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          干簧繼電器:從聲帶呼叫到GHz ATE,現(xiàn)在面臨MEMS中斷 第三部分

          作者: 時間:2025-10-11 來源: 收藏

          第 1 部分介紹了基礎(chǔ)知識,第 2 部分探討了及其在 ATE 應(yīng)用中的應(yīng)用,而最后一節(jié)則介紹了基于 MEMS 的繼電器及其在 ATE 應(yīng)用中的功能。

          顛覆:基于MEMS的GHz繼電器

          磁驅(qū)動簧片繼電器的優(yōu)點(diǎn)和功能是顯而易見的,那么為什么要改變呢?這是通常的故事:技術(shù)不斷發(fā)展,并且經(jīng)常使相關(guān)技術(shù)適應(yīng)現(xiàn)有應(yīng)用程序。

          這是繼電器需要有形身體接觸的情況。微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 技術(shù)自 1990 年代商業(yè)化以來不斷發(fā)展,最初是用于觸發(fā)安全氣囊的開/關(guān)加速度計,然后是用于導(dǎo)航的加速度計和陀螺儀。MEMS技術(shù)現(xiàn)在也用于需要物理電路觸點(diǎn)開關(guān)的情況。

          MEMS 開關(guān)技術(shù)基于靜電驅(qū)動的微機(jī)械懸臂梁開關(guān)元件。它是一種微米級機(jī)械繼電器,具有通過靜電驅(qū)動的金屬對金屬觸點(diǎn),而不是像簧片繼電器或傳統(tǒng)電樞繼電器那樣使用磁性。

          該開關(guān)以三端子配置連接。圖 1 是開關(guān)的簡化圖形表示,案例 A 顯示開關(guān)處于關(guān)閉位置。當(dāng)直流電壓施加到柵極上時,開關(guān)梁上會產(chǎn)生靜電下拉力。這與平行板電容器中看到的靜電力相同,具有相互吸引的正負(fù)電極板。

          圖 1.基于 MEMS 的開關(guān)使用靜電力而不是磁力來驅(qū)動。(圖片來源:ADI公司)

          當(dāng)柵極電壓上升到足夠高的值時,它會產(chǎn)生足夠的吸引力(紅色箭頭)來克服開關(guān)梁的電阻彈簧力,并且柵極開始向下移動,直到觸點(diǎn)接觸漏極,如情況 B 2 所示。這樣就完成了源極和漏極之間的電路,開關(guān)現(xiàn)在導(dǎo)通。

          將開關(guān)梁向下拉所需的實(shí)際力與懸臂梁的彈簧常數(shù)及其運(yùn)動阻力有關(guān)。請注意,即使在 ON 位置,開關(guān)梁仍然有彈力將開關(guān)向上拉(藍(lán)色箭頭),但只要向下拉的靜電力(紅色箭頭)較大,開關(guān)就會保持打開狀態(tài)。

          最后,當(dāng)柵極電壓被移除(情況 C)時,柵極電極上為 0 伏,靜電吸引力消失。開關(guān)梁充當(dāng)彈簧,具有足夠的恢復(fù)力(藍(lán)色箭頭)來打開源極和漏極之間的連接,然后返回到原來的關(guān)閉位置。

          這似乎是一個簡單的概念,但實(shí)際制造是一個巨大的挑戰(zhàn),需要許多關(guān)鍵的 CMOS IC 步驟,包括濺射、分層、蝕刻等。此外,為了提高可靠性,將高電阻率硅電容粘合到 MEMS 芯片上,以在 MEMS 開關(guān)磁芯周圍形成密封保護(hù)外殼。通過以這種方式密封開關(guān),可以提高開關(guān)的環(huán)境穩(wěn)健性和循環(huán)壽命,而不受所使用的外部封裝技術(shù)的影響。

          請注意,MEMS開關(guān)不限于基本的SPST配置,如圖2所示,其中四個MEMS開關(guān)采用單刀四擲(ST4P)多路復(fù)用器配置。每個開關(guān)梁有五個并聯(lián)的歐姆觸點(diǎn),以減少電阻并增加開關(guān)閉合時的功率處理能力。

          圖 2.這種基于單擲四極 (SP4T) MEMS 的觸點(diǎn)閉合設(shè)計提供四個電路路徑,每個路徑都有多個并聯(lián)觸點(diǎn)以降低電阻。(圖片來源:ADI公司)

          合適的驅(qū)動電路是干簧開關(guān)和基于MEMS的開關(guān)之間的另一個主要區(qū)別。干簧開關(guān)需要驅(qū)動線圈的電流驅(qū)動,而 MEMS 開關(guān)需要高電壓來產(chǎn)生靜電場。為了減少高壓挑戰(zhàn),一些基于 MEMS 的開關(guān)供應(yīng)商將高壓驅(qū)動芯片與 MEMS 器件共同封裝,因此用戶只需以適中功率(10 至 20 mW)施加低電壓(通常為 5 伏)即可驅(qū)動。

          請注意,與基于的器件相比,基于 MEMS 的開關(guān)確實(shí)有其缺點(diǎn)。一個重要的區(qū)別是 MEMS 器件與“熱插拔”不兼容,即在通電的情況下插入或移除器件或其電路板。必須關(guān)閉系統(tǒng)或機(jī)箱電源,插入或移除設(shè)備或主板,然后才能通電。

          基于 MEMS 的繼電器可以輕松處理低千兆赫茲范圍內(nèi)的信號。認(rèn)識到這些繼電器的潛力,和 ATE 開關(guān)系統(tǒng)供應(yīng)商(例如 Pickering)已與 MESM 供應(yīng)商合作,提供使用這種新技術(shù)的系統(tǒng)。

          例如,Pickering與Menlo Microsystems(一家專門為各種應(yīng)用開發(fā)先進(jìn)MEMS技術(shù)的技術(shù)公司)合作,開發(fā)和銷售基于MEMS的PXI和PXIe射頻多路復(fù)用器產(chǎn)品線。Menlo Micro 的理想開關(guān)提供高達(dá) 4 GHz 的出色射頻特性和超過 30 億次作的使用壽命,與基于 EMR 的解決方案通常提供的最高 1000 萬次作相比有了顯著改進(jìn)。

          圖 3.像這樣的射頻多路復(fù)用器板具有三種不同的通道數(shù),使用基于 MEMS 的開關(guān)而不是干簧繼電器。(圖片來源:Pickering Electronics)

          雖然這些極端的生命周期數(shù)字似乎沒有必要,但某些設(shè)備的壽命測試確實(shí)需要這種級別的高強(qiáng)度運(yùn)行。圖3所示的Pickering 40/42-878 PXI和PXIe MEMS射頻多路復(fù)用器可處理高達(dá)25 W的功率,工作時間為50微秒,遠(yuǎn)快于傳統(tǒng)的干簧開關(guān)。

          Pickering 和 Menlo Microsystems 并不是干簧和 MEMS 繼電器的唯一供應(yīng)商。其他一些來源包括 Coto Technology、Cynergy3/Sensata Technologies、Littelfuse、Toward Technologies 和 Standex Electronics。

          結(jié)論

          在導(dǎo)體之間提供物理、歐姆、機(jī)械接觸的繼電器仍然被廣泛需要。幾十年前,傳統(tǒng)的基于電樞的繼電器加入了簧片繼電器,干簧繼電器已經(jīng)從僅音頻頻段發(fā)展到千兆赫茲功能。反過來,干簧繼電器也面臨著基于 MEMS 的繼電器的挑戰(zhàn),這些繼電器在許多方面提供可比的性能,但也具有獨(dú)特的屬性。



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