工藝加工情況下,所生產(chǎn)出的晶體管反向擊穿電壓也要比規(guī)格書高10~20%,而在生產(chǎn)控制時,為了達到生產(chǎn)工藝設(shè)計時的指標,又會考慮在最差的情況下,使產(chǎn)品能夠達到設(shè)計要求,這樣,就使已經(jīng)被放大過一次的指標再次被大10~20%。這樣,就使原來只要求反向擊穿電壓達到20~30V的晶體管,在實測時,部分就能達到60V以上,甚至更高。這就是為什么有時一些晶體管的反向擊穿電壓實測值會遠大于規(guī)格書的原因。盡管一些晶體管的反向擊穿電壓值遠大于規(guī)格書,那么,是否就可以以實測值來作為使用的依據(jù)呢?回答是否定的。

            這是因為,所有的晶體管測試程序,都是以規(guī)格書上所提供的參數(shù)范圍,來作為差別晶體管合格與否的標準。對反向擊穿電壓而言,只要比規(guī)格書上所規(guī)定的值大,就判為合格。如果你測量到的反向擊穿電壓要遠高于規(guī)格書,不要以為供應(yīng)商以后發(fā)給你的貨,都是具有與此相同的電壓特性,供應(yīng)商所提供的商品,永遠只會承諾以規(guī)格書為準,也只能是以規(guī)格書為準提供商品。規(guī)格書上所承諾的,是實際的,而其它,都是虛的。因此,建議在設(shè)計選型時,一定要以規(guī)格書為準,并留下足夠的余量,而不是以實物的測試值為準。

            在一些高反壓晶體管的規(guī)格書上,有些反向擊穿電壓以BVcer和BVcbr來表述。此種表述的含義是:

            BVcer ——基極與發(fā)射極之間,接有一只KΩ量綱的電阻,其它測試原理、測試條件與BVceo相同。同樣,BVcbr在測試晶體管的C-B結(jié)的反向擊穿電壓時,其晶體管的發(fā)射極不是懸空,而是通過一只KΩ量綱的電阻接到“零電位”。晶體管的反向擊穿電壓高低的排列是: BVcbo≥BVcbr》BVcer》BVceo。


          一、巧用晶體管測試儀增加高壓包在路測量功能

            如果要增加高壓包在路測量功能,將下圖中K為反壓測試按鈕VBR、Rl、Q1、Ll、L2組成自激振蕩電路,Dl、D2、D3與Cl、C2、C3、C4、C5、C6構(gòu)成倍壓整流電路,D4為次級線圈L4的整流電路。在次級空載的情況下,測試L4兩端的輸出電壓為250Vp-p,頻率約為5000 Hz。L3與L4輸出電壓之和大于400 Vp-p。

            改制方法:由于L4兩端電壓為中壓,電流較小,而L3與L4輸出電壓之和大于400

            Vp-p,雖然電流也不大,但是從安全角度考慮,選用L4兩端作為脈沖信號的輸出端,引出兩根帶鱷魚夾的導線作為測試信號線。

          巧用晶體管測試儀增加高壓包在路測量功能

            測試方法如下:  斷開“高壓包”初級任意一端,同時拔掉尾座(目的是斷開燈絲繞組,因為燈絲電壓很低,對于測試儀來說,相當于“高壓包”次級負載短路),將測試儀信號引出夾夾在“高壓包”的初級,按壓反壓測試按鈕VBR,如果“高壓包”內(nèi)部無短路,外部負載也無短路,則測試儀表針偏轉(zhuǎn)(只要偏轉(zhuǎn)既可)。如果表針不偏轉(zhuǎn),則說明“高壓包”內(nèi)部或外部負載有短路,可用萬用表R×1kΩ電阻檔,紅表筆接地,黑表筆分別測試“高壓包”

            次級180V、12V、26V等整流二極管負極,大致判斷幾個“二次”供電電路有無短路。若表針指示均有一定阻值,則可以判斷“高壓包”內(nèi)部短路,可去掉“高壓包”進一步開路測試確認。

            說明:

            (1)所有測試過程,均應(yīng)在主機不通電的狀況下進行,否則,可能造成人身安全事故或者使故障擴大。

            (2)測試儀測量的范圍,可以是任何開關(guān)電源、任何行掃描電路。所以對于VCD、DVD、顯示器、復印機、錄像機等,都有其用武之地。

            (3)對于“高壓包”的層間短路,由于用萬用表可以很方便的檢查出來,所以本改進不測試層間短路,也不能測試。

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